Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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onsemi
1: S/4.75
30En existencias
18,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H860NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H860NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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30En existencias

18,000En pedido

Cinta cortada

S/4.75

S/2.61

S/1.93

S/1.51

S/1.12

Envase tipo carrete

S/1.12

MouseReel Disponible

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Máx.: 1,850

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NTTFS6H880NLTAG
onsemi
1: S/4.09
3,966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H880NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H880NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Cinta cortada

S/4.09

S/1.87

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

WDFN-8

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1 Channel

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29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H846NLWFT1G
onsemi
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281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H846NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H846NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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281En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.01

S/3.19

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.71

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SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H852NLWFT1G
onsemi
1: S/8.87
10En existencias
1,500Se espera el 19/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H852NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H852NLWFTG

onsemi

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Cinta cortada

S/8.87

S/4.90

S/3.72

S/2.92

S/2.50

Envase tipo carrete

S/2.50

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

25 A

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2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C673NLAFT1G
onsemi
1: S/8.76
1,596En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C673NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C673NL1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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Cinta cortada

S/8.76

S/4.24

S/3.88

Envase tipo carrete

S/3.88

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

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- 20 V, 20 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

NVMFS6D1N08HT1G
onsemi
1: S/8.76
1,660En existencias

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NVMFS6D1N08HT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6D1N08HT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

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Cinta cortada

S/8.76

S/4.24

S/3.80

S/3.03

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

89 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H800NWFT1G
onsemi
1: S/23.98
29En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H800NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H800NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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S/23.98

S/14.36

S/11.52

S/10.32

S/9.46

Envase tipo carrete

S/9.46

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H801NLT1G
onsemi
1: S/14.79
169En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H801NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H801NLT1G

onsemi

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1,500En pedido

Cinta cortada

S/14.79

S/8.68

S/6.73

S/5.61

S/5.02

Envase tipo carrete

S/5.02

Min.: 1
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SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H801NT1G
onsemi
1: S/15.92
107En existencias
36,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H801NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H801NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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36,000En pedido

Cinta cortada

S/15.92

S/9.11

S/7.28

S/5.88

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

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157 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H818NLT1G
onsemi
1: S/24.56
31En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H818NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H818NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Cinta cortada

S/24.56

S/14.67

S/11.83

S/10.35

S/9.46

Envase tipo carrete

S/9.46

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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

NVMFS6H818NWFT1G
onsemi
1: S/17.83
358En existencias
1,500Se espera el 26/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H818NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H818NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

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358En existencias

1,500Se espera el 26/08/2026

Cinta cortada

S/17.83

S/10.55

S/8.52

S/7.20

S/6.50

Envase tipo carrete

S/6.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

123 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H824NLT1G
onsemi
1: S/16.82
93En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H824NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H824NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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93En existencias

3,000En pedido

Cinta cortada

S/16.82

S/9.93

S/8.02

S/6.73

S/6.07

Envase tipo carrete

S/6.07

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

110 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

116 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL NCH S

NVMFS6H824NT1G
onsemi
1: S/11.17
2,872En existencias
10,500Se espera el 3/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H824NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H824NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL NCH S

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2,872En existencias

10,500Se espera el 3/09/2026

Cinta cortada

S/11.17

S/5.53

S/4.90

S/3.76

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,870

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

107 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U

NVMFS6H848NT1G
onsemi
1: S/8.84
1,322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H848NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H848NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U

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1,322En existencias

Cinta cortada

S/8.84

S/4.28

S/3.83

S/3.05

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U

NVMFS6H848NWFT1G
onsemi
1: S/9.07
220En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H848NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H848NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U

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Hoja de datos

220En existencias

1,500En pedido

Cinta cortada

S/9.07

S/5.76

S/3.89

S/3.13

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H852NLT1G
onsemi
1: S/5.84
2,887En existencias
9,000Se espera el 5/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H852NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H852NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

2,887En existencias

9,000Se espera el 5/01/2028

Cinta cortada

S/5.84

S/3.67

S/2.43

S/1.90

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 870

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

13.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H852NLWFT1G
onsemi
1: S/6.34
2,964En existencias
4,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H852NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H852NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

2,964En existencias

4,500En pedido

Cinta cortada

S/6.34

S/3.00

S/2.67

S/2.50

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

13.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H852NT1G
onsemi
1: S/7.59
1,066En existencias
1,500Se espera el 26/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H852NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H852NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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1,066En existencias

1,500Se espera el 26/08/2026

Cinta cortada

S/7.59

S/3.64

S/3.25

S/2.57

S/2.09

Envase tipo carrete

S/2.09

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

43 A

14.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H858NLWFT1G
onsemi
1: S/6.81
1,365En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H858NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H858NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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1,365En existencias

Cinta cortada

S/6.81

S/4.20

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.77

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H858NT1G
onsemi
1: S/12.73
1,400En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H858NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H858NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

1,400En existencias

Cinta cortada

S/12.73

S/6.34

S/5.72

S/4.63

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.24

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

32 A

20.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.9 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H864NT1G
onsemi
1: S/6.70
821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H864NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H864NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

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821En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/3.18

S/2.83

S/2.23

S/1.75

Envase tipo carrete

S/1.75

Min.: 1
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: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H864NWFT1G
onsemi
1: S/6.70
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NVMFS6H864NWFT1G

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863-NVMFS6H864NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

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Cinta cortada

S/6.70

S/3.18

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.83

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

23 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE

NVMTS1D5N08H
onsemi
1: S/27.64
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS1D5N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS1D5N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE

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6En existencias

Cinta cortada

S/27.64

S/18.57

S/14.29

S/13.00

S/12.61

Envase tipo carrete

S/11.91

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFNW-8

N-Channel

1 Channel

80 V

273 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

258 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H850NLTAG
onsemi
1: S/8.91
185En existencias
1,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H850NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Cinta cortada

S/8.91

S/4.32

S/3.87

S/3.08

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H850NLWFTAG
onsemi
1: S/9.34
14En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H850NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NLWFTG

onsemi

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14En existencias

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Cinta cortada

S/9.34

S/5.22

S/3.97

S/3.16

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.60

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 910

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
14 A, 74 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W