Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs are a family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs. The PANJIT 60/100/150V MOSFETs are designed with advanced trench technology for superior performance and efficiency. Ideal for automotive and industrial power systems, these MOSFETs offer an exceptional figure of merit (FOM), significantly lower R_DS(ON), and reduced capacitance. These features minimize conduction and switching losses for improved electrical performance. Available in compact packages like DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, and TO-220AB-L, these MOSFETs enable efficient design solutions for modern electronics.

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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S/12.26

S/7.98

S/5.49

S/4.44

S/4.28

Envase tipo carrete

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4594P-AU_R2_002A1
Panjit
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S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.74

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Envase tipo carrete

S/2.22

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Reel, Cut Tape

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S/8.21

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S/5.68

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S/8.45

S/5.41

S/3.65

S/2.90

S/2.66

Envase tipo carrete

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N-Channel

1 Channel

150 V

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49 mOhms

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S/4.01

S/2.65

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Envase tipo carrete

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S/4.28

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S/2.25

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S/1.80

Ver

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40 A

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Reel

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Enhancement

AEC-Q101

Reel

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66 A

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Enhancement

AEC-Q101

Reel

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Panjit
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PJD65N10SA-AU_L2_006A1

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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

100 V

59 A

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- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

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+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD70N10SA-AU_L2_006A1
Panjit
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PJD70N10SA-AU_L2_006A1

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S/3.97

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Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

100 V

88 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD80N06SA-AU_L2_006A1
Panjit
3,000: S/2.70
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PJD80N06SA-AU_L2_006A1

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241-PJD80N06SAAUL26A

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S/2.70

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: 3,000

SMD/SMT

TO-252AA-2

N-Channel

1 Channel

60 V

94 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4564AP-AU_R2_002A1
Panjit
5,000: S/1.83
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N.º de artículo del Fabricante
PJQ4564AP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4564APAUR22A1

Panjit

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S/1.83

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Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

54 A

8.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4568AP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/5.61
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4568AP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4568APAUR22A1

Panjit

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Cinta cortada

S/5.61

S/3.53

S/2.34

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4574AP-AU_R2_002A1
Panjit
5,000: S/2.38
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4574AP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4574APAUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Envase tipo carrete

S/2.38

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

100 V

52 A

11.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ4576AP-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/6.97
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ4576AP-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ4576APAUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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S/6.97

S/4.44

S/2.96

S/2.33

S/1.96

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S/1.83

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

DFN-3333-8

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5560A-AU_R2_002A1
Panjit
3,000: S/4.75
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5560A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5560AAUR22A1

Panjit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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S/4.75

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

190 A

2.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5562A-AU_R2_002A1
Panjit
3,000: S/2.70
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PJQ5562A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5562AAUR22A1

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S/2.70

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Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

89 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5564A-AU_R2_002A1
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3,000: S/2.22
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5564A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5564AAUR22A1

Panjit

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S/2.22

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: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

59 A

7.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5572A-AU_R2_002A1
Panjit
3,000: S/3.57
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5572A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5572AAUR22A1

Panjit

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Envase tipo carrete

S/3.57

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

75 A

7.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5574A-AU_R2_002A1
Panjit
3,000: S/2.78
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5574A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5574AAUR22A1

Panjit

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Envase tipo carrete

S/2.78

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

56 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5576A-AU_R2_002A1
Panjit
1: S/8.06
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5576A-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5576AAUR22A1

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Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.46

S/2.74

S/2.51

Envase tipo carrete

S/2.22

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5590-AU_R2_002A1
Panjit
3,000: S/4.90
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
PJQ5590-AU_R2_002A1

N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5590AUR2002A1

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Envase tipo carrete

S/4.90

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

DFN-5060-8

N-Channel

1 Channel

150 V

59 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

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