Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 18

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/9.85
3,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,184En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/5.99

S/4.32

S/3.44

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R600PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
4,755En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R600PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R600PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4,755En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/4.98

S/3.27

S/2.59

Envase tipo carrete

S/2.02

Ver

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

Thin-PAK-5

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1 Channel

650 V

7 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8.5 nC

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+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.85
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R1K0PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R1K0PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.28

S/2.82

S/2.24

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.98
3,758En existencias
1,500Se espera el 31/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,758En existencias

1,500Se espera el 31/12/2026

S/7.98

S/3.84

S/3.44

S/2.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

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+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.20
1,778En existencias
1,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R125PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,000Se espera el 3/09/2026

S/13.20

S/6.73

S/6.07

S/4.90

S/4.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

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600 V

25 A

235 mOhms

- 20 V, 20 V

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- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.59
9,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT

Infineon Technologies

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9,001En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.69

S/1.88

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.98
1,896En existencias
2,500Se espera el 13/08/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0PFD7SAU

NRND

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/4.98

S/3.09

S/2.06

S/1.60

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.01
1,317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA

Infineon Technologies

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S/7.01

S/3.33

S/2.97

S/2.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R210PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.70
710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R210PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R210PFD7SX

Infineon Technologies

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710En existencias

S/10.70

S/5.25

S/4.75

S/3.78

S/3.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
1,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/4.52

S/2.83

S/1.99

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.9 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
131En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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131En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.54

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

549 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15.3 nC

- 40 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.81
2,006En existencias
2,500Se espera el 17/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,006En existencias

2,500Se espera el 17/12/2026

Cinta cortada

S/6.81

S/4.36

S/2.89

S/2.28

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

715 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
1,468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,468En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.57

S/1.67

S/1.29

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.93
3,064En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K0PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R2K0PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,064En existencias

Cinta cortada

S/3.93

S/2.46

S/1.60

S/1.23

Envase tipo carrete

S/0.958

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.46
3,122En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,122En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.72

S/2.14

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.37
192En existencias
18,000Se espera el 15/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

192En existencias

18,000Se espera el 15/04/2027

Cinta cortada

S/5.37

S/3.34

S/2.18

S/1.68

Envase tipo carrete

S/1.32

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

8.5 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R360PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
10,000Se espera el 20/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R360PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R360PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

10,000Se espera el 20/08/2026

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.54

S/2.81

Ver

Envase tipo carrete

S/2.30

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.57
3,792Se espera el 12/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

3,792Se espera el 12/11/2026

Cinta cortada

S/5.57

S/3.50

S/2.32

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.51

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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