Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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Activo

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

NTMFS6D1N08HT1G
onsemi
1: S/8.33
2,237En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6D1N08HT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6D1N08HT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

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2,237En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.33

S/3.48

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.57

S/2.23

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

89 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

NTMFS6H800NT1G
onsemi
1: S/15.06
4,752En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H800NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H800NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

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4,752En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/10.20

S/7.20

S/6.50

S/6.46

Envase tipo carrete

S/5.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NTMFS6H818NT1G
onsemi
1: S/9.96
3,828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H818NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H818NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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3,828En existencias

Cinta cortada

S/9.96

S/6.50

S/4.44

S/3.57

Envase tipo carrete

S/3.09

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

123 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

NTTFD4D0N04HLTWG
onsemi
1: S/7.28
3,688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFD4D0N04HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFD4D0N04HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

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3,688En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/5.72

S/4.28

S/3.63

Envase tipo carrete

S/3.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

WDFN-12

N-Channel

2 Channel

40 V

60 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

NTTFD9D0N06HLTWG
onsemi
1: S/10.94
1,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFD9D0N06HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFD9D0N06HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

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1,731En existencias

Cinta cortada

S/10.94

S/7.08

S/4.90

S/4.01

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.26

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WDFN-12

N-Channel

2 Channel

60 V

38 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

NTTFS2D1N04HLTWG
onsemi
1: S/7.36
7,022En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS2D1N04HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS2D1N04HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

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7,022En existencias

Cinta cortada

S/7.36

S/4.79

S/3.22

S/2.55

Envase tipo carrete

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

43.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V DFN POWER CLIP 3X3

NTTFS5D9N08HTWG
onsemi
1: S/7.55
5,810En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5D9N08HTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5D9N08HTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V DFN POWER CLIP 3X3

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5,810En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/5.29

S/4.16

S/3.71

Ver

Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

84 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

NTTFS6H850NLTAG
onsemi
1: S/5.64
4,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H850NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H850NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

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4,650En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.61

S/2.48

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NTTFS6H850NTAG
onsemi
1: S/6.23
4,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H850NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H850NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Cinta cortada

S/6.23

S/3.97

S/2.64

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.66

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

68 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NTTFS6H860NLTAG
onsemi
1: S/3.85
5,946En existencias
1,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H860NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H860NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

5,946En existencias

1,500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/3.85

S/2.47

S/1.63

S/1.29

Envase tipo carrete

S/0.977

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

NVBLS1D1N08H
onsemi
1: S/32.85
1,161En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS1D1N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS1D1N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

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Hoja de datos

1,161En existencias

Cinta cortada

S/32.85

S/22.85

S/18.33

S/16.35

Envase tipo carrete

S/14.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

311 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C673NLAFT1G
onsemi
1: S/6.38
2,531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C673NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C673NL1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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Hoja de datos

2,531En existencias

Cinta cortada

S/6.38

S/4.94

S/3.19

S/2.71

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.5 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL

NVMFS5H600NLT1G
onsemi
1: S/14.91
979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5H600NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5H600NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL

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Hoja de datos

979En existencias

Cinta cortada

S/14.91

S/10.51

S/7.47

S/6.77

S/6.11

Envase tipo carrete

S/5.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET

NVMFS6H800NLWFT1G
onsemi
1: S/21.29
878En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H800NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H800NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL NFET

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Hoja de datos

878En existencias

Cinta cortada

S/21.29

S/14.44

S/10.63

S/10.39

S/10.28

Envase tipo carrete

S/8.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

224 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H818NLT1G
onsemi
1: S/20.79
1,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H818NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H818NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

1,083En existencias

Cinta cortada

S/20.79

S/13.86

S/9.93

S/9.54

S/7.79

Envase tipo carrete

S/7.75

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H824NLT1G
onsemi
1: S/8.72
4,898En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H824NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H824NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

4,898En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/7.01

S/6.27

S/5.99

Envase tipo carrete

S/5.18

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

110 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

116 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U

NVMFS6H848NWFT1G
onsemi
1: S/7.51
2,680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H848NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H848NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SG SO-8FL-U

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Hoja de datos

2,680En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/5.06

S/3.44

S/2.74

Envase tipo carrete

S/2.44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H864NLWFT1G
onsemi
1: S/7.08
4,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H864NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H864NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

4,463En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.52

S/3.03

S/2.39

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 337A 1.1mOhms

NVMTS1D2N08H
onsemi
1: S/26.24
3,391En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS1D2N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS1D2N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 337A 1.1mOhms

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Hoja de datos

3,391En existencias

Cinta cortada

S/26.24

S/18.49

S/13.78

S/13.31

Ver

Envase tipo carrete

S/11.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFNW-8

N-Channel

1 Channel

80 V

337 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

147 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H850NLWFTAG
onsemi
1: S/8.06
2,996En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H850NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

2,996En existencias

Cinta cortada

S/8.06

S/5.14

S/3.48

S/2.77

Envase tipo carrete

S/2.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

64 A

8.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVTFS6H850NTAG
onsemi
1: S/5.76
3,787En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H850NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H850NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

3,787En existencias

Cinta cortada

S/5.76

S/3.69

S/2.50

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

68 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

NVMFSW6D1N08HT1G
onsemi
1: S/7.40
1,485En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSW6D1N08HT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI

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S/3.55

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SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

89 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NTMFD6H852NLT1G
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S/2.37

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-8

N-Channel

2 Channel

80 V

25 A

25.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H409NLT3G
onsemi
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NTMFS5H409NLT3G

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S/4.05

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H431NLT1G
onsemi
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2,853En existencias

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NTMFS5H431NLT1G

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S/3.81

S/2.60

S/2.09

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

106 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

28 nC

- 55 C

+ 150 C

66 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A
64 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W