Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1:
S/707.19
244 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
244 En existencias
1
S/707.19
10
S/595.71
25
S/567.76
50
S/550.98
100
Ver
250
S/452.04
100
S/452.07
250
S/452.04
500
Presupuesto
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
S/92.25
487 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
487 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/92.25
10
S/73.57
25
S/68.90
100
S/54.46
250
Ver
500
S/53.72
250
S/53.87
500
S/53.72
1,000
Presupuesto
Comprar
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
NXP Semiconductors
1:
S/14.44
1,038 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFM906NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
1,038 En existencias
1
S/14.44
10
S/10.86
25
S/9.96
100
S/8.99
250
Ver
1,000
S/7.12
250
S/8.91
500
S/8.60
1,000
S/7.12
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,518.85
41 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
41 En existencias
1
S/1,518.85
10
S/1,310.33
25
S/1,258.60
50
S/1,226.18
100
Ver
100
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1:
S/89.96
584 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
584 En existencias
1
S/89.96
10
S/71.70
25
S/67.15
100
S/62.16
250
Ver
1,000
S/56.95
250
S/59.75
500
S/58.31
1,000
S/56.95
4,000
Presupuesto
Comprar
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,297.64
5 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80GNR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
5 En existencias
1
S/1,297.64
10
S/1,118.43
25
S/1,073.71
50
S/1,046.73
100
Ver
100
Presupuesto
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Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
1:
S/150.02
313 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
313 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/150.02
10
S/121.48
25
S/114.24
100
S/106.46
250
Ver
500
S/93.89
250
S/102.72
500
S/93.89
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101AN
NXP Semiconductors
1:
S/195.40
3,618 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
3,618 En existencias
1
S/195.40
10
S/159.79
25
S/140.91
100
S/134.72
250
Ver
250
S/131.02
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
NXP Semiconductors
1:
S/387.77
370 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF300AN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
370 En existencias
1
S/387.77
10
S/323.04
30
S/304.16
120
S/287.23
510
Ver
510
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,782.80
65 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
65 En existencias
1
S/1,782.80
10
S/1,545.05
25
S/1,485.73
50
S/1,450.00
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1:
S/16.62
8,571 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
8,571 En existencias
1
S/16.62
10
S/12.53
25
S/11.52
100
S/10.39
250
Ver
1,000
S/8.87
250
S/9.85
500
S/9.54
1,000
S/8.87
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
S/45.00
5,633 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
5,633 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/45.00
10
S/34.84
25
S/32.31
100
S/29.51
250
Ver
1,000
S/26.66
250
S/28.18
500
S/27.36
1,000
S/26.66
4,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,739.40
46 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
46 En existencias
1
S/1,739.40
10
S/1,506.55
25
S/1,448.44
50
S/1,413.37
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1:
S/415.84
535 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
535 En existencias
1
S/415.84
10
S/347.09
25
S/329.93
100
S/311.13
250
Ver
500
S/310.93
250
S/311.05
500
S/310.93
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1:
S/2,111.29
527 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
527 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,499.70
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
21 En existencias
1
S/1,499.70
10
S/1,294.33
25
S/1,243.11
50
S/1,129.68
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
S/190.97
175 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
175 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/190.97
10
S/155.89
25
S/147.14
100
S/137.52
250
Ver
500
S/130.17
250
S/135.65
500
S/130.17
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1:
S/142.12
457 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
457 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/142.12
10
S/114.79
25
S/107.94
100
S/100.47
250
Ver
500
S/94.67
250
S/96.88
500
S/94.67
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
S/2,877.92
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/2,877.92
10
S/2,525.88
25
S/2,511.79
50
S/2,387.19
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1:
S/1,348.48
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Embalaje alternativo
1
S/1,348.48
10
S/1,154.98
25
S/1,107.96
50
S/1,097.76
100
Ver
150
S/1,030.66
100
S/1,078.34
150
S/1,030.66
450
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,834.18
121 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
121 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/1,834.18
10
S/1,590.67
25
S/1,529.91
50
S/1,493.24
100
Ver
100
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
NXP Semiconductors
1:
S/172.32
253 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MRF101BN
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
253 En existencias
1
S/172.32
10
S/140.17
25
S/125.81
250
S/121.52
500
Ver
500
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
No
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
S/101.44
49 En existencias
500 Se espera el 16/02/2026
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
49 En existencias
500 Se espera el 16/02/2026
Embalaje alternativo
1
S/101.44
10
S/81.24
25
S/76.22
100
S/70.65
250
Ver
500
S/63.29
250
S/68.00
500
S/63.29
1,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1:
S/753.94
1 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
1 En existencias
1
S/753.94
10
S/639.50
20
S/610.97
50
S/604.19
100
S/579.55
200
Ver
200
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
MHT1803B
NXP Semiconductors
1:
S/172.90
368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 771-MHT1803B
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L
368 En existencias
1
S/172.90
10
S/140.67
25
S/131.96
100
S/125.42
240
Ver
240
S/124.48
480
Presupuesto
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Perú
