Semiconductores discretos

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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

STB30N65M5
STMicroelectronics
1: S/27.13
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB30N65M5

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511-STB30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V

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S/27.13

S/18.33

S/13.62

Envase tipo carrete

S/11.09

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Mult.: 1

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.05
2,734En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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2,734En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/7.16

S/4.94

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.33

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD5N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.58
6,550En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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Cinta cortada

S/6.58

S/4.20

S/2.82

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.72

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF7N105K5
STMicroelectronics
1: S/14.75
1,471En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N105K5

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511-STF7N105K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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S/14.75

S/7.05

S/6.34

S/5.57

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5

STL15N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.51
2,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL15N65M5

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511-STL15N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5

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S/13.51

S/8.80

S/6.19

S/5.37

S/4.98

Envase tipo carrete

S/4.36

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.76
1,440En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL16N65M2

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511-STL16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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S/11.76

S/7.63

S/5.29

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.54

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-HV-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL9N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.76
2,157En existencias

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STL9N60M2

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511-STL9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

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S/8.76

S/5.61

S/3.81

S/3.04

Envase tipo carrete

S/2.48

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

STP110N10F7
STMicroelectronics
1: S/12.26
1,930En existencias

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STP110N10F7

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511-STP110N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII

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S/12.26

S/4.36

S/4.32

S/4.24

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

STP34N65M5
STMicroelectronics
1: S/19.81
1,225En existencias

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STP34N65M5

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511-STP34N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5

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S/19.81

S/13.04

S/11.95

S/11.91

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5

STP6N95K5
STMicroelectronics
1: S/7.63
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STP6N95K5

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511-STP6N95K5

STMicroelectronics

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S/7.63

S/4.98

S/4.67

S/4.16

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STW15N95K5
STMicroelectronics
1: S/18.96
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STW15N95K5

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511-STW15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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S/18.96

S/9.77

S/7.40

S/7.36

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STB28N60M2
STMicroelectronics
1: S/10.08
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STB28N60M2

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511-STB28N60M2

STMicroelectronics

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S/10.08

S/6.50

S/4.52

S/3.62

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S/3.33

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MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

STD18N65M5
STMicroelectronics
1: S/13.58
1,377En existencias

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STD18N65M5

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511-STD18N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5

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1,377En existencias

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S/13.58

S/8.87

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.36

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

STD5N95K5
STMicroelectronics
1: S/9.34
4,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected

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S/9.34

S/5.99

S/4.13

S/3.28

Envase tipo carrete

S/2.73

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package

STF10N105K5
STMicroelectronics
1: S/13.97
1,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N105K5

STMicroelectronics

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S/13.97

S/6.42

S/5.84

S/5.64

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

STL7N10F7
STMicroelectronics
1: S/5.92
4,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL7N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3

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S/5.92

S/3.74

S/2.49

S/1.95

S/1.78

Envase tipo carrete

S/1.39

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

STP18N55M5
STMicroelectronics
1: S/14.25
2,190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP18N55M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP18N55M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5

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2,190En existencias

S/14.25

S/6.58

S/6.11

S/5.49

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

STP25N80K5
STMicroelectronics
1: S/19.77
728En existencias

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STP25N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP25N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5

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728En existencias

S/19.77

S/10.82

S/10.08

S/8.49

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

STW57N65M5
STMicroelectronics
1: S/38.07
504En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW57N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5

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504En existencias

S/38.07

S/26.08

S/21.14

S/19.85

S/18.96

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

STW70N60M2
STMicroelectronics
1: S/34.88
647En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW70N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

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Hoja de datos

647En existencias

S/34.88

S/22.27

S/17.28

S/17.24

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

STWA20N95K5
STMicroelectronics
1: S/29.15
698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA20N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STWA20N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect

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698En existencias

S/29.15

S/17.87

S/13.16

S/13.12

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.02
251En existencias
1,000Se espera el 6/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
STP16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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251En existencias

1,000Se espera el 6/07/2026

S/11.02

S/7.08

S/5.06

S/4.24

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: S/3.81
923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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923En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.911

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STGB40V60F
STMicroelectronics
1: S/14.21
74En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB40V60F

N.º de artículo de Mouser
511-STGB40V60F

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

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Hoja de datos

74En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.26

S/7.24

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.22

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.75
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Hoja de datos

2,265En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.35

S/2.84

Envase tipo carrete

S/2.14

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
ISOTOP
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247
TO-247-3
TO-247-4