Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.

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Resultados: 23

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V

SSM3J35CT,L3F
Toshiba
1: S/1.05
22,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J35CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J35CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-0.1A VDSS=-20V

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Cinta cortada

S/1.05

S/0.631

S/0.397

S/0.292

Envase tipo carrete

S/0.183

Ver

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: 10,000

SMD/SMT

SOT-883-3

P-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

4.3 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V

SSM6L09FUTE85LF
Toshiba
1: S/1.87
543,681En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L09FUTE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L09FUTE85LF

Fin de vida útil

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V

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543,681En existencias

Cinta cortada

S/1.87

S/1.14

S/0.724

S/0.545

Envase tipo carrete

S/0.381

Ver

MouseReel Disponible

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

30 V

200 mA, 400 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.8 V

- 55 C

+ 150 C

300 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

2SK2009TE85LF
Toshiba
1: S/3.39
10,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2SK2009TE85LF

N.º de artículo de Mouser
757-2SK2009TE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V

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Cinta cortada

S/3.39

S/2.11

S/1.37

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.806

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-346-3

N-Channel

1 Channel

30 V

200 mA

2 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3J15FU,LF
Toshiba
1: S/0.895
8,998En existencias
18,000Se espera el 12/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J15FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

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18,000Se espera el 12/06/2026

Cinta cortada

S/0.895

S/0.533

S/0.335

S/0.245

Envase tipo carrete

S/0.175

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323-3

P-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

SSM3K15F,LF
Toshiba
1: S/0.779
6,314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K15F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K15FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/0.779

S/0.479

S/0.30

S/0.218

Envase tipo carrete

S/0.152

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SC-59-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16FV,L3F
Toshiba
1: S/0.779
19,363En existencias
8,000Se espera el 1/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16FV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FVL3F

Toshiba

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Cinta cortada

S/0.779

S/0.463

S/0.284

S/0.21

Envase tipo carrete

S/0.105

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V

SSM3K44FS,LF
Toshiba
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7,339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K44FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K44FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.1A VDSS=30V

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Cinta cortada

S/0.934

S/0.576

S/0.358

S/0.265

Envase tipo carrete

S/0.191

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V

SSM5N15FU,LF
Toshiba
1: S/1.56
2,747En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N15FULF

Toshiba

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Cinta cortada

S/1.56

S/0.95

S/0.596

S/0.444

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

2.2 Ohms, 2.2 Ohms

- 20 V, 20 V

800 mV

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.1A VDSS=-30V

SSM6P15FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.79
4,864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P15FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P15FETE85LF

Toshiba

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Cinta cortada

S/1.79

S/1.10

S/0.697

S/0.522

Envase tipo carrete

S/0.378

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

8 Ohms

- 20 V, 20 V

1.7 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q100

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3J15FV,L3F
Toshiba
1: S/0.856
33,487En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J15FV,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J15FVL3F

Toshiba

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Cinta cortada

S/0.856

S/0.514

S/0.319

S/0.234

Envase tipo carrete

S/0.121

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

VESM-3

P-Channel

1 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

1.1 V

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16CT,L3F
Toshiba
1: S/0.973
1,947En existencias
140,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16CT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16CTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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S/0.973

S/0.596

S/0.374

S/0.272

Envase tipo carrete

S/0.171

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

SOT-883-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM3K16FS,LF
Toshiba
1: S/0.779
1,593En existencias
6,000Se espera el 14/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16FS,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

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6,000Se espera el 14/08/2026

Cinta cortada

S/0.779

S/0.479

S/0.30

S/0.218

Envase tipo carrete

S/0.171

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-416-3

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

100 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

SSM3K16FU,LF
Toshiba
1: S/1.01
16,718En existencias
21,000Se espera el 12/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K16FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K16FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET High Speed Switching

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S/1.01

S/0.619

S/0.385

S/0.284

Envase tipo carrete

S/0.202

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM5N15FE(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.67
1,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5N15FE(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5N15FETE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

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S/1.67

S/1.02

S/0.642

S/0.479

Envase tipo carrete

S/0.308

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-553-5

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

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150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V

SSM5P15FU,LF
Toshiba
1: S/1.44
4,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM5P15FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM5P15FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-0.1A VDSS=-30V

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Cinta cortada

S/1.44

S/0.887

S/0.557

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.319

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

P-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

12 Ohms

- 20 V, 20 V

1.7 V

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

SSM6N44FE,LM
Toshiba
1: S/1.48
3,991En existencias
36,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N44FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N44FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1

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Cinta cortada

S/1.48

S/0.915

S/0.576

S/0.428

Envase tipo carrete

S/0.272

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

30 V

100 mA

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.5 V

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

SSM3K09FU,LF
Toshiba
1: S/1.67
59,086En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K09FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K09FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V

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59,086En pedido

Cinta cortada

S/1.67

S/1.02

S/0.65

S/0.487

Envase tipo carrete

S/0.327

Ver

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-323

N-Channel

1 Channel

30 V

400 mA

700 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

SSM6L35FU(TE85L,F)
Toshiba
1: S/1.75
24,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6L35FU(TE85L,F)

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L35FUTE85LF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

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S/1.75

S/1.07

S/0.677

S/0.506

Envase tipo carrete

S/0.366

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

100 mA, 180 mA

11 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6N35FE,LM
Toshiba
1: S/1.60
8,000Se espera el 29/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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Cinta cortada

S/1.60

S/0.969

S/0.607

S/0.452

Envase tipo carrete

S/0.276

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Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel

2 Channel

20 V

180 mA

20 Ohms, 20 Ohms

- 10 V, 10 V

400 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM6L35FE,LM
Toshiba
1: S/1.44
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6L35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6L35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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S/1.44

S/0.88

S/0.553

S/0.409

Envase tipo carrete

S/0.261

Ver

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Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

100 mA, 180 mA

20 Ohms, 44 Ohms

- 10 V, 10 V

400 mV

- 55 C

+ 150 C

150 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

SSM6N43FU,LF
Toshiba
1: S/1.44
5,973Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N43FU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N43FULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET

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5,973Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/1.44

S/0.887

S/0.557

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.296

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

500 mA

460 mOhms, 460 mOhms

- 20 V, 20 V

350 mV

1.23 nC

- 55 C

+ 150 C

200 mW

Enhancement

AEC-Q101

MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V

SSM5N16FU,LF
Toshiba
1: S/1.44
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SSM5N16FU,LF

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757-SSM5N16FULF

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S/1.44

S/0.887

S/0.557

S/0.416

Envase tipo carrete

S/0.296

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-353-5

N-Channel

2 Channel

20 V

100 mA

3 Ohms

- 10 V, 10 V

600 mV

+ 150 C

200 mW

Enhancement

MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

SSM6P35FE,LM
Toshiba
1: S/1.67
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N.º de artículo del Fabricante
SSM6P35FE,LM

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P35FELM

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

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Cinta cortada

S/1.67

S/1.23

S/0.697

S/0.471

Envase tipo carrete

S/0.272

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Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

ES6-6

MOSVI

Reel, Cut Tape

π-MOS VI MOSFETs

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