Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET NVMFS6H800NT1G onsemi 1: S/25.69 11,076En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFS6H800NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS6H800NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET Obtenga más información sobre onsemi nvmfs6h8x mosfets	Hoja de datos	11,076En existencias	Cinta cortada S/25.69 S/13.62 S/12.03 S/11.13 S/10.94 Envase tipo carrete S/10.94 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	80 V	203 A	2.1 mOhms	20 V	2 V	85 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS NTMFS5H409NLT1G onsemi 1: S/14.13 3,949En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS5H409NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5H409NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS Obtenga más información sobre onsemi ntmfs5 mosfet	Hoja de datos	3,949En existencias	Cinta cortada S/14.13 S/7.12 S/6.42 S/5.61 S/5.18 Envase tipo carrete S/4.87 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	40 V	270 A	1.6 mOhms	20 V	1.2 V	89 nC	- 55 C	+ 150 C	140 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 NTTFS3D7N06HLTWG onsemi 1: S/11.79 4,355En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFS3D7N06HLTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS3D7N06HLTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 Obtenga más información sobre onsemi nttfsxd1n0xhl n channel mosfets	Hoja de datos	4,355En existencias	Cinta cortada S/11.79 S/5.88 S/5.22 S/4.28 S/3.86 Envase tipo carrete S/3.83	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	60 V	103 A	3.9 mOhms	20 V	2 V	32.7 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement		PowerTrench	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL NVMFS6H864NLT1G onsemi 1: S/6.97 21,077En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFS6H864NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS6H864NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL Obtenga más información sobre onsemi nvmfs6h8x mosfets	Hoja de datos	21,077En existencias	Cinta cortada S/6.97 S/3.28 S/2.58 S/2.18 S/1.85 Envase tipo carrete S/1.85 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	80 V	22 A	29 mOhms	20 V	2 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL NVTFS6H860NLTAG onsemi 1: S/7.16 14,897En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVTFS6H860NLTAG N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS6H860NLTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi on semi nvtfs6h860nl mosfet	Hoja de datos	14,897En existencias	Cinta cortada S/7.16 S/3.42 S/2.96 S/2.30 S/1.92 Envase tipo carrete S/1.92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	80 V	30 A	20 mOhms	20 V	2 V	12 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS NTMFS5H600NLT1G onsemi 1: S/17.32 7,992En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS5H600NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5H600NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	7,992En existencias	Cinta cortada S/17.32 S/8.87 S/8.02 S/6.81 S/6.42 Envase tipo carrete S/6.42 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	60 V	250 A	1.1 mOhms	20 V	1.2 V	89 nC	- 55 C	+ 150 C	160 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL NVBLS1D1N08H onsemi 1: S/38.03 2,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVBLS1D1N08H N.º de artículo de Mouser 863-NVBLS1D1N08H	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	2,000En existencias	Cinta cortada S/38.03 S/23.47 S/20.44 S/19.27 S/18.22 Envase tipo carrete S/18.22 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	TO-LL8-8	N-Channel	1 Channel	80 V	351 A	1.05 mOhms	20 V	4 V	166 nC	- 55 C	+ 175 C	311 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL NVTFS6H854NLWFTAG onsemi 1: S/8.10 4,076En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVTFS6H854NLWFTAG N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS6H854NLWFTG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	4,076En existencias	Cinta cortada S/8.10 S/3.88 S/3.36 S/2.64 S/2.27 Envase tipo carrete S/2.27 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	80 V	44 A	14.5 mOhms	20 V	4 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET NTTFS2D8N04HLTAG onsemi 1: S/8.14 1,940En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFS2D8N04HLTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS2D8N04HLTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	1,940En existencias	Cinta cortada S/8.14 S/3.93 S/3.37 S/2.65 S/2.28 Envase tipo carrete S/2.28 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	104 A	2.75 mOhms	20 V	2 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET NVMFS6H801NWFT1G onsemi 1: S/15.03 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFS6H801NWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS6H801NWFT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/15.03 S/7.59 S/6.89 S/5.61 S/5.29 Envase tipo carrete S/5.29 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	80 V	157 A	2.8 mOhms	20 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 175 C	166 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL NVMFS6H858NLWFT1G onsemi 1: S/6.81 254En existencias 1,500Se espera el 19/01/2028	N.º de artículo del Fabricante NVMFS6H858NLWFT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFS6H858NLWFT1	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	254En existencias 1,500Se espera el 19/01/2028	Cinta cortada S/6.81 S/4.20 S/2.77 S/1.81 S/1.66 Envase tipo carrete S/1.51	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4															Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL NVTFS6H850NLWFTAG onsemi 1: S/9.34 7En existencias 6,000Se espera el 4/06/2027	N.º de artículo del Fabricante NVTFS6H850NLWFTAG N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS6H850NLWFTG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	7En existencias 6,000Se espera el 4/06/2027	Cinta cortada S/9.34 S/5.22 S/3.87 S/3.08 S/2.60 Envase tipo carrete S/2.60	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	80 V	64 A	8.6 mOhms	20 V	2 V	26 nC	- 55 C	+ 175 C	73 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel NTMFS6H800NLT1G onsemi 1: S/17.13 92En existencias 31,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTMFS6H800NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS6H800NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	92En existencias 31,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTMFS6H800NLT1G Existencias: 92 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 18,000 Se espera el 13/10/2027 13,500 Se espera el 15/02/2028 Plazo de entrega de fábrica: 27 Semanas	Cinta cortada S/17.13 S/10.28 S/7.75 S/6.50 S/6.15 Envase tipo carrete S/6.15	