Amplificador de RF Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
AFIC31025GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/248.61
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771-AFIC31025GNR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
50:
S/3,130.50
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771-AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300BN
NXP Semiconductors
240:
S/268.78
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771-MRF300BN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
A2I09VD030GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/147.49
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841-A2I09VD030GNR1
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Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
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Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
AFIC10275GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/1,419.56
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841-AFIC10275GNR1
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Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
AFT09MP055NR1
NXP Semiconductors
500:
S/122.50
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841-AFT09MP055NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
AFT09MS031GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/89.10
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841-AFT09MS031GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
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Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
MD8IC970NR1
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500:
S/199.65
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841-MD8IC970NR1
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Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50GNR5
NXP Semiconductors
50:
S/1,102.86
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841-MRF1K50GNR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
50:
S/2,611.40
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841-MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
MRF6V14300HSR5
NXP Semiconductors
50:
S/2,275.83
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841-MRF6V14300HSR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR6
NXP Semiconductors
150:
S/1,264.09
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841-MRFE6VP61K25HR6
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
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Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
AFIC10275NR5
NXP Semiconductors
50:
S/1,611.07
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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771-AFIC10275NR5
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Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
MHT1803A
NXP Semiconductors
240:
S/111.36
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771-MHT1803A
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
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Amplificador de RF A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit
NXP Semiconductors A3G26D055N-2400
A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors
1:
S/2,145.35
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors
Amplificador de RF A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
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Min.: 1
Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
NXP Semiconductors AFM912NT1
AFM912NT1
NXP Semiconductors
1,000:
S/16.89
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
N.º de artículo de Mouser
771-AFM912NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors
1:
S/3,957.97
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT05MP075N54M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
1
S/3,957.97
10
S/3,504.88
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Min.: 1
Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors
1:
S/1,859.10
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT05MS004200M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
1
S/1,859.10
10
S/1,617.61
25
S/1,555.95
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Min.: 1
Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors
1:
S/4,715.41
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
N.º de artículo de Mouser
771-AFT27S006N1000M
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
1
S/4,715.41
10
S/4,436.28
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Min.: 1
Mult.: 1
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/135.73
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
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Mult.: 500
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
NXP Semiconductors AFV121KHR5
AFV121KHR5
NXP Semiconductors
50:
S/5,487.22
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-AFV121KHR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Min.: 50
Mult.: 50
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Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
NXP Semiconductors MMRF2010GNR1
MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors
500:
S/2,206.70
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Min.: 500
Mult.: 500
Detalles
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
NXP Semiconductors MMRF2010NR1
MMRF2010NR1
NXP Semiconductors
500:
S/1,940.06
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MMRF2010NR1
NXP Semiconductors
Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Min.: 500
Mult.: 500
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
50:
S/3,719.01
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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Min.: 50
Mult.: 50
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
NXP Semiconductors MRFE6VP61K25GSR5
MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,688.10
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25GSR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
1
S/1,688.10
10
S/1,459.06
25
S/1,219.33
50
S/1,219.29
250
Ver
250
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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