Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFETs are a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super-junction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The CoolMOS™ PFD7 is an optimized platform tailored to target cost-sensitive applications in consumer markets, such as chargers, adapters, motor drives, lighting, etc. The series provides all the benefits of a fast-switching Super junction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state-of-the-art ease-of-use level. The technology meets the highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers to go towards slim designs.

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.01
12,010En existencias

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IPN60R1K0PFD7SATMA1

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726-IPN60R1K0PFD7SAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/4.01

S/2.51

S/1.64

S/1.27

Envase tipo carrete

S/0.981

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R600PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.77
4,780En existencias

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IPLK60R600PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R600PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Cinta cortada

S/6.77

S/4.24

S/2.85

S/2.34

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Envase tipo carrete

S/1.58

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

Thin-PAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

8.5 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R1K0PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.11
14En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R1K0PFD7ATMA1

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726-IPLK60R1K0PFD7AT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/6.11

S/3.85

S/2.55

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

5.2 A

1 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

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+ 150 C

31.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R2K0PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.54
3,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R2K0PFD7SATMA1

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726-IPN60R2K0PFD7SAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/3.54

S/2.21

S/1.44

S/1.11

Envase tipo carrete

S/0.833

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

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- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.16
4,057En existencias
1,500Se espera el 9/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

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S/7.16

S/3.43

S/3.07

S/2.43

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

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+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R210PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.43
3,214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R210PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R210PFD7SAU

Infineon Technologies

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S/3.43

S/3.06

S/2.86

S/2.85

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

64 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R360PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.30
3,786En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R360PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360PFD7SAT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/2.30

S/1.99

S/1.68

Envase tipo carrete

S/1.37

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R210PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.14
710En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R210PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R210PFD7SX

NRND

Infineon Technologies

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710En existencias

S/8.14

S/4.48

S/4.13

S/3.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

386 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

23 nC

- 40 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Tube

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IPD60R1K0PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.70
1,896En existencias
2,500Se espera el 13/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0PFD7SAU

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S/3.70

S/2.71

S/1.83

S/1.41

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R360PFD7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.43
39En existencias
10,000Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R360PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R360PFD7AT

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.19

S/2.53

S/2.34

Envase tipo carrete

S/1.91

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

8 A

360 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.27
1,509En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA

Infineon Technologies

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1,509En existencias

S/6.27

S/1.78

S/1.74

S/1.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R125PFD7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.79
288En existencias
1,500Se espera el 5/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R125PFD7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R125PFD7SX

Infineon Technologies

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S/11.79

S/5.72

S/5.33

S/4.28

S/3.76

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

235 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

36 nC

- 40 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.13
2,080En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5PFD7SAU

Infineon Technologies

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Cinta cortada

S/4.13

S/2.57

S/1.72

S/1.33

Envase tipo carrete

S/1.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

TO-252-3-11

N-Channel

1 Channel

600 V

3.6 A

2.9 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/7.08
141En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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141En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.71

S/3.18

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

549 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

15.3 nC

- 40 C

+ 150 C

51 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R360PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.15
2,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R360PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

2,505En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.89

S/2.60

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

715 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12.7 nC

- 40 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R600PFD7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.90
1,358En existencias
2,500Se espera el 16/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600PFD7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600PFD7SAU

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,358En existencias

2,500Se espera el 16/02/2026

Cinta cortada

S/4.90

S/3.11

S/2.06

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

4.7 A

1.978 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

6 nC

- 40 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.66
1,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

1,498En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.29

S/1.49

S/1.16

Envase tipo carrete

S/0.884

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

3.6 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600PFD7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/2.26
368En existencias
3,000Se espera el 26/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R600PFD7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600PFD7SAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Hoja de datos

368En existencias

3,000Se espera el 26/03/2026

Cinta cortada

S/2.26

S/2.07

S/1.63

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.17

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

650 V

6 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

8.5 nC

- 40 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPLK60R1K5PFD7ATMA1
Infineon Technologies
5,000: S/1.32
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPLK60R1K5PFD7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLK60R1K5PFD7AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.32

S/1.27

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

650 V

3.8 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

4 V

4.6 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel

600V CoolMOS™ PFD7 SJ Power MOSFET

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