Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

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Resultados: 103

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En existencias

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Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel

NTMFS6H800NLT1G
onsemi
1: S/16.50
863En existencias
18,000Se espera el 18/10/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H800NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H800NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel

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Hoja de datos

863En existencias

18,000Se espera el 18/10/2027

Cinta cortada

S/16.50

S/10.82

S/7.98

S/6.70

S/5.84

Envase tipo carrete

S/5.84

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,730

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

224 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H818NT1G
onsemi
1: S/12.65
1,393En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H818NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H818NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

1,393En existencias

Cinta cortada

S/12.65

S/8.45

S/6.50

S/5.53

Envase tipo carrete

S/4.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

123 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H409NLT1G
onsemi
1: S/8.91
4,009En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H409NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H409NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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Hoja de datos

4,009En existencias

Cinta cortada

S/8.91

S/6.03

S/5.10

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.63

S/4.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

270 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NVMFS6H864NLT1G
onsemi
1: S/6.73
22,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H864NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H864NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

22,500En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/3.23

S/2.49

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.73

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H854NLWFTAG
onsemi
1: S/7.79
4,079En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H854NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H854NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

4,079En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.98

S/3.20

S/2.48

Envase tipo carrete

S/2.03

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

44 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

NVMFS6H836NT1G
onsemi
1: S/10.28
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H836NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H836NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL

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Hoja de datos

5En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.62

S/4.44

S/3.43

Envase tipo carrete

S/2.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

80 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H600NLT1G
onsemi
1: S/16.70
8,402En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H600NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H600NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

8,402En existencias

Cinta cortada

S/16.70

S/9.89

S/7.28

Envase tipo carrete

S/7.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 260

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

250 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H860NLTAG
onsemi
1: S/5.80
14,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H860NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H860NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

14,988En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.21

S/2.40

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.80

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET

NTTFS2D8N04HLTAG
onsemi
1: S/7.82
2,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS2D8N04HLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS2D8N04HLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN U8FL HEFET

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2,015En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.22

S/2.49

Envase tipo carrete

S/2.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

104 A

2.75 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H846NLT1G
onsemi
1: S/10.90
985En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H846NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H846NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

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Hoja de datos

985En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/6.42

S/4.83

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

31 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H860NLWFTAG
onsemi
1: S/6.93
2,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H860NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H86NLWFTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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2,841En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/3.21

S/2.40

S/2.08

Envase tipo carrete

S/1.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NVTFS6H880NLTAG
onsemi
1: S/3.54
1,409En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS6H880NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS6H880NLTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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Hoja de datos

1,409En existencias

Cinta cortada

S/3.54

S/2.20

S/1.43

Envase tipo carrete

S/1.43

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NVMFS6H800NT1G
onsemi
1: S/24.80
11,070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS6H800NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS6H800NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

11,070En existencias

Cinta cortada

S/24.80

S/16.62

S/11.99

S/11.02

S/10.35

Envase tipo carrete

S/10.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

203 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

NTBLS1D1N08H
onsemi
1: S/31.80
1,350En existencias
2,000Se espera el 18/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTBLS1D1N08H

N.º de artículo de Mouser
863-NTBLS1D1N08H

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL

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Hoja de datos

1,350En existencias

2,000Se espera el 18/09/2026

Cinta cortada

S/31.80

S/21.60

S/15.80

S/15.38

S/14.40

Envase tipo carrete

S/14.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

80 V

351 A

1.05 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

311 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

NTMFS5H409NLT3G
onsemi
1: S/8.87
4,916En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H409NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H409NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS

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Hoja de datos

4,916En existencias

Cinta cortada

S/8.87

S/6.03

S/5.10

S/4.94

S/4.75

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H610NLT1G
onsemi
1: S/5.53
6,236En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H610NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H610NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

6,236En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/3.48

S/2.30

Envase tipo carrete

S/2.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 310

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

44 A

10 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

13.7 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H615NLT1G
onsemi
1: S/13.35
1,290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H615NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H615NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

1,290En existencias

Cinta cortada

S/13.35

S/8.68

S/6.03

S/5.18

S/4.79

Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

185 A

1.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

63 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

NTMFS5H630NLT1G
onsemi
1: S/9.23
3,848En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5H630NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5H630NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS

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Hoja de datos

3,848En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.92

S/4.05

S/3.20

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H801NLT1G
onsemi
1: S/13.35
1,286En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H801NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H801NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

1,286En existencias

Cinta cortada

S/13.35

S/8.68

S/6.03

S/4.90

S/4.48

Envase tipo carrete

S/4.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

NTMFS6H818NT1G
onsemi
1: S/11.17
2,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H818NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H818NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET

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Hoja de datos

2,997En existencias

Cinta cortada

S/11.17

S/7.20

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 140

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

123 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H848NLT1G
onsemi
1: S/6.66
11,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H848NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H848NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

Obtenga más información

Hoja de datos

11,784En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.24

S/2.81

S/2.21

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

59 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

73 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

NTMFS6H864NLT1G
onsemi
1: S/4.52
7,154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS6H864NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS6H864NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

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Hoja de datos

7,154En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.79

S/1.83

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 300

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

29 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

NTTFS2D1N04HLTWG
onsemi
1: S/8.29
3,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS2D1N04HLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS2D1N04HLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

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3,374En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/5.33

S/3.58

Envase tipo carrete

S/3.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 380

: 3,000

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

43.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

PowerTrench

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H840NLT1G
onsemi
1: S/14.67
2,840En existencias
13,500Se espera el 11/08/2026

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NVMFD6H840NLT1G

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863-NVMFD6H840NLT1G

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13,500Se espera el 11/08/2026

Cinta cortada

S/14.67

S/9.58

S/6.70

S/5.57

S/4.90

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,500

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

74 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS

NVMFD6H840NLWFT1G
onsemi
1: S/14.36
1,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD6H840NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD6H840NLWF1G

onsemi

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Cinta cortada

S/14.36

S/9.38

S/6.54

S/5.33

S/4.94

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

80 V

14 A, 74 A

6.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Trench8 MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

13 A
14 A
14 A, 74 A
22 A
23 A
25 A
30 A
31 A
32 A
33 A
38 A
41 A
42 A
43 A
44 A
48 A
50 A
57 A
59 A
60 A

1.05 mOhms
1.1 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.75 mOhms
2.8 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.7 mOhms
3.9 mOhms
4 mOhms
4.5 mOhms
5.2 mOhms
5.5 mOhms
5.9 mOhms

4.7 nC
6 nC
6.9 nC
8.7 nC
8.9 nC
9 nC
9.5 nC
10 nC
12 nC
13 nC
13.5 nC
13.7 nC
16 nC
17 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22.5 nC
25 nC
26 nC

18 W
23 W
26 W
31 W
33 W
34 W
38 W
42 W
43 W
46 W
54 W
63 W
66 W
68 W
73 W
83 W
89 W
90 W
100 W
104 W