Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower R_DS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD30N15S-AU_L2_006A1
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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

150 V

26 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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S/3.63

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

150 V

40 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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S/2.02

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

150 V

18 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ5592-AU_R2_002A1
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S/3.78

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

42 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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PJQ5594-AU_R2_002A1
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SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

25 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

79 W

Enhancement

AEC-Q101

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Mult.: 1

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SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

60 V

38 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

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PJQ5568A-AU_R2_002A1
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SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

40 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

43 W

Enhancement

AEC-Q101

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SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

60 V

168 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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PJD50N10SA-AU_L2_006A1
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SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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PJD50N15S-AU_L2_006A1
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TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

150 V

65 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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PJD60N06SA-AU_L2_006A1
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SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

60 V

66 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

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PJD65N10SA-AU_L2_006A1
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N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

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AEC-Q101

Reel

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TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

100 V

88 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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S/2.48

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TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

60 V

94 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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PJQ4564AP-AU_R2_002A1
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S/1.68

S/1.66

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SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

54 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4568AP-AU_R2_002A1
Panjit
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S/1.23

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SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4574AP-AU_R2_002A1
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S/2.19

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SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

11.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4576AP-AU_R2_002A1
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SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5560A-AU_R2_002A1
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PJQ5560A-AU_R2_002A1

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DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

190 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5562A-AU_R2_002A1
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1 Channel

60 V

89 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5564A-AU_R2_002A1
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N-Channel

1 Channel

60 V

59 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

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N-Channel

1 Channel

100 V

56 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

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1 Channel

100 V

40 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

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59 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

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