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,800 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	80 V	224 A	1.9 mOhms	20 V	2 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL onsemi NVTFS6H860NLWFTAG NVTFS6H860NLWFTAG onsemi 1: S/7.16 2,762En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVTFS6H860NLWFTAG N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS6H86NLWFTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi on semi nvtfs6h860nl mosfet	Hoja de datos	2,762En existencias	Cinta cortada S/7.16 S/3.42 S/2.96 S/2.30 S/1.92 Envase tipo carrete S/1.92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	30 A	20 mOhms	20 V	2 V	12 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS NVMFD6H846NLT1G onsemi 1: S/11.99 980En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD6H846NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD6H846NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS Obtenga más información sobre onsemi on semi nvmfd6h846nl mosfet	Hoja de datos	980En existencias	Cinta cortada S/11.99 S/5.96 S/5.18 S/4.32 S/3.89 Envase tipo carrete S/3.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	80 V	31 A	15 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 175 C	34 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL onsemi NVTFS6H880NLWFTAG NVTFS6H880NLWFTAG onsemi 1: S/6.15 193En existencias 10,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVTFS6H880NLWFTAG N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS6H88NLWFTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	193En existencias 10,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVTFS6H880NLWFTAG Existencias: 193 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 3/11/2026 6,000 Se espera el 10/11/2026 1,500 Se espera el 15/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 32 Semanas	Cinta cortada S/6.15 S/3.80 S/2.50 S/1.97 S/1.68 Envase tipo carrete S/1.68	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	22 A	29 mOhms	20 V	2 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL NVTFS6H880NLTAG onsemi 1: S/3.54 917En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVTFS6H880NLTAG N.º de artículo de Mouser 863-NVTFS6H880NLTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	917En existencias	Cinta cortada S/3.54 S/1.63 S/1.44 Envase tipo carrete S/1.44	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 123 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	80 V	22 A	29 mOhms	20 V	2 V	9 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS NVMFD6H840NLT1G onsemi 1: S/14.91 21,099En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFD6H840NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFD6H840NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS Obtenga más información sobre onsemi n channel auto power mosfet	Hoja de datos	21,099En existencias	Cinta cortada S/14.91 S/7.55 S/6.81 S/5.57 S/5.25 Envase tipo carrete S/5.25 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-Dual-8	N-Channel	2 Channel	80 V	74 A	6.9 mOhms	20 V	2 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL NTBLS1D1N08H onsemi 1: S/33.01 1,128En existencias 6,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante NTBLS1D1N08H N.º de artículo de Mouser 863-NTBLS1D1N08H	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	1,128En existencias 6,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NTBLS1D1N08H Existencias: 1,128 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 9/06/2027 4,000 Se espera el 1/03/2028 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/33.01 S/17.91 S/16.47 S/15.26 Envase tipo carrete S/15.26 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,000 : 2,000	Si	SMD/SMT	TO-LL8-8	N-Channel	1 Channel	80 V	351 A	1.05 mOhms	20 V	4 V	166 nC	- 55 C	+ 175 C	311 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS NTMFS5H409NLT3G onsemi 1: S/14.13 4,916En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS5H409NLT3G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5H409NLT3G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	4,916En existencias	Cinta cortada S/14.13 S/7.12 S/6.42 S/5.22 S/4.98 Envase tipo carrete S/4.87	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4															Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS NTMFS5H610NLT1G onsemi 1: S/5.72 5,939En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS5H610NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5H610NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	5,939En existencias	Cinta cortada S/5.72 S/2.69 S/2.39 S/1.87 S/1.46 Envase tipo carrete S/1.39 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	44 A	10 mOhms	20 V	1.2 V	13.7 nC	- 55 C	+ 150 C	43 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS NTMFS5H615NLT1G onsemi 1: S/13.82 1,298En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS5H615NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5H615NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	1,298En existencias	Cinta cortada S/13.82 S/6.93 S/6.27 S/5.41 S/4.94 Envase tipo carrete S/4.71 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	185 A	1.8 mOhms	20 V	2 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS NTMFS5H630NLT1G onsemi 1: S/9.54 3,727En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS5H630NLT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5H630NLT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	3,727En existencias	Cinta cortada S/9.54 S/4.67 S/4.20 S/3.34 S/2.86 Envase tipo carrete S/2.86 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	3.1 mOhms	20 V	2 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI NTMFS6D1N08HT1G onsemi 1: S/9.23 2,350En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMFS6D1N08HT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS6D1N08HT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V 1 PART PROLI FERATI Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	2,350En existencias	Cinta cortada S/9.23 S/4.48 S/4.01 S/3.38 Envase tipo carrete S/2.83 Ver S/3.03 S/2.72	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SO-8FL-4	N-Channel	1 Channel	80 V	89 A	5.5 mOhms	20 V	2 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET NTMFS6H800NT1G onsemi 1: S/18.80 3,901En existencias 4,500Se espera el 13/08/2027	N.º de artículo del Fabricante NTMFS6H800NT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS6H800NT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET Obtenga más información sobre onsemi trench8 mosfets	Hoja de datos	3,901En existencias 4,500Se espera el 13/08/2027	Cinta cortada S/18.80 S/11.05 S/9.19 S/7.71 S/7.01 Envase tipo carrete S/6.73 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	80 V	203 A	1.8 mOhms	20 V	2 V	85 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel