Semiconductores discretos

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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

STW15N95K5
STMicroelectronics
1: S/20.32
1,421En existencias

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STW15N95K5

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511-STW15N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5

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S/20.32

S/11.37

S/9.38

S/8.06

S/7.86

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

STF100N10F7
STMicroelectronics
1: S/10.90
2,004En existencias

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STF100N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STF100N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII

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S/10.90

S/6.23

S/4.83

S/3.93

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

STL7N80K5
STMicroelectronics
1: S/9.26
5,275En existencias

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STL7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STL7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected

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S/9.26

S/6.46

S/4.87

S/4.20

S/4.01

Envase tipo carrete

S/3.82

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MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

STL4N10F7
STMicroelectronics
1: S/4.13
803En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL4N10F7

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511-STL4N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3

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Cinta cortada

S/4.13

S/2.54

S/1.67

S/1.32

Envase tipo carrete

S/0.973

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

STP16N65M2
STMicroelectronics
1: S/11.83
250En existencias
1,000Se espera el 13/07/2026

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STP16N65M2

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511-STP16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package

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S/11.83

S/7.67

S/5.25

S/4.28

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.81
2,914En existencias

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STU6N65M2

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511-STU6N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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S/6.81

S/3.48

S/2.81

S/2.23

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MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

STGB40V60F
STMicroelectronics
1: S/15.34
74En existencias
1,000Se espera el 21/12/2026

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STGB40V60F

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511-STGB40V60F

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed

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Cinta cortada

S/15.34

S/10.00

S/6.85

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.25

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IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD11N65M2
STMicroelectronics
1: S/9.15
1,294En existencias

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STD11N65M2

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511-STD11N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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S/9.15

S/5.76

S/4.09

S/3.26

Envase tipo carrete

S/2.76

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

STD6N65M2
STMicroelectronics
1: S/6.23
2,892En existencias

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STD6N65M2

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511-STD6N65M2

STMicroelectronics

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Cinta cortada

S/6.23

S/3.93

S/2.61

S/2.05

Envase tipo carrete

S/1.63

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: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET

STH310N10F7-6
STMicroelectronics
1: S/27.13
1,253En existencias

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STH310N10F7-6

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511-STH310N10F7-6

STMicroelectronics

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S/27.13

S/18.26

S/13.23

S/12.46

Envase tipo carrete

S/11.60

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: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-7

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

STP33N60M2
STMicroelectronics
1: S/19.97
645En existencias

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STP33N60M2

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511-STP33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2

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S/19.97

S/10.35

S/9.42

S/8.72

S/7.51

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package

STP7N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.22
887En existencias

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STP7N105K5

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511-STP7N105K5

STMicroelectronics

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S/15.22

S/7.71

S/6.97

S/6.19

S/5.33

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

STD6N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.33
2,265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD6N60M2

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511-STD6N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2

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Cinta cortada

S/8.33

S/5.22

S/3.57

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.29

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

STGWA80H65FB
STMicroelectronics
1: S/27.87
495En existencias

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STGWA80H65FB

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511-STGWA80H65FB

STMicroelectronics

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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495En existencias

S/27.87

S/18.26

S/13.47

S/11.37

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IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

STL24N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.84
6,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2

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Cinta cortada

S/15.84

S/10.39

S/7.32

S/6.07

Envase tipo carrete

S/5.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

STL40N10F7
STMicroelectronics
1: S/8.87
2,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL40N10F7

N.º de artículo de Mouser
511-STL40N10F7

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII

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2,086En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/5.45

S/3.79

S/3.07

S/2.76

Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/16.58
848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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848En existencias

S/16.58

S/8.45

S/7.67

S/6.31

S/5.96

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU16N65M2
STMicroelectronics
1: S/12.11
772En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU16N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU16N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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772En existencias

S/12.11

S/6.66

S/5.22

S/4.36

S/3.81

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF24N60DM2
STMicroelectronics
1: S/13.90
1,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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S/13.90

S/7.71

S/6.50

S/5.33

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STF28N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.96
751En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF28N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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751En existencias

S/15.96

S/8.17

S/7.55

S/6.31

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STF9N60M2
STMicroelectronics
1: S/8.21
1,796En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF9N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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S/8.21

S/4.48

S/3.28

S/2.80

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60M2
STMicroelectronics
1: S/20.28
1,557En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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Cinta cortada

S/20.28

S/14.01

S/10.47

S/8.76

S/8.14

Envase tipo carrete

S/7.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

STD2N95K5
STMicroelectronics
1: S/8.25
2,321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD2N95K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD2N95K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected

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2,321En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.10

S/3.55

S/2.82

Envase tipo carrete

S/2.32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7N60M2
STMicroelectronics
1: S/7.12
1,923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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1,923En existencias

S/7.12

S/3.40

S/3.04

S/2.39

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

STP24N60M2
STMicroelectronics
1: S/14.44
934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2

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S/14.44

S/7.28

S/6.50

S/5.37

S/4.94

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

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PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247
TO-247-3
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