Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H600NLT1G
onsemi
1: S/15.06
9,492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H600NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H600NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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9,492En existencias

Cinta cortada

S/15.06

S/9.89

S/6.11

S/5.72

Envase tipo carrete

S/5.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 3.2mohm 135 A - NTMFS6H818NL

NTMFS6H818NLT1G
onsemi
1: S/8.17
7,215En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H818NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H818NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 3.2mohm 135 A - NTMFS6H818NL

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Hoja de datos

7,215En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.84

S/4.20

S/3.52

Envase tipo carrete

S/2.98

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

NVMFS6H818NWFT1G
onsemi
1: S/15.03
1,634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H818NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H818NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET

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1,634En existencias

Cinta cortada

S/15.03

S/10.08

S/7.28

S/6.54

Envase tipo carrete

S/5.53

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

123 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H854NLWFTAG
onsemi
1: S/5.92
4,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H854NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H854NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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4,390En existencias

Cinta cortada

S/5.92

S/4.01

S/2.81

S/2.36

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

44 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE

NVMTS1D5N08H
onsemi
1: S/22.93
1,317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMTS1D5N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NVMTS1D5N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE

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1,317En existencias

Cinta cortada

S/22.93

S/15.92

S/12.03

S/11.25

S/11.13

Envase tipo carrete

S/9.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

DFNW-8

N-Channel

1 Channel

80 V

273 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

258 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H860NLTAG
onsemi
1: S/5.18
15,413En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H860NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H860NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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15,413En existencias

Cinta cortada

S/5.18

S/3.40

S/2.55

S/1.97

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H836NT1G
onsemi
1: S/8.37
2,134En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H836NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H836NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

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2,134En existencias

Cinta cortada

S/8.37

S/5.84

S/4.24

S/3.31

Envase tipo carrete

S/2.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H409NLT1G
onsemi
1: S/8.02
4,023En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H409NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H409NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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4,023En existencias

Cinta cortada

S/8.02

S/5.53

S/4.71

S/4.55

S/4.44

Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

270 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 103 A, 3.9 mohm

NTTFS3D7N06HLTWG
onsemi
1: S/9.19
2,230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS3D7N06HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS3D7N06HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 60 V, 103 A, 3.9 mohm

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Hoja de datos

2,230En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.88

S/4.59

S/3.85

S/3.51

Envase tipo carrete

S/3.12

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

PQFN-8

N-Channel

1 Channel

60 V

103 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32.7 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H864NLT1G
onsemi
1: S/4.13
22,638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H864NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H864NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

22,638En existencias

Cinta cortada

S/4.13

S/2.89

S/2.74

S/2.32

Ver

Envase tipo carrete

S/1.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mohm 31 A NVMFD6H846NL DFN8 (Pb-Free)

NVMFD6H846NLT1G
onsemi
1: S/8.60
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H846NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H846NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET - Power, Dual N-Channel, 80 V, 15 mohm 31 A NVMFD6H846NL DFN8 (Pb-Free)

Obtenga más información

Hoja de datos

985En existencias

Cinta cortada

S/8.60

S/5.96

S/4.55

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

31 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H880NLWFTAG
onsemi
1: S/4.55
6,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H88NLWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

6,886En existencias

Cinta cortada

S/4.55

S/2.96

S/1.97

S/1.55

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.15

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40V, 150A, 2.1mohm

NTMFS5H419NLT1G
onsemi
1: S/8.17
1,890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H419NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H419NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40V, 150A, 2.1mohm

Obtenga más información

Hoja de datos

1,890En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/4.94

S/3.66

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.65

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

155 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H852NT1G
onsemi
1: S/6.46
1,450En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H852NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H852NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

1,450En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.20

S/2.80

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

43 A

14.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H852NLT1G
onsemi
1: S/4.09
3,470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H852NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H852NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

3,470En existencias

Cinta cortada

S/4.09

S/2.92

S/1.97

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.31

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

13.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H852NLWFT1G
onsemi
1: S/2.37
1,390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H852NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H852NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

1,390En existencias

Cinta cortada

S/2.37

S/2.11

Envase tipo carrete

S/2.11

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

25 A

25.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

NVTFS6H880NWFTAG
onsemi
1: S/3.97
3,883En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H880NWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL

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Hoja de datos

3,883En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.58

S/1.74

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6.9 nC

- 55 C

+ 175 C

31 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H880NLTAG
onsemi
1: S/3.54
1,332En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H880NLTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

1,332En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.20

S/1.43

S/1.10

Envase tipo carrete

S/0.911

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H800NT1G
onsemi
1: S/22.81
14,901En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H800NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H800NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

14,901En existencias

Cinta cortada

S/22.81

S/15.41

S/11.17

S/11.02

S/10.90

Envase tipo carrete

S/8.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H801NT1G
onsemi
1: S/12.07
13,827En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H801NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H801NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

13,827En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/8.84

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.44

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

157 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

NTBLS1D1N08H
onsemi
1: S/29.62
3,029En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS1D1N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS1D1N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

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Hoja de datos

3,029En existencias

Cinta cortada

S/29.62

S/20.16

S/15.38

S/14.87

Envase tipo carrete

S/12.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

311 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15mohm

NTMFD6H846NLT1G
onsemi
1: S/7.82
2,222En existencias
25,500Se espera el 27/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD6H846NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD6H846NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Power MOSFET 80V, 31A, 15mohm

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Cinta cortada

S/7.82

S/5.29

S/3.58

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.55

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SO-8FL-Dual-8

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H400NLT1G
onsemi
1: S/11.02
1,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H400NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H400NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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Cinta cortada

S/11.02

S/7.55

S/6.42

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.88

S/5.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

330 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H409NLT3G
onsemi
1: S/8.25
4,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H409NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H409NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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4,916En existencias

Cinta cortada

S/8.25

S/5.61

S/4.71

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.05

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H610NLT1G
onsemi
1: S/4.79
9,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H610NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H610NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Cinta cortada

S/4.79

S/3.17

S/2.11

S/1.68

Envase tipo carrete

S/1.32

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

44 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A
64 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W