Semiconductores discretos

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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

STP24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.51
1,056En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M2

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511-STP24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

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1,056En existencias

S/13.51

S/6.27

S/5.80

S/5.02

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

STP2N80K5
STMicroelectronics
1: S/3.08
2,896En existencias

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STP2N80K5

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511-STP2N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected

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2,896En existencias

S/3.08

S/2.47

S/2.27

S/2.03

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

STP38N65M5
STMicroelectronics
1: S/23.24
493En existencias

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STP38N65M5

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511-STP38N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5

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493En existencias

S/23.24

S/11.60

S/11.02

S/9.38

S/9.03

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220 package

STP5N105K5
STMicroelectronics
1: S/12.61
801En existencias

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STP5N105K5

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511-STP5N105K5

STMicroelectronics

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S/12.61

S/5.96

S/5.41

S/4.87

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

STW15N80K5
STMicroelectronics
1: S/19.42
425En existencias

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STW15N80K5

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511-STW15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5

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S/19.42

S/11.09

S/8.37

S/7.90

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

STW24N60M2
STMicroelectronics
1: S/13.62
860En existencias

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STW24N60M2

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511-STW24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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S/13.62

S/7.59

S/5.99

S/5.22

S/4.40

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STW33N60M2
STMicroelectronics
1: S/19.85
400En existencias

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STW33N60M2

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511-STW33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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400En existencias

S/19.85

S/12.65

S/8.95

S/8.56

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STU3N80K5
STMicroelectronics
1: S/5.92
2,731En existencias

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STU3N80K5

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511-STU3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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S/5.92

S/2.91

S/2.76

S/2.48

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Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF16N65M2
STMicroelectronics
1: S/10.08
926En existencias

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STF16N65M2

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511-STF16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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S/10.08

S/4.20

S/3.75

S/3.32

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

STL31N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.07
2,921En existencias

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STL31N65M5

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511-STL31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

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S/19.07

S/12.65

S/9.54

S/8.91

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Envase tipo carrete

S/6.89

MouseReel Disponible

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP18N65M2
STMicroelectronics
1: S/10.32
953En existencias

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STP18N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/10.32

S/5.76

S/5.64

S/4.67

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

STH310N10F7-2
STMicroelectronics
1: S/20.20
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STH310N10F7-2

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511-STH310N10F7-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI

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S/20.20

S/14.01

S/11.33

S/10.08

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S/8.60

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MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STB13N60M2
STMicroelectronics
1: S/11.33
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STB13N60M2

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511-STB13N60M2

STMicroelectronics

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S/11.33

S/7.32

S/5.22

S/4.36

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S/3.75

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Mult.: 1

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

STB13N80K5
STMicroelectronics
1: S/20.59
1,536En existencias

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STB13N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB13N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 0.37Ohm 12A MDmesh K5

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S/20.59

S/13.70

S/11.09

S/9.89

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S/8.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A

STB15N80K5
STMicroelectronics
1: S/19.93
696En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB15N80K5

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511-STB15N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A

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S/19.93

S/14.99

S/10.78

S/10.55

Envase tipo carrete

S/8.60

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STB18N65M5
STMicroelectronics
1: S/14.17
2,483En existencias

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STB18N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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Cinta cortada

S/14.17

S/9.30

S/6.50

S/5.72

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S/4.90

S/4.63

MouseReel Disponible

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

STB20N95K5
STMicroelectronics
1: S/32.70
1,518En existencias

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STB20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5

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S/32.70

S/22.46

S/17.59

S/17.56

Envase tipo carrete

S/15.30

S/14.32

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

STB21N90K5
STMicroelectronics
1: S/29.04
1,031En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB21N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB21N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5

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S/29.04

S/19.93

S/15.14

S/15.10

Envase tipo carrete

S/12.34

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Mult.: 1

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/14.83
1,618En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STB24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

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1,618En existencias

Cinta cortada

S/14.83

S/9.65

S/7.55

S/6.34

Envase tipo carrete

S/5.41

S/5.14

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

STB25N80K5
STMicroelectronics
1: S/22.69
1,460En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STB25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5

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S/22.69

S/15.84

S/12.81

S/11.37

Envase tipo carrete

S/9.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB33N60M2
STMicroelectronics
1: S/18.88
1,387En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB33N60M2

STMicroelectronics

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Cinta cortada

S/18.88

S/12.46

S/9.73

S/8.68

Envase tipo carrete

S/7.43

S/6.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

STB42N65M5
STMicroelectronics
1: S/45.15
745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB42N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB42N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 Volt 33Amp

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745En existencias

Cinta cortada

S/45.15

S/35.30

S/29.43

S/26.24

Envase tipo carrete

S/22.27

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STB57N65M5
STMicroelectronics
1: S/42.62
1,882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STB57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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Cinta cortada

S/42.62

S/33.32

S/27.79

S/24.76

Envase tipo carrete

S/21.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

STD100N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.91
5,779En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STD100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120

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Cinta cortada

S/8.91

S/6.54

S/5.14

S/4.24

Envase tipo carrete

S/3.46

S/3.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

STD105N10F7AG
STMicroelectronics
1: S/10.74
3,792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD105N10F7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD105N10F7AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 6.8 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET i

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Cinta cortada

S/10.74

S/6.93

S/4.94

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.38

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
ISOTOP
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247
TO-247-3
TO-247-4