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Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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RB588VYM100FHTR
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI

YQ3VWM10BTR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 40V 18A

RS1G180MNTB
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOSFET N-CH 40V 18A

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SCS304AHGC9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

AG091FLD3HRBTL
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

AG092FLD3HRBTL
ROHM Semiconductor
1: S/7.20
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P CHAN 40V

AG508EGD3HRBTL
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 3A SM SKY BARRI

RB058RSM20STFTL1
ROHM Semiconductor
1: S/5.92
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 3A SM SKY BARRI

RB058RSM20STL1
ROHM Semiconductor
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 3A SM SKY BARRI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G08DBLHRBTL
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1: S/8.37
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

RD3L08DBKHRBTL
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 80A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete Semiconductors, Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), Nch 100V 57A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3P06BBLHRBTL
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 40V 12A

RF7G120BKFRATCR
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN2020 N-CH 60V 12A

RF9L120BLFRATCR
ROHM Semiconductor
1: S/6.07
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N-CH 40V 135A

RH6G040CGTB1
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RH6G040CGTB1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 40V

RH7G04DBKFRATCB
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RH7G04DBKFRATCB

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 40V

RH7L03BBKFRATCB
ROHM Semiconductor
1: S/6.97
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RH7L03BBKFRATCB

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S/6.97

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S/2.95

S/2.42

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S/1.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 P CHAN 60V

RH7L04CBJFRATCB
ROHM Semiconductor
1: S/7.67
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RH7L04CBJFRATCB

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755-RH7L04CBJFRATCB

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S/3.30

S/2.62

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S/2.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 60V

RH7L04CBKFRATCB
ROHM Semiconductor
1: S/8.17
2,157En existencias
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RH7L04CBKFRATCB

N.º de artículo de Mouser
755-RH7L04CBKFRATCB

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN8 N CHAN 60V

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S/5.22

S/3.61

S/3.06

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S/2.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET

RJ1L10BBGTL1
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1: S/26.39
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RJ1L10BBGTL1

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755-RJ1L10BBGTL1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET

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S/26.39

S/17.83

S/13.16

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S/10.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 N CHAN 40V

RQ3G120BKFRATCB
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1: S/3.78
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RQ3G120BKFRATCB

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755-RQ3G120BKFRATCB

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S/3.78

S/2.36

S/1.92

Envase tipo carrete

S/1.63

S/1.62

S/1.60

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT N CHAN 60V

RQ3L120BLFRATCB
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1: S/6.27
2,610En existencias
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RQ3L120BLFRATCB

N.º de artículo de Mouser
755-RQ3L120BLFRATCB

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S/3.97

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S/1.65

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