Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

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Resultados: 60

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N08S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
3,641Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N08S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N08S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

3,641Se espera el 10/09/2026

Cinta cortada

S/22.58

S/14.95

S/10.70

S/9.65

Envase tipo carrete

S/9.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

187 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N034ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.98
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N034ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N034

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/10.98

S/7.05

S/4.83

S/4.01

Ver

Envase tipo carrete

S/3.34

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC26N10S5L245ATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/1.42
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC26N10S5L245ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC26N10S5L245A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.42

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 14 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5

IAUC40N08S5L140ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC40N08S5L140ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC40N08S5L140A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 14 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/6.77

S/4.01

S/2.72

S/2.19

Ver

Envase tipo carrete

S/1.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

14 mOhms

20 V

2 V

14.3 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC50N08S5N102ATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/1.75
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC50N08S5N102ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC50N08S5N102A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Envase tipo carrete

S/1.75

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 7.5 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5

IAUC64N08S5L075ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.51
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUC64N08S5L075ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC64N08S5L075A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 7.5 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.20

S/2.69

Ver

Envase tipo carrete

S/2.05

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

7.5 mOhms

20 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN10S5N017GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.79
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN10S5N017GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN10S5N017GAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

Cinta cortada

S/17.79

S/12.46

S/10.70

S/10.39

S/10.32

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

100 V

290 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N011ATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.03
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N011ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS300N08S5N011

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/28.03

S/15.30

S/14.01

S/12.42

S/11.76

Envase tipo carrete

S/11.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 42 m max, Automotive MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS 5

IAUZ18N10S5L420ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.22
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ18N10S5L420ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ18N10S5L420A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 42 m max, Automotive MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS 5

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

Cinta cortada

S/5.22

S/2.44

S/2.16

S/1.69

Ver

Envase tipo carrete

S/1.26

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

18 A

42 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

5.4 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 10 m max, Automotive MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS 5

IAUZ40N08S5N100ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.73
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N08S5N100ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N08S5N1001

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 10 m max, Automotive MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS 5

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

Cinta cortada

S/6.73

S/4.28

S/2.86

S/2.25

S/1.89

Envase tipo carrete

S/1.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

18.6 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

18 A
20 A
24 A
28 A
30 A
40 A
42 A
50 A
61 A
64 A
70 A
90 A
100 A
150 A
165 A
170 A
180 A
200 A
210 A
220 A

1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms

5.4 nC
7.6 nC
8.1 nC
9.5 nC
11.6 nC
14.3 nC
15 nC
17 nC
18.6 nC
20 nC
22 nC
28 nC
30 nC
36 nC
56 nC
67 nC
76 nC
78 nC
81 nC
90 nC

30 W
38 W
45.5 W
56 W
60 W
68 W
75 W
83 W
88 W
115 W
125 W
166 W
167 W
179 W
197 W
200 W
211 W
221 W
230 W
238 W