Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL

NVMFS5H600NLT1G
onsemi
1: S/17.87
880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5H600NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5H600NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL

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Hoja de datos

880En existencias

Cinta cortada

S/17.87

S/11.79

S/8.33

S/7.12

S/6.66

Envase tipo carrete

S/6.66

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET

NVMFS6H800NLT1G
onsemi
1: S/25.89
2,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H800NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H800NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET

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Hoja de datos

2,813En existencias

Cinta cortada

S/25.89

S/17.13

S/12.49

S/11.29

S/10.32

Envase tipo carrete

S/10.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

224 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET

NVMFS6H800NLWFT1G
onsemi
1: S/24.60
2,159En existencias
3,000Se espera el 13/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H800NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H800NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET

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Hoja de datos

2,159En existencias

3,000Se espera el 13/10/2026

Cinta cortada

S/24.60

S/16.50

S/11.87

Envase tipo carrete

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 470

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

224 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H801NWFT1G
onsemi
1: S/14.48
2,501En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H801NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H801NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

2,501En existencias

Cinta cortada

S/14.48

S/9.46

S/6.62

S/5.37

S/5.29

Envase tipo carrete

S/5.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

157 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVMFS6H824NWFT1G
onsemi
1: S/10.63
2,284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H824NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H824NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

2,284En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.71

S/3.76

S/3.31

Envase tipo carrete

S/3.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

107 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H848NLT1G
onsemi
1: S/7.16
4,773En existencias
3,000Se espera el 3/11/2027

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H848NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H848NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

4,773En existencias

3,000Se espera el 3/11/2027

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

Envase tipo carrete

S/3.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

57 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H852NLT1G
onsemi
1: S/5.84
5,424En existencias
9,000Se espera el 5/01/2028

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H852NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H852NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

5,424En existencias

9,000Se espera el 5/01/2028

Cinta cortada

S/5.84

S/3.67

S/2.43

S/1.90

Envase tipo carrete

S/1.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 870

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

13.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H852NLWFT1G
onsemi
1: S/6.34
2,857En existencias
4,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H852NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H852NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

2,857En existencias

4,500En pedido

Cinta cortada

S/6.34

S/4.05

S/2.67

S/2.50

S/2.04

Envase tipo carrete

S/1.88

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

13.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H858NLT1G
onsemi
1: S/5.18
6,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H858NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H858NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

6,014En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.25

S/2.14

Envase tipo carrete

S/2.14

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H864NLWFT1G
onsemi
1: S/7.86
6,206En existencias
4,500Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H864NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H864NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

6,206En existencias

4,500Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

S/7.86

S/5.02

S/3.37

S/2.86

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.32

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,570

: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 337A 1.1mOhms

NVMTS1D2N08H
onsemi
1: S/30.36
3,818En existencias
3,000Se espera el 27/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS1D2N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS1D2N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 337A 1.1mOhms

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Hoja de datos

3,818En existencias

3,000Se espera el 27/11/2026

Cinta cortada

S/30.36

S/20.55

S/15.03

S/14.48

Envase tipo carrete

S/14.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 510

: 3,000

SMD/SMT

DFNW-8

N-Channel

1 Channel

80 V

337 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

147 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H850NLTAG
onsemi
1: S/8.91
2,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H850NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

2,895En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/5.72

S/3.87

S/3.08

S/2.60

Envase tipo carrete

S/2.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

NVMFSW6D1N08HT1G
onsemi
1: S/8.21
1,357En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSW6D1N08HT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSW6D1N08HT1G

Fin de vida útil

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

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Hoja de datos

1,357En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.25

S/3.55

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.54

S/2.52

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

89 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NTMFD6H846NLT1G
onsemi
1: S/9.46
210En existencias
4,500Se espera el 30/09/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD6H846NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD6H846NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

210En existencias

4,500Se espera el 30/09/2027

Cinta cortada

S/9.46

S/6.03

S/4.09

S/3.27

S/2.69

Envase tipo carrete

S/2.69

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NTMFD6H852NLT1G
onsemi
1: S/8.80
1,479En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD6H852NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD6H852NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

1,479En existencias

Cinta cortada

S/8.80

S/5.64

S/3.80

S/3.03

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

80 V

25 A

25.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H400NLT1G
onsemi
1: S/17.87
717En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H400NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H400NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

Obtenga más información

Hoja de datos

717En existencias

Cinta cortada

S/17.87

S/11.72

S/8.76

S/7.32

S/6.81

Envase tipo carrete

S/6.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

330 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H419NLT1G
onsemi
1: S/9.73
1,523En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H419NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H419NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

Obtenga más información

Hoja de datos

1,523En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.23

S/4.24

S/3.61

Envase tipo carrete

S/3.02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

155 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H431NLT1G
onsemi
1: S/7.20
2,725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H431NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H431NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

Obtenga más información

Hoja de datos

2,725En existencias

Cinta cortada

S/7.20

S/4.59

S/3.06

S/2.42

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

106 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

NTMFS6D1N08HT1G
onsemi
1: S/9.73
840En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6D1N08HT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6D1N08HT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

Obtenga más información

Hoja de datos

840En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.15

S/4.16

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

89 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

NTMFS6H800NT1G
onsemi
1: S/18.80
84En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H800NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H800NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

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Hoja de datos

84En existencias

9,000En pedido

Cinta cortada

S/18.80

S/12.30

S/8.84

S/7.67

S/6.73

Envase tipo carrete

S/6.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

NTMFS6H801NT1G
onsemi
1: S/13.90
221En existencias
4,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H801NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H801NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

221En existencias

4,500En pedido

Cinta cortada

S/13.90

S/8.14

S/6.34

S/5.25

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 770

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

157 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H836NLT1G
onsemi
1: S/7.86
1,084En existencias
1,500Se espera el 8/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H836NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H836NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

1,084En existencias

1,500Se espera el 8/12/2026

Cinta cortada

S/7.86

S/5.02

S/3.37

Envase tipo carrete

S/3.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 320

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

77 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H852NLT1G
onsemi
1: S/5.72
1,535En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H852NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H852NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

1,535En existencias

Cinta cortada

S/5.72

S/3.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.39

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

13.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

NTTFD9D0N06HLTWG
onsemi
1: S/11.02
507En existencias
3,000Se espera el 14/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFD9D0N06HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFD9D0N06HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

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Hoja de datos

507En existencias

3,000Se espera el 14/09/2026

Cinta cortada

S/11.02

S/7.32

S/5.22

Envase tipo carrete

S/5.22

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 130

: 3,000

SMD/SMT

WDFN-12

N-Channel

2 Channel

60 V

38 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3

NTTFS3D7N06HLTWG
onsemi
1: S/11.79
1,307En existencias
3,000Se espera el 25/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS3D7N06HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS3D7N06HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3

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Hoja de datos

1,307En existencias

3,000Se espera el 25/09/2026

Cinta cortada

S/11.79

S/7.67

S/5.29

S/4.28

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

103 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32.7 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
14 A, 74 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W