Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

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Resultados: 23

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V

SSM6L09FUTE85LF
Toshiba
1: S/1.83
691,910En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L09FUTE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L09FUTE85LF

Fin de vida útil

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V

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Cinta cortada

S/1.83

S/1.14

S/0.724

S/0.545

Envase tipo carrete

S/0.362

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

400 mA, 200 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

2SK2009TE85LF
Toshiba
1: S/3.19
24,060En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK2009TE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-2SK2009TE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

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Cinta cortada

S/3.19

S/1.97

S/1.28

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.732

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

30 V

200 mA

2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6N35FE,LM
Toshiba
1: S/1.40
23,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/1.40

S/0.954

S/0.564

S/0.397

Envase tipo carrete

S/0.272

Ver

MouseReel Disponible

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ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

180 mA

20 Ohms, 20 Ohms

- 10 V, 10 V

400 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3J15FV,L3F
Toshiba
1: S/0.779
38,975En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J15FV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J15FVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

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S/0.779

S/0.479

S/0.30

S/0.218

Envase tipo carrete

S/0.117

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16CT,L3F
Toshiba
1: S/0.856
62,358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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S/0.856

S/0.518

S/0.343

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.144

Ver

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SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM6N43FU,LF
Toshiba
1: S/1.44
42,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N43FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N43FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

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Cinta cortada

S/1.44

S/0.887

S/0.557

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.296

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

500 mA

460 mOhms, 460 mOhms

- 20 V, 20 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V

SSM3J35CT,L3F
Toshiba
1: S/1.01
22,510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J35CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J35CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V

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S/1.01

S/0.615

S/0.323

S/0.257

Envase tipo carrete

S/0.183

Ver

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SOT-883-3

P-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

4.3 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16FS,LF
Toshiba
1: S/0.74
7,601En existencias

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SSM3K16FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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S/0.74

S/0.444

S/0.179

Envase tipo carrete

S/0.152

S/0.121

S/0.082

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N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

100 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16FV,L3F
Toshiba
1: S/0.74
18,554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16FV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FVL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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S/0.74

S/0.459

S/0.284

S/0.21

Envase tipo carrete

S/0.125

Ver

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SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V

SSM3K44FS,LF
Toshiba
1: S/0.74
4,449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K44FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K44FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V

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S/0.74

S/0.533

S/0.237

S/0.202

Envase tipo carrete

S/0.132

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/0.701
11,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P15FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P15FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

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S/0.701

S/0.346

S/0.323

Envase tipo carrete

S/0.292

S/0.276

S/0.261

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.7 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

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AEC-Q100

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3J15FU,LF
Toshiba
1: S/0.817
14,055En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J15FULF

Toshiba

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Cinta cortada

S/0.817

S/0.498

S/0.276

S/0.199

Envase tipo carrete

S/0.132

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

SSM3K15F,LF
Toshiba
1: S/0.701
4,365En existencias
6,000Se espera el 6/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

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6,000Se espera el 6/03/2026

Cinta cortada

S/0.701

S/0.393

S/0.206

S/0.183

Envase tipo carrete

S/0.121

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SC-59-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3K16FU,LF
Toshiba
1: S/0.934
1,850En existencias
30,000Se espera el 10/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

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30,000Se espera el 10/07/2026

Cinta cortada

S/0.934

S/0.564

S/0.315

S/0.249

Envase tipo carrete

S/0.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.52
1,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N15FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N15FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

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S/1.52

S/0.884

S/0.385

S/0.362

Envase tipo carrete

S/0.261

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

SOT-553-5

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

SSM5N15FU,LF
Toshiba
1: S/1.44
2,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N15FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/1.44

S/0.868

S/0.487

S/0.366

Envase tipo carrete

S/0.296

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V

SSM5P15FU,LF
Toshiba
1: S/1.44
4,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5P15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5P15FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V

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S/1.44

S/0.876

S/0.553

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.346

Ver

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

1.7 V

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6L35FE,LM
Toshiba
1: S/1.32
5,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/1.32

S/0.821

S/0.518

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.199

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Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

180 mA, 100 mA

20 Ohms, 44 Ohms

- 10 V, 10 V

400 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.75
134En existencias
12,000Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L35FU(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L35FUTE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

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S/1.75

S/1.07

S/0.677

S/0.506

Envase tipo carrete

S/0.366

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

180 mA, 100 mA

11 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM6N44FE,LM
Toshiba
1: S/1.40
27,786En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N44FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N44FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

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27,786En pedido

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S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.401

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S/0.214

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SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

SSM3K09FU,LF
Toshiba
1: S/1.67
16,153Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K09FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K09FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

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Hoja de datos

16,153Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/1.67

S/1.02

S/0.65

S/0.487

Envase tipo carrete

S/0.296

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

30 V

400 mA

700 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM5N16FU,LF
Toshiba
1: S/1.44
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N16FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N16FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/1.44

S/0.887

S/0.557

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.296

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

SSM6P35FE,LM
Toshiba
1: S/1.67
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

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Cinta cortada

S/1.67

S/1.23

S/0.697

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.272

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

MOSVI

Reel, Cut Tape

π-MOS VI MOSFETs

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