Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

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Resultados: 60

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.37
1,775En existencias
8,000Se espera el 5/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N015ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

1,775En existencias

8,000Se espera el 5/11/2026

Cinta cortada

S/24.37

S/16.31

S/11.76

S/11.37

S/10.98

Envase tipo carrete

S/10.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N10S5L240ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
16,036En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ30N10S5L240ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ30N10S5L240A

Infineon Technologies

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16,036En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.62

S/2.40

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

45.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ40N10S5L120ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
9,765En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N10S5L120ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N10S5L120A

Infineon Technologies

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9,765En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.06

S/2.42

Envase tipo carrete

S/1.95

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ40N10S5N130ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
7,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ40N10S5N130ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ40N10S5N130A

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.06

S/2.42

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS260N10S5N019TATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.99
3,459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS260N10S5N019TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US260N10S5N019T1

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/24.99

S/16.74

S/12.07

S/11.13

S/10.39

Envase tipo carrete

S/10.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

250 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N012TATMA1
Infineon Technologies
1: S/27.99
2,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N012TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N012T1

Infineon Technologies

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2,158En existencias

Cinta cortada

S/27.99

S/18.88

S/13.70

S/12.96

S/12.11

Envase tipo carrete

S/12.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16-2

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N014TATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.81
1,547En existencias
1,800Se espera el 19/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N014TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1

Infineon Technologies

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1,547En existencias

1,800Se espera el 19/08/2026

Cinta cortada

S/25.81

S/17.36

S/12.53

S/11.64

S/10.90

Envase tipo carrete

S/10.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

300 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

144 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA180N08S5N026AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.87
821En existencias
4,000Se espera el 19/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N08S5N026AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA180N08S5N026

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/14.87

S/9.73

S/6.81

S/5.57

Envase tipo carrete

S/5.37

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA220N08S5N021AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.85
568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA220N08S5N021AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA220N08S5N021

Infineon Technologies

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568En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/11.05

S/8.10

S/6.85

S/6.42

Envase tipo carrete

S/5.99

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA250N08S5N018AUMA1
Infineon Technologies
1: S/17.91
524En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N08S5N018AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N08S5N018

Infineon Technologies

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524En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/17.91

S/11.83

S/8.37

S/7.16

S/7.12

Envase tipo carrete

S/6.66

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

250 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N043ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.54
198En existencias
10,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N043ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N043

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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198En existencias

10,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/9.54

S/6.11

S/4.16

S/3.32

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC24N10S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.76
91En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC24N10S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC24N10S5L300A

Infineon Technologies

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91En existencias

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Cinta cortada

S/5.76

S/3.57

S/2.36

S/1.85

Ver

Envase tipo carrete

S/1.28

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

24 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

7.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC60N10S5L110ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.95
930En existencias
5,000Se espera el 21/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N10S5L110ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N10S5L110A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

930En existencias

5,000Se espera el 21/01/2027

Cinta cortada

S/8.95

S/5.64

S/3.70

S/2.93

Ver

Envase tipo carrete

S/2.21

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC70N08S5N074ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
274En existencias
15,000Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC70N08S5N074ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC70N08S5N074A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

274En existencias

15,000Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/7.94

S/5.02

S/3.33

S/2.64

Ver

Envase tipo carrete

S/2.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

70 A

10.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.21
18En existencias
4,000Se espera el 15/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N013GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N013GAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

18En existencias

4,000Se espera el 15/10/2026

Cinta cortada

S/24.21

S/16.00

S/11.64

S/10.47

S/10.16

Envase tipo carrete

S/9.58

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

350 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS165N08S5N029ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.78
344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS165N08S5N029ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS165N08S5N029

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

344En existencias

Cinta cortada

S/16.78

S/11.05

S/7.79

S/6.54

S/6.11

Envase tipo carrete

S/6.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

165 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/18.72
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

778En existencias

Cinta cortada

S/18.72

S/12.38

S/8.76

S/8.17

S/7.08

Envase tipo carrete

S/7.08

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ20N08S5L300ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.14
4,619En existencias
5,000Se espera el 7/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ20N08S5L300ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

4,619En existencias

5,000Se espera el 7/09/2026

Cinta cortada

S/5.14

S/3.23

S/2.13

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.23

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

20 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUZ30N08S5N186ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.53
2,395En existencias
5,000Se espera el 15/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUZ30N08S5N186ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ30N08S5N186A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

2,395En existencias

5,000Se espera el 15/03/2027

Cinta cortada

S/5.53

S/3.49

S/2.31

S/1.80

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N10S5N015TATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.10
46En existencias
9,000Se espera el 22/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N015TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N10S5N015T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

46En existencias

9,000Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

S/28.10

S/18.02

S/17.24

S/16.70

S/16.35

Envase tipo carrete

S/12.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N031ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.21
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N031ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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25,000En pedido

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S/11.21

S/7.24

S/4.98

S/4.01

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Envase tipo carrete

S/3.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5N040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.55
45,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5N040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5N040

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Cinta cortada

S/13.55

S/8.80

S/6.07

S/5.06

S/4.71

Envase tipo carrete

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC28N08S5L230ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.84
10,000Se espera el 3/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUC28N08S5L230ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC28N08S5L230A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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10,000Se espera el 3/06/2027

Cinta cortada

S/5.84

S/3.38

S/2.31

S/1.86

Ver

Envase tipo carrete

S/1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

28 A

23 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

11.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 9.6 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5

IAUC50N08S5L096ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
5,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC50N08S5L096ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC50N08S5L096A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 9.6 m max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 5

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5,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/6.85

S/4.36

S/2.90

S/2.28

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8-33

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

9.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT260N10S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.24
3,818Se espera el 22/07/2027

N.º de artículo del Fabricante
IAUT260N10S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT260N10S5N01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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3,818Se espera el 22/07/2027

Cinta cortada

S/20.24

S/13.74

S/10.32

S/9.23

S/8.68

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

260 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

18 A
20 A
24 A
28 A
30 A
40 A
42 A
50 A
61 A
70 A
90 A
100 A
150 A
165 A
170 A
180 A
200 A
210 A
220 A
240 A

1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms

5.4 nC
7.6 nC
8.1 nC
9.5 nC
11.6 nC
15 nC
17 nC
20 nC
22 nC
30 nC
36 nC
56 nC
67 nC
76 nC
78 nC
81 nC
90 nC
91 nC
96 nC
110 nC

30 W
38 W
45.5 W
60 W
68 W
83 W
88 W
115 W
125 W
166 W
167 W
179 W
197 W
200 W
211 W
221 W
230 W
238 W
300 W
307 W