Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V Automotive MOSFETs are designed for high-performance applications and feature an extended qualification that goes beyond AEC-Q101 standards. The N-channel enhancement mode device combines a robust design with advanced technology, integrating Linear FET (LINFET) and low RDS(on) FET (ONFET) characteristics into a single package. This dual-gate configuration provides dedicated gate pins for each MOSFET, enhancing flexibility and control in circuit design. The Linear FET boasts an improved Safe Operating Area (SOA) and superior paralleling capabilities, ensuring reliable linear operation under varying conditions. The Infineon Technologies OptiMOS™ 5 75V to 100V MOSFETs operate within a wide -55°C to +175°C temperature range and are available in a PG-HSOF-8-2 package.

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Resultados: 60

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS260N10S5N019TATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.87
6,386En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS260N10S5N019TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US260N10S5N019T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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6,386En existencias

Cinta cortada

S/24.87

S/15.80

S/12.03

S/11.09

S/10.32

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

250 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

128 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA180N10S5N029AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.61
1,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N10S5N029AUMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

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1,546En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.28

S/7.24

S/6.50

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
1: S/14.56
6,839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT150N10S5N035ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT150N10S5N035

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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6,839En existencias

Cinta cortada

S/14.56

S/9.03

S/7.05

S/6.15

S/5.96

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.39
6,045En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUT200N08S5N023ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT200N08S5N023

Infineon Technologies

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6,045En existencias

Cinta cortada

S/16.39

S/10.12

S/7.75

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

80 V

200 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

IAUCN10S5L110TATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.74
4,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S5L110TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S5L110TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V, N-Ch, 11.3 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 5

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Cinta cortada

S/10.74

S/6.85

S/4.75

S/4.01

S/3.57

Envase tipo carrete

S/3.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

100 V

61 A

11.3 mOhms

20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

88 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA220N08S5N021AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.31
2,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA220N08S5N021AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA220N08S5N021

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/16.31

S/10.67

S/8.14

S/6.93

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

220 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

211 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.79
3,879En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS240N08S5N019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUS240N08S5N019

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/20.79

S/13.58

S/9.81

S/8.41

S/7.82

Envase tipo carrete

S/7.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

240 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IAUMN08S5N012GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.91
2,840En existencias
Nuevo producto

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IAUMN08S5N012GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N012GAU

Nuevo producto

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Cinta cortada

S/24.91

S/16.35

S/12.03

S/10.70

S/10.32

Envase tipo carrete

S/9.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

370 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

149 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN08S5N013GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/22.23
3,445En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN08S5N013GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN08S5N013GAU

Nuevo producto

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Cinta cortada

S/22.23

S/14.83

S/10.63

S/9.54

S/9.19

Envase tipo carrete

S/8.91

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

80 V

350 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

307 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUMN10S5N016GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.37
98En existencias
4,000Se espera el 18/05/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN10S5N016GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN10S5N016GAU

Nuevo producto

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4,000Se espera el 18/05/2026

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S/24.37

S/16.08

S/11.72

S/10.51

S/9.85

Envase tipo carrete

S/9.54

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

100 V

310 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

142 nC

- 55 C

+ 175 C

325 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN10S5L094DATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.65
5,314En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S5L094DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S5L094DAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/12.65

S/8.21

S/5.68

S/4.52

S/4.24

Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN10S5L280DATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.91
4,075En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S5L280DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S5L280DAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/8.91

S/5.72

S/3.86

S/3.08

Ver

Envase tipo carrete

S/2.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUTN08S5N012LATMA1
Infineon Technologies
1: S/24.72
2,353En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN08S5N012LATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN08S5N012LAT

Infineon Technologies

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2,353En existencias

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S/24.72

S/16.93

S/12.22

S/11.64

S/11.29

Envase tipo carrete

S/10.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

PG-HSOF-8-2

N-Channel

2 Channel

80 V

410 A

1.15 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N08S5N011TATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.89
7,150En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N08S5N011TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AUS300N08S5N011T

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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7,150En existencias

Cinta cortada

S/29.89

S/20.20

S/14.71

Envase tipo carrete

S/13.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HSOG-8

N-Channel

1 Channel

80 V

410 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5L040ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.31
21,655En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5L040

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

21,655En existencias

Cinta cortada

S/13.31

S/8.60

S/6.03

S/4.87

Ver

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4 Ohms

- 20 V, 20 V

1.2 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUT300N10S5N014ATMA1
Infineon Technologies
1: S/25.42
16,758En existencias
20,000Se espera el 1/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUT300N10S5N014ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N014

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

16,758En existencias

20,000Se espera el 1/07/2026

Cinta cortada

S/25.42

S/17.05

S/12.30

S/11.41

S/10.98

Envase tipo carrete

S/10.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUS300N10S5N015TATMA1
Infineon Technologies
1: S/28.84
7,233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUS300N10S5N015TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-US300N10S5N015T1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

7,233En existencias

Cinta cortada

S/28.84

S/18.22

S/13.43

S/13.00

S/12.77

Envase tipo carrete

S/12.14

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA170N10S5N031AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.10
3,875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA170N10S5N031AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA170N10S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

3,875En existencias

Cinta cortada

S/15.10

S/9.93

S/7.67

S/6.42

S/5.96

Envase tipo carrete

S/5.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA180N08S5N026AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.91
1,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA180N08S5N026AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA180N08S5N026

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

1,491En existencias

Cinta cortada

S/14.91

S/9.77

S/6.85

S/5.80

S/5.61

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA210N10S5N024AUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.46
1,430En existencias
2,000Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUA210N10S5N024AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA210N10S5N024

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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Hoja de datos

1,430En existencias

2,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/19.46

S/12.88

S/9.15

S/7.98

Envase tipo carrete

S/7.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUA250N08S5N018AUMA1
Infineon Technologies
1: S/18.57
1,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUA250N08S5N018AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUA250N08S5N018

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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1,023En existencias

Cinta cortada

S/18.57

S/12.30

S/8.68

S/7.51

Envase tipo carrete

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

250 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

238 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N031ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.60
9,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N031ATMA1

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726-IAUC100N08S5N031

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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9,190En existencias

Cinta cortada

S/11.60

S/7.43

S/5.06

S/4.24

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N08S5N043ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.85
11,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N08S5N043ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N043

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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11,605En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.34

S/4.32

S/3.45

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Envase tipo carrete

S/2.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC100N10S5L054ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.12
2,092En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC100N10S5L054ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N10S5L054

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/10.12

S/6.54

S/4.48

S/3.57

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S/3.06

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC60N10S5L110ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.20
4,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC60N10S5L110ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N10S5L110A

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Cinta cortada

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S/4.59

S/3.08

S/2.43

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S/1.98

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

Reel, Cut Tape

OptiMOS™ 5 75V-100V Automotive MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

18 A
20 A
24 A
28 A
30 A
40 A
42 A
61 A
70 A
90 A
100 A
150 A
165 A
170 A
180 A
200 A
210 A
220 A
240 A
250 A

1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.6 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
3.7 mOhms
4.4 mOhms

5.4 nC
7.6 nC
8.1 nC
9.5 nC
11.6 nC
15 nC
17 nC
20 nC
30 nC
36 nC
56 nC
67 nC
76 nC
78 nC
81 nC
90 nC
91 nC
96 nC
110 nC
128 nC

30 W
38 W
45.5 W
60 W
68 W
83 W
88 W
115 W
125 W
166 W
167 W
179 W
197 W
200 W
211 W
221 W
230 W
238 W
300 W
307 W