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RJ1L10BBGTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1L10BBGTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1L10BBGTL1
Price: 26.39 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RJ1L10BBGTL1

Fabricante N.º:

RJ1L10BBGTL1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET

Ciclo de vida:

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	S/26.39	S/26.39
	S/17.83	S/178.30
	S/13.16	S/1,316.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	S/10.74	S/8,592.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263AB-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	240 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.85 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	160 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	192 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	140 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	64 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	31 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	230 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	49 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RJ1x10BBG Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Power MOSFETs are N-channel power MOSFETs featuring low on-resistance and a high power package. The RJ1G10BBG and RJ1L10BBG power MOSFETs have a drain-source voltage of 40V and 60V, a continuous drain current of ±280A and ±240A, respectively, and a power dissipation of 192W. The RJ1x10BBG power MOSFETs are RoHS compliant. These power MOSFETs feature lead-free plating, are halogen-free, and 100% Rg and UIS tested. The RJ1x10BBG power MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching, motor drives, and DC/DC converters.