Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U

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onsemi
1: S/7.98
1,430En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H848NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H848NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U

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1,430En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.10

S/3.44

S/2.74

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.33

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H852NLWFT1G
onsemi
1: S/4.83
2,351En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H852NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H852NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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2,351En existencias

Cinta cortada

S/4.83

S/3.42

S/2.31

S/1.88

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

13.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H858NLT1G
onsemi
1: S/4.67
104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H858NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H858NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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104En existencias

Cinta cortada

S/4.67

S/2.92

S/1.93

S/1.49

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.05

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H858NLWFT1G
onsemi
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885En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H858NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H858NLWFT1

onsemi

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Cinta cortada

S/4.90

S/3.12

S/2.10

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.30

Ver

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H864NT1G
onsemi
1: S/6.03
978En existencias

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NVMFS6H864NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H864NT1G

onsemi

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978En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.74

S/2.51

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H864NWFT1G
onsemi
1: S/6.03
1,754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H864NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H864NWFT1G

onsemi

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Cinta cortada

S/6.03

S/3.76

S/2.51

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.68

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H850NWFTAG
onsemi
1: S/6.42
2,822En existencias

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NVTFS6H850NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Cinta cortada

S/6.42

S/4.16

S/2.82

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

68 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H854NLTAG
onsemi
1: S/7.01
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H854NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H854NLTAG

onsemi

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1,497En existencias

Cinta cortada

S/7.01

S/4.59

S/3.08

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

44 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H854NWFTAG
onsemi
1: S/5.41
2,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H854NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H854NWFTAG

onsemi

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S/5.41

S/3.42

S/2.52

S/1.98

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

48 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H860NTAG
onsemi
1: S/3.70
5,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H860NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H860NTAG

onsemi

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S/3.70

S/2.33

S/1.54

S/1.22

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

33 A

21.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVTFS6H880NTAG
onsemi
1: S/3.46
1,711En existencias
3,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H880NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

1,711En existencias

3,000Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/3.46

S/2.13

S/1.41

S/1.08

Envase tipo carrete

S/0.868

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.9 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H888NLTAG
onsemi
1: S/1.60
4,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H888NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H888NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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4,340En existencias

Cinta cortada

S/1.60

S/1.49

S/1.21

S/1.15

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.919

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

14 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H888NLWFTAG
onsemi
1: S/3.35
1,480En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H888NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H888NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

1,480En existencias

Cinta cortada

S/3.35

S/2.17

S/1.48

S/1.21

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.817

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVTFS6H888NTAG
onsemi
1: S/3.66
1,484En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H888NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H888NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

1,484En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.31

S/1.52

S/1.19

S/1.17

Envase tipo carrete

S/0.911

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

13 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVTFS6H888NWFTAG
onsemi
1: S/4.05
483En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H888NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H888NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

483En existencias

Cinta cortada

S/4.05

S/2.64

S/1.72

S/1.30

Envase tipo carrete

S/1.00

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

13 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NVMFS5H610NLWFT1G
onsemi
1: S/5.72
1,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5H610NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5H610NLWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

1,495En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.60

S/2.43

S/1.93

Envase tipo carrete

S/1.56

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi
1: S/6.23
2,893En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H860NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H86NLWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

2,893En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/4.01

S/2.68

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T8 IN U8FL HEFET

NTTFS5D1N06HLTAG
onsemi
1: S/7.47
2En existencias
4,500Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5D1N06HLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5D1N06HLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T8 IN U8FL HEFET

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Hoja de datos

2En existencias

4,500Se espera el 10/08/2026

Cinta cortada

S/7.47

S/4.79

S/3.21

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

78 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H801NWFT1G
onsemi
1: S/12.34
3,000Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H801NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H801NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

3,000Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/12.34

S/8.52

S/6.07

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

157 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H850NLTAG
onsemi
1: S/8.06
2,500Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H850NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

2,500Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.48

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.38

S/2.14

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H400NLT3G
onsemi
5,000: S/5.68
5,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H400NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H400NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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Hoja de datos

5,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/5.68

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H600NLT3G
onsemi
5,000: S/5.29
5,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H600NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H600NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

5,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/5.29

Min.: 5,000
Mult.: 5,000

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H836NWFT1G
onsemi
1: S/8.06
15,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H836NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H836NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

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Cinta cortada

S/8.06

S/5.18

S/3.48

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.25

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H852NWFT1G
onsemi
1,500: S/1.95
42,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H852NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H852NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Envase tipo carrete

S/1.95

S/1.72

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

43 A

14.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H858NWFT1G
onsemi
1,500: S/3.65
21,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H858NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H858NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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21,000Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/3.65

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

32 A

20.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.9 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A
64 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W