Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H850NWFTAG
onsemi
1: S/7.47
8,664En existencias
6,000Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H850NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

8,664En existencias

6,000Se espera el 15/01/2027

Cinta cortada

S/7.47

S/3.57

S/3.37

S/2.67

S/2.38

Envase tipo carrete

S/2.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

68 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H854NLTAG
onsemi
1: S/8.10
1,497En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H854NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H854NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

1,497En existencias

Cinta cortada

S/8.10

S/3.88

S/3.47

S/2.76

S/2.27

Envase tipo carrete

S/2.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

44 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H854NTAG
onsemi
1: S/6.81
326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H854NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H854NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

326En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/3.81

S/2.86

S/2.24

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

48 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H854NWFTAG
onsemi
1: S/6.93
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H854NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H854NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

100En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.36

S/2.86

S/2.27

S/2.02

Envase tipo carrete

S/2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

48 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVTFS6H880NTAG
onsemi
1: S/4.44
90En existencias
7,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H880NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

90En existencias

7,500En pedido

Cinta cortada

S/4.44

S/2.71

S/1.89

S/1.49

S/0.93

Envase tipo carrete

S/0.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 690

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.9 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVTFS6H880NWFTAG
onsemi
1: S/5.72
1,311En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H880NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

1,311En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/2.83

S/2.32

S/1.83

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.9 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H888NLTAG
onsemi
1: S/4.55
3,691En existencias
4,500Se espera el 5/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H888NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H888NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

3,691En existencias

4,500Se espera el 5/03/2027

Cinta cortada

S/4.55

S/2.11

S/1.87

S/1.45

S/1.12

Envase tipo carrete

S/1.12

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

14 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H888NLWFTAG
onsemi
1: S/4.55
2,754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H888NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H888NLWFTA

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

2,754En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.10

S/1.84

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVTFS6H888NWFTAG
onsemi
1: S/4.87
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H888NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H888NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

239En existencias

Cinta cortada

S/4.87

S/2.25

S/1.99

S/1.45

S/1.13

Envase tipo carrete

S/1.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

13 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H880NLWFTAG
onsemi
1: S/6.15
1,281En existencias
1,500Se espera el 15/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H88NLWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

1,281En existencias

1,500Se espera el 15/01/2027

Cinta cortada

S/6.15

S/3.80

S/2.50

S/1.97

S/1.68

Envase tipo carrete

S/1.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

NTTFD4D0N04HLTWG
onsemi
1: S/11.44
15,867En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTTFD4D0N04HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFD4D0N04HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

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Hoja de datos

15,867En pedido

Cinta cortada

S/11.44

S/5.68

S/5.10

S/4.28

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 540

: 3,000

SMD/SMT

WDFN-12

N-Channel

2 Channel

40 V

60 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NTTFS6H850NTAG
onsemi
1: S/7.40
8,991En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H850NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H850NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

8,991En pedido

Cinta cortada

S/7.40

S/4.55

S/3.05

S/2.45

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 980

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

68 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

NVBLS1D1N08H
onsemi
1: S/38.07
2,000Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS1D1N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS1D1N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

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Hoja de datos

2,000Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/38.07

S/23.78

S/20.59

S/19.27

Envase tipo carrete

S/18.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

311 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H852NLT1G
onsemi
1: S/7.51
5,936En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H852NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H852NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

5,936En pedido

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.21

S/2.53

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

25 A

25.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NVMFS5H663NLT1G
onsemi
1: S/8.41
5,971En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5H663NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5H663NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

5,971En pedido

Cinta cortada

S/8.41

S/4.79

S/3.53

S/2.79

S/2.20

Envase tipo carrete

S/2.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

67 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H836NLT1G
onsemi
1: S/8.17
7,500Se espera el 5/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H836NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H836NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

7,500Se espera el 5/04/2027

Cinta cortada

S/8.17

S/4.63

S/3.50

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 190

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

74 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H850NTAG
onsemi
1: S/7.08
5,942En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H850NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

5,942En pedido

Cinta cortada

S/7.08

S/3.37

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 390

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

68 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T8 IN U8FL HEFET

NTTFS5D1N06HLTAG
onsemi
1: S/8.37
1,352Se espera el 13/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5D1N06HLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5D1N06HLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T8 IN U8FL HEFET

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Hoja de datos

1,352Se espera el 13/10/2026

Cinta cortada

S/8.37

S/4.75

S/3.60

S/2.88

S/2.35

Envase tipo carrete

S/2.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

78 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22.5 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H836NT1G
onsemi
1: S/10.90
1,500Se espera el 15/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H836NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H836NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

1,500Se espera el 15/09/2026

Cinta cortada

S/10.90

S/6.31

S/4.75

S/3.80

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.32

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H860NTAG
onsemi
1: S/4.52
4,487Se espera el 27/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H860NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H860NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

4,487Se espera el 27/08/2026

Cinta cortada

S/4.52

S/2.80

S/1.84

S/1.45

S/1.27

Envase tipo carrete

S/1.27

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

33 A

21.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.7 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVTFS6H888NTAG
onsemi
1: S/4.20
1,756En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H888NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H888NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

1,756En pedido

Cinta cortada

S/4.20

S/1.94

S/1.72

S/1.32

Envase tipo carrete

S/0.938

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

13 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4.7 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NVMFS5H610NLWFT1G
onsemi
1: S/6.85
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NVMFS5H610NLWFT1G

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Cinta cortada

S/6.85

S/3.25

S/2.89

S/2.14

S/1.67

Envase tipo carrete

S/1.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NVMFS5H663NLWFT1G
onsemi
1: S/8.72
9,000Existencias en fábrica disponibles

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NVMFS5H663NLWFT1G

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863-NVMFS5H663NLWFTG

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Cinta cortada

S/8.72

S/4.28

S/3.73

S/2.87

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

67 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H836NWFT1G
onsemi
1: S/9.42
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863-NVMFS6H836NWFT1G

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Cinta cortada

S/9.42

S/4.59

S/4.05

S/3.09

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.60

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H858NWFT1G
onsemi
1: S/13.74
21,000Existencias en fábrica disponibles

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NVMFS6H858NWFT1G

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Cinta cortada

S/13.74

S/7.01

S/6.19

S/4.83

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

32 A

20.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.9 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
14 A, 74 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W