Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Tipos de Semiconductores discretos

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Resultados: 301
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa 760En existencias
S/ 129.11
S/ 92.88
S/ 88.44
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.3Ohm typ MDmesh K5 14A 634En existencias
Cinta cortada
S/ 23.98
S/ 12.61
S/ 11.52
S/ 10.55
Envase tipo carrete
S/ 9.96
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 1,249En existencias
Cinta cortada
S/ 24.44
S/ 12.88
S/ 11.79
S/ 10.82
Envase tipo carrete
S/ 10.20
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac 3,650En existencias
Cinta cortada
S/ 19.46
S/ 10.04
S/ 9.15
S/ 7.98
Envase tipo carrete
S/ 7.51
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 4,947En existencias
Cinta cortada
S/ 21.06
S/ 10.98
S/ 9.96
S/ 8.87
Envase tipo carrete
S/ 8.80
S/ 8.37
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect 1,972En existencias
S/ 16.85
S/ 8.60
S/ 7.82
S/ 6.42
S/ 6.15
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1,381En existencias
S/ 30.67
S/ 16.54
S/ 15.18
S/ 13.16
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 560En existencias
S/ 40.56
S/ 26.27
S/ 23.12
S/ 17.87
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2 9,440En existencias
Cinta cortada
S/ 6.73
S/ 3.49
S/ 2.87
S/ 2.27
Envase tipo carrete
S/ 1.96
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac 905En existencias
Cinta cortada
S/ 20.59
S/ 13.47
S/ 10.04
S/ 8.45
Envase tipo carrete
S/ 7.82
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate 23,083En existencias
Cinta cortada
S/ 7.79
S/ 3.74
S/ 3.09
S/ 2.61
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Envase tipo carrete
S/ 2.48
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5 980En existencias
Cinta cortada
S/ 20.82
S/ 10.82
S/ 9.89
S/ 8.76
Envase tipo carrete
S/ 8.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5 2,614En existencias
S/ 26.94
S/ 14.48
S/ 13.23
S/ 11.99
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5 1,718En existencias
S/ 32.35
S/ 17.52
S/ 16.08
S/ 14.83
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5 869En existencias
S/ 26.39
S/ 14.01
S/ 12.85
S/ 11.72
S/ 11.33
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 3,707En existencias
Cinta cortada
S/ 13.58
S/ 6.89
S/ 6.07
S/ 5.06
Envase tipo carrete
S/ 4.67
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2 5,474En existencias
Cinta cortada
S/ 15.84
S/ 8.06
S/ 7.32
S/ 6.07
Envase tipo carrete
S/ 5.68
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3 37,049En existencias
Cinta cortada
S/ 5.96
S/ 2.79
S/ 2.49
S/ 1.95
Envase tipo carrete
S/ 1.86
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp 476En existencias
S/ 43.71
S/ 24.52
S/ 24.25
S/ 21.68
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package 889En existencias
1,000Se espera el 9/04/2027
Cinta cortada
S/ 24.52
S/ 12.96
S/ 11.83
S/ 11.48
Envase tipo carrete
S/ 10.28
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package 2,500En existencias
Cinta cortada
S/ 10.86
S/ 5.45
S/ 4.75
S/ 3.93
Envase tipo carrete
S/ 3.27
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII 1,885En existencias
S/ 10.90
S/ 6.23
S/ 4.83
S/ 3.93
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2 2,950En existencias
S/ 8.87
S/ 5.10
S/ 3.79
S/ 3.07
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Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected 4,908En existencias
Cinta cortada
S/ 9.26
S/ 5.92
S/ 4.87
S/ 4.20
S/ 4.05
Envase tipo carrete
S/ 3.87
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package 1,792En existencias
Cinta cortada
S/ 10.86
S/ 5.37
S/ 4.83
S/ 3.88
Envase tipo carrete
S/ 3.43
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)