Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

NVMFSW6D1N08HT1G
onsemi
1: S/7.40
1,485En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSW6D1N08HT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSW6D1N08HT1G

Fin de vida útil

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

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Cinta cortada

S/7.40

S/5.22

S/3.55

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

89 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NTMFD6H852NLT1G
onsemi
1: S/7.90
1,479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD6H852NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD6H852NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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1,479En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.42

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.37

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

80 V

25 A

25.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H431NLT1G
onsemi
1: S/5.88
2,853En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H431NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H431NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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2,853En existencias

Cinta cortada

S/5.88

S/3.81

S/2.60

S/2.09

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

106 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H630NLT1G
onsemi
1: S/7.86
1,472En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H630NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H630NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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1,472En existencias

Cinta cortada

S/7.86

S/5.49

S/3.68

S/2.99

Envase tipo carrete

S/2.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel

NTMFS6H800NLT1G
onsemi
1: S/14.67
102En existencias
21,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H800NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H800NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel

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102En existencias

21,000En pedido

Cinta cortada

S/14.67

S/9.61

S/7.01

S/6.07

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

224 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

NTMFS6H801NT1G
onsemi
1: S/11.95
184En existencias
1,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H801NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H801NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

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184En existencias

1,500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/11.95

S/7.79

S/5.41

S/4.52

S/3.86

Envase tipo carrete

S/3.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

157 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H836NLT1G
onsemi
1: S/6.85
2,526En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H836NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H836NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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2,526En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.44

S/3.00

S/2.43

Envase tipo carrete

S/2.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

77 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H848NLT1G
onsemi
1: S/5.99
2,568En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H848NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H848NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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2,568En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/5.99

S/3.83

S/3.82

S/2.63

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

59 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H864NLT1G
onsemi
1: S/3.74
338En existencias
7,500Se espera el 10/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H864NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H864NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

338En existencias

7,500Se espera el 10/04/2026

Cinta cortada

S/3.74

S/2.40

S/1.59

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET

NTTFS2D8N04HLTAG
onsemi
1: S/7.32
520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS2D8N04HLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS2D8N04HLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET

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Hoja de datos

520En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.67

S/3.14

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

104 A

2.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NTTFS6H854NLTAG
onsemi
1: S/4.32
123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H854NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H854NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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123En existencias

Cinta cortada

S/4.32

S/2.81

S/1.88

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

41 A

13.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NTTFS6H880NLTAG
onsemi
1: S/3.81
5,449En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H880NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H880NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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5,449En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.63

S/1.28

Envase tipo carrete

S/0.965

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H840NLT1G
onsemi
1: S/12.88
496En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H840NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H840NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

496En existencias

9,000En pedido

Cinta cortada

S/12.88

S/8.80

S/6.11

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

74 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H840NLWFT1G
onsemi
1: S/11.60
625En existencias
1,500Se espera el 27/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H840NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H840NLWF1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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625En existencias

1,500Se espera el 27/02/2026

Cinta cortada

S/11.60

S/8.76

S/6.11

S/5.29

Envase tipo carrete

S/4.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

74 A, 14 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H846NLWFT1G
onsemi
1: S/7.98
555En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H846NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H846NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

555En existencias

Cinta cortada

S/7.98

S/5.25

S/3.53

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H852NLT1G
onsemi
1: S/6.46
2,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H852NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H852NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

2,008En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.16

S/2.85

S/2.28

S/2.24

Envase tipo carrete

S/2.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

25 A

25.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NVMFS5H663NLT1G
onsemi
1: S/3.46
2,233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5H663NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5H663NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

2,233En existencias

Cinta cortada

S/3.46

S/3.13

S/2.58

S/2.31

Envase tipo carrete

S/1.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

67 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NVMFS5H663NLWFT1G
onsemi
1: S/7.32
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5H663NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5H663NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

1,500En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.83

S/3.25

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.22

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

60 V

67 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

NVMFS6D1N08HT1G
onsemi
1: S/7.90
1,343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6D1N08HT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6D1N08HT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

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Hoja de datos

1,343En existencias

Cinta cortada

S/7.90

S/5.06

S/3.42

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

89 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H800NWFT1G
onsemi
1: S/20.32
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H800NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H800NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

132En existencias

Cinta cortada

S/20.32

S/13.86

S/9.93

S/9.38

S/8.60

Envase tipo carrete

S/7.79

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H801NLT1G
onsemi
1: S/11.05
698En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H801NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H801NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

698En existencias

Cinta cortada

S/11.05

S/8.49

S/5.92

S/5.10

Envase tipo carrete

S/4.20

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL NCH S

NVMFS6H824NT1G
onsemi
1: S/8.91
119En existencias
3,000Se espera el 17/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H824NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H824NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL NCH S

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Cinta cortada

S/8.91

S/5.96

S/4.16

S/3.32

Envase tipo carrete

S/2.92

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

107 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVMFS6H824NWFT1G
onsemi
1: S/9.50
859En existencias

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NVMFS6H824NWFT1G

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863-NVMFS6H824NWFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Cinta cortada

S/9.50

S/6.15

S/4.24

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

107 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H836NLT1G
onsemi
1: S/6.97
1,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H836NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H836NLT1G

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Cinta cortada

S/6.97

S/4.59

S/3.14

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.10

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

74 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H848NLT1G
onsemi
1: S/6.42
1,213En existencias

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NVMFS6H848NLT1G

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863-NVMFS6H848NLT1G

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Cinta cortada

S/6.42

S/4.01

S/2.70

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.83

S/1.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

57 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A
64 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W