Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFETs are a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The CoolMOS™ PFD7 is an optimized platform tailored to target cost-sensitive applications in consumer markets, such as chargers, adapters, motor drives, lighting, etc. The series provides all the benefits of a fast-switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state-of-the-art ease-of-use level. The technology meets the highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers to go towards slim designs.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R600PFD7ATMA1
Infineon Technologies
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IPLK60R600PFD7ATMA1

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726-IPLK60R600PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.68

S/5.41

S/3.58

S/2.84

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S/2.22

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SMD/SMT

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1 Channel

650 V

7 A

600 mOhms

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45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/10.00
3,184En existencias

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IPD60R210PFD7SAUMA1

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726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/10.00

S/6.42

S/4.40

S/3.70

Envase tipo carrete

S/3.09

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

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600 V

16 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.47
3En existencias

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IPLK60R1K0PFD7ATMA1

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726-IPLK60R1K0PFD7AT

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S/7.47

S/4.67

S/3.09

S/2.45

Envase tipo carrete

S/1.92

Ver

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1 Channel

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+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.46
3,755En existencias

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S/9.46

S/4.83

S/4.01

S/3.15

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600 V

12 A

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24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.99
1,254En existencias
1,000Se espera el 5/11/2026

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IPAN60R125PFD7SXKSA1

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S/14.99

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Ver

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Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.79
8,862En existencias

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S/4.79

S/2.95

S/1.94

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Envase tipo carrete

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Ver

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1 Channel

650 V

5.2 A

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31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600PFD7SATMA1
Infineon Technologies
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18,192En existencias
12,000Se espera el 15/07/2026

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IPN60R600PFD7SATMA1

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726-IPN60R600PFD7SAT

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S/6.50

S/4.01

S/2.64

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.55

Ver

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650 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
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996En existencias
2,500Se espera el 8/10/2026
NRND

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IPD60R1K0PFD7SAUMA1

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NRND

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S/5.99

S/3.69

S/2.44

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IPAN60R210PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPAN60R210PFD7SXKSA1

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600 V

16 A

386 mOhms

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25 W

Enhancement

Tube

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IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
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IPD60R1K5PFD7SAUMA1

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726-IPD60R1K5PFD7SAU

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S/4.90

S/3.02

S/2.38

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Ver

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Min.: 1
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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.11
131En existencias

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IPD60R280PFD7SAUMA1

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726-IPD60R280PFD7SAU

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S/9.11

S/5.80

S/3.89

S/3.17

Envase tipo carrete

S/2.65

Ver

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1 Channel

600 V

12 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.90
206En existencias
5,000En pedido

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IPD60R360PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360PFD7SAU

Infineon Technologies

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S/7.90

S/4.98

S/3.27

S/2.59

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.97

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Min.: 1
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: 2,500

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

600 V

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- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

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+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.50
3,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600PFD7SAU

Infineon Technologies

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S/6.50

S/4.01

S/2.64

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.67
1,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5PFD7SAT

Infineon Technologies

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1,330En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.90

S/1.90

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.94
3,050En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,050En existencias

Cinta cortada

S/4.94

S/3.08

S/2.01

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.32
120En existencias
6,000Se espera el 15/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

120En existencias

6,000Se espera el 15/07/2026

Cinta cortada

S/7.32

S/4.59

S/3.02

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R360PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.15
10,000Se espera el 30/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R360PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R360PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

10,000Se espera el 30/07/2026

Cinta cortada

S/9.15

S/5.80

S/3.93

S/3.17

Ver

Envase tipo carrete

S/2.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
1,490Se espera el 3/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,490Se espera el 3/12/2026

S/8.21

S/5.14

S/3.38

S/2.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

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