Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 176

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

STD1NK60T4
STMicroelectronics
1: S/4.90
8,292En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD1NK60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0Amp Zener SuperMESH

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8,292En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.44

S/2.57

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1 A

8.5 Ohms

- 30 V, 30 V

2.25 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

STD3N62K3
STMicroelectronics
1: S/6.03
8,530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet

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8,530En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.83

S/2.55

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

620 V

2.7 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

STD7N52K3
STMicroelectronics
1: S/8.14
4,865En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD7N52K3

N.º de artículo de Mouser
511-STD7N52K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK

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4,865En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/5.18

S/3.61

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.32

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

525 V

6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STF20N95K5
STMicroelectronics
1: S/22.34
1,658En existencias
1,000Se espera el 27/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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1,658En existencias

1,000Se espera el 27/07/2026

S/22.34

S/13.51

S/12.38

S/11.64

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

17.5 A

330 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STF21N90K5
STMicroelectronics
1: S/29.93
1,728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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1,728En existencias

S/29.93

S/15.88

S/14.91

S/12.85

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

STF3NK100Z
STMicroelectronics
1: S/18.14
1,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3NK100Z

N.º de artículo de Mouser
511-STF3NK100Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH

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1,813En existencias

S/18.14

S/9.77

S/8.87

S/7.36

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

2.5 A

6 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STP10NK60Z
STMicroelectronics
1: S/16.62
3,141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK60Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

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3,141En existencias

S/16.62

S/8.68

S/7.86

S/7.05

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

115 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP10NK80Z
STMicroelectronics
1: S/20.59
2,195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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2,195En existencias

S/20.59

S/10.78

S/9.81

S/8.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

9 A

900 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

72 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

STP8NK80Z
STMicroelectronics
1: S/10.98
1,571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP8NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

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1,571En existencias

S/10.98

S/7.24

S/6.70

S/6.31

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6.2 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

STS1DNC45
STMicroelectronics
1: S/10.28
4,686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS1DNC45

N.º de artículo de Mouser
511-STS1DNC45

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A

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4,686En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.77

S/4.63

S/3.75

Envase tipo carrete

S/3.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

450 V

400 mA

4.1 Ohms

- 30 V, 30 V

2.3 V

10 nC

- 65 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

STB11NK50ZT4
STMicroelectronics
1: S/16.35
1,426En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB11NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB11NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,426En existencias

Cinta cortada

S/16.35

S/10.78

S/7.59

S/7.05

Envase tipo carrete

S/5.84

S/5.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

10 A

480 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

49 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

STD4NK80Z-1
STMicroelectronics
1: S/10.43
3,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4NK80Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK80Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A

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Hoja de datos

3,438En existencias

S/10.43

S/4.83

S/4.36

S/3.85

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

3.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

80 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

STP10NK70ZFP
STMicroelectronics
1: S/19.97
1,586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10NK70ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP10NK70ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A

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Hoja de datos

1,586En existencias

S/19.97

S/10.43

S/9.50

S/7.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.6 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3.75 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

STP3NK80Z
STMicroelectronics
1: S/9.85
1,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP3NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,947En existencias

S/9.85

S/4.83

S/4.36

S/3.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

2.5 A

4.5 Ohms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH

STB14NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/20.47
719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB14NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB14NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH

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Hoja de datos

719En existencias

Cinta cortada

S/20.47

S/13.66

S/9.77

Envase tipo carrete

S/7.63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

13.5 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

STB6NK60ZT4
STMicroelectronics
1: S/13.00
1,283En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB6NK60ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB6NK60Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,283En existencias

Cinta cortada

S/13.00

S/8.49

S/5.92

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.36

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4.5 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

STD2NK90ZT4
STMicroelectronics
1: S/9.07
5,527En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NK90ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

5,527En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/6.42

S/4.40

S/3.60

Envase tipo carrete

S/3.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

900 V

2.1 A

6.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

19.5 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
1: S/10.32
2,947En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2NK90Z-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 900V-5ohms Zener SuperMESH 2.1A

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Hoja de datos

2,947En existencias

S/10.32

S/4.83

S/4.16

S/3.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

900 V

2.1 A

6.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A

STP14NK60ZFP
STMicroelectronics
1: S/19.23
761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP14NK60ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP14NK60ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A

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Hoja de datos

761En existencias

S/19.23

S/8.95

S/7.79

S/7.67

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.5 A

500 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STP21N90K5
STMicroelectronics
1: S/28.10
1,395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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Hoja de datos

1,395En existencias

S/28.10

S/15.45

S/14.17

S/11.99

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

18.5 A

299 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A

STQ1NK80ZR-AP
STMicroelectronics
1: S/4.94
5,207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STQ1NK80ZR-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ1NK80ZR-AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 800V 13 Ohm 1A

Obtenga más información

Hoja de datos

5,207En existencias

S/4.94

S/3.09

S/2.04

S/1.59

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

800 V

300 mA

16 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

7.7 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

STD3NK50ZT4
STMicroelectronics
1: S/7.08
7,145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD3NK50ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

7,145En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.03

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.88

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

2.3 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH

STP20NK50Z
STMicroelectronics
1: S/19.31
4,508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NK50Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NK50Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

4,508En existencias

S/19.31

S/11.79

S/9.11

S/8.95

S/8.56

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

500 V

17 A

270 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

85 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH

STP7NK80Z
STMicroelectronics
1: S/14.87
1,942En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7NK80Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH

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1,942En existencias

S/14.87

S/6.77

S/6.31

S/5.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

5.2 A

1.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

STB12NK80ZT4
STMicroelectronics
1: S/22.62
1,035En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB12NK80ZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STB12NK80Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH

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1,035En existencias

Cinta cortada

S/22.62

S/15.22

S/10.98

S/10.78

Envase tipo carrete

S/8.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10.5 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

87 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

SuperMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

250 mA
300 mA
400 mA
600 mA
1 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.7 A
3 A
3.5 A
3.8 A
4 A
4.2 A

45 mOhms
250 mOhms
270 mOhms
299 mOhms
330 mOhms
340 mOhms
380 mOhms
400 mOhms
480 mOhms
500 mOhms
520 mOhms
550 mOhms
680 mOhms
700 mOhms
750 mOhms
850 mOhms
880 mOhms
900 mOhms
950 mOhms
980 mOhms

4.9 nC
6 nC
6.9 nC
7 nC
7.7 nC
9.5 nC
10 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
13 nC
14 nC
15 nC
16 nC
16.9 nC
17 nC
18 nC
19 nC
19.5 nC
20 nC

2 W
2.5 W
3 W
3.3 W
20 W
25 W
27 W
30 W
35 W
40 W
45 W
70 W
80 W
90 W
110 W
115 W
125 W
140 W
150 W
156 W