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SSM6P35FE,LM

Name: Toshiba SSM6P35FE,LM
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6P35FELM
Price: 1.67 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

757-SSM6P35FELM

Fabricante N.º:

SSM6P35FE,LM

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET P-Channel

Hoja de datos:

SSM6P35FE,LM Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	S/1.67	S/1.67
	S/1.23	S/12.30
	S/0.697	S/69.70
	S/0.471	S/235.50
	S/0.358	S/358.00
	S/0.315	S/630.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	S/0.272	S/1,088.00
	S/0.249	S/1,992.00
	S/0.226	S/5,424.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	ES6-6
Nombre comercial:	MOSVI
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM6P35
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	8.200 mg

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Hoja de datos

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

π-MOS VI MOSFETs

Toshiba π-MOS VI MOSFETs are Low Voltage Gate Drive devices offered in both P-channel and N-channel polarity and in single- and dual-channel variants. These devices provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. The π-MOS VI MOSFETs drive a 2.5V minimum to 20V maximum gate voltage. Toshiba π-MOS VI MOSFETs are offered in CST3-3, ES6-6, SOT-323-3, SOT-346-3, SOT-353-5, SOT-363-6, SOT-416-3, SOT-553-5, SOT-723-3, SOT-883-3, and TO-263MOD-3 package types for design flexibility. These small surface-mounted packages are ideal for high-density applications.