Transistores – Mouser Perú

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CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an R_DS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
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AIMW120R060M1HXKSA1

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S/119.19

S/79.21

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SiC

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TO-247-3

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMW120R045M1XKSA1
Infineon Technologies
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AIMW120R045M1XKSA1

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S/81.59

S/63.21

S/62.67

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMCQ120R020M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/80.38
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AIMCQ120R020M1TXTMA1

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726-AIMCQ120R020M1TX

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S/80.38

S/57.45

S/51.46

S/50.45

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S/48.03

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMCQ120R030M1TXTMA1
Infineon Technologies
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2,453En existencias
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AIMCQ120R030M1TXTMA1

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726-AIMCQ120R030M1TX

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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S/62.32

S/43.91

S/37.10

S/34.64

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S/34.64

MouseReel Disponible

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SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

N-Channel

MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V

AIMCQ120R040M1TXTMA1
Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V

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S/28.18

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S/28.18

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

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MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture

AIMCQ120R060M1TXTMA1
Infineon Technologies
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AIMCQ120R060M1TXTMA1

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MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture

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S/42.31

S/28.65

S/22.54

S/22.11

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S/21.06

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMCQ120R120M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.58
494En existencias
750Se espera el 9/07/2026
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AIMCQ120R120M1TXTMA1

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750Se espera el 9/07/2026

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S/29.58

S/20.01

S/14.56

S/13.04

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S/13.04

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMCQ120R160M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.99
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AIMCQ120R160M1TXTMA1

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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S/24.99

S/16.78

S/12.07

S/10.43

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S/10.43

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R010M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/130.63
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AIMZH120R010M1TXKSA1

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726-AIMZH120R010M1TX

Infineon Technologies

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S/89.92

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture

AIMCQ120R080M1TXTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.46
168En existencias
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AIMCQ120R080M1TXTMA1

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture

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S/35.46

S/23.47

S/18.33

S/17.13

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S/17.13

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R030M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/54.14
673En existencias

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AIMBG120R030M1XTMA1

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726-AIMBG120R030M1X1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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S/39.35

S/36.51

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S/34.06

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MOSFETs

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMBG120R040M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/52.78
845En existencias

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AIMBG120R040M1XTMA1

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726-AIMBG120R040M1X1

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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S/37.02

S/29.74

S/29.70

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S/27.71

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R060M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.28
899En existencias

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AIMBG120R060M1XTMA1

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726-AIMBG120R060M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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S/27.05

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MOSFETs

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMBG120R080M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/34.76
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AIMBG120R080M1XTMA1

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S/34.76

S/23.04

S/18.26

S/18.06

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S/16.85

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SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R040M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/53.25
480En existencias

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AIMZH120R040M1TXKSA1

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726-AIMZH120R040M1TX

Infineon Technologies

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480En existencias

S/53.25

S/43.32

S/36.12

S/32.19

S/30.05

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SiC

Through Hole

TO-247-4

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MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZHN120R020M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/104.86
172En existencias

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AIMZHN120R020M1TXKSA1

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726-AIMZHN120R020M1T

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S/104.86

S/74.66

S/68.55

S/66.48

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SiC MOSFETS

SiC

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TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZHN120R040M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/55.39
874En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMZHN120R040M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZHN120R040M1T

Infineon Technologies

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874En existencias

S/55.39

S/33.63

S/30.09

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R020M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/85.95
198Se espera el 26/05/2026

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AIMZH120R020M1TXKSA1

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726-AIMZH120R020M1TX

Infineon Technologies

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198Se espera el 26/05/2026

S/85.95

S/63.33

S/55.62

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R030M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/64.97
147En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R030M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R030M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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147En existencias

S/64.97

S/39.98

S/36.98

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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R060M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.30
131En existencias
240En pedido

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R060M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R060M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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131En existencias

240En pedido

S/44.30

S/26.39

S/22.50

Min.: 1
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SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R120M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.79
234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R120M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R120M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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234En existencias

S/30.79

S/17.79

S/14.95

S/13.94

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

AIMZH120R160M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.60
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
AIMZH120R160M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZH120R160M1TX

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

1En existencias

S/27.60

S/16.93

S/12.57

S/12.53

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 80mohm

AIMZHN120R080M1TXKSA1
Infineon Technologies
1: S/39.90
5En existencias
240Se espera el 11/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
AIMZHN120R080M1TXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMZHN120R080M1T

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L, 80mohm

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Hoja de datos

5En existencias

240Se espera el 11/06/2026

S/39.90

S/25.46

S/20.40

S/18.88

Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS

SiC

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R020M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/80.34
1,994Se espera el 4/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
AIMBG120R020M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R020M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

1,994Se espera el 4/03/2027

Cinta cortada

S/80.34

S/58.12

S/52.24

S/50.64

Envase tipo carrete

S/47.29

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

AIMBG120R160M1XTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.28
2,000Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
AIMBG120R160M1XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-AIMBG120R160M1X1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SIC_DISCRETE

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Hoja de datos

2,000Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

S/30.28

S/20.09

S/15.92

S/15.57

Envase tipo carrete

S/14.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

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