Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

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Resultados: 34

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NTTFS4D9N04XMTAG onsemi 1: S/4.67 1,182En existencias 3,000Se espera el 26/10/2026 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFS4D9N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS4D9N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,182En existencias 3,000Se espera el 26/10/2026	Cinta cortada S/4.67 S/2.42 S/1.89 Envase tipo carrete S/1.89	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 414 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	65 A	4.9 mOhms	20 V	3.5 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS4D7N04XMT1G onsemi 1: S/4.28 1,870En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTMFS4D7N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS4D7N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,870En existencias	Cinta cortada S/4.28 S/2.27 S/1.74 Envase tipo carrete S/1.74	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 170 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.7 mOhms	20 V	3.5 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS006N08LHTWG onsemi 1: S/13.78 1,170En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS006N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS006N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,170En existencias	Cinta cortada S/13.78 S/12.49 S/9.42 S/7.90 Envase tipo carrete S/4.67 Ver S/7.36 S/4.55	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	77 A	7.8 mOhms	20 V	2 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	89 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS3D5N08XT1G onsemi 1: S/12.42 49En existencias 3,000Se espera el 5/04/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS3D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS3D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	49En existencias 3,000Se espera el 5/04/2027	Cinta cortada S/12.42 S/7.16 S/5.96 S/4.40 S/3.89 Envase tipo carrete S/3.89	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	119 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS1D3N04XMT1G onsemi 1: S/10.12 37En existencias 13,500En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS1D3N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	37En existencias 13,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFWS1D3N04XMT1G Existencias: 37 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 9,000 Se espera el 24/11/2026 4,500 Se espera el 4/12/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/10.12 S/6.46 S/4.40 S/3.72 S/3.30 Envase tipo carrete S/3.30	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,359 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	195 A	1.3 mOhms	20 V	3.5 V	38.6 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS0D63N04XMT1G onsemi 1: S/15.84 2,661En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS0D63N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-MFWS0D63N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,661En existencias	Cinta cortada S/15.84 S/8.06 S/7.32 Envase tipo carrete S/7.32	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 328 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	384 A	600 uOhms	20 V	3.5 V	92.2 nC	- 55 C	+ 175 C	157 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 NTTFSSCH0D7N02X onsemi 1: S/11.60 3,085En existencias 5,000Se espera el 4/06/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFSSCH0D7N02X N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSSCH0D7N02X Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	3,085En existencias 5,000Se espera el 4/06/2027	Cinta cortada S/11.60 S/5.76 S/5.25 S/4.28 Envase tipo carrete S/4.28	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 942 : 5,000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	310 A	580 uOhms	- 12 V, 16 V	2 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	87 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 NTTFSSH1D3N04XL onsemi 1: S/12.30 2,933En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFSSH1D3N04XL N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSSH1D3N04XL Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,933En existencias	Cinta cortada S/12.30 S/6.11 S/5.53 Envase tipo carrete S/5.53	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 294 : 3,000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	207 A	1.3 mOhms	20 V	2.2 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS2D9N04XMT1G onsemi 1: S/8.06 6,653En existencias 4,500Se espera el 12/03/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D9N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS2D9N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	6,653En existencias 4,500Se espera el 12/03/2027	Cinta cortada S/8.06 S/5.06 S/3.33 S/2.64 S/2.35 Envase tipo carrete S/2.35 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,150 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	94 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	15.7 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS013N08LHTWG onsemi 1: S/12.34 2,950En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS013N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS013N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,950En existencias	Cinta cortada S/12.34 S/10.94 S/8.29 S/6.93 S/6.42 Envase tipo carrete S/4.01	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	42 A	17 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 175 C	53 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS020N08LHTWG onsemi 1: S/11.52 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS020N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS020N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada S/11.52 S/10.47 S/7.67 S/6.23 Envase tipo carrete S/3.71 Ver S/5.76 S/3.63	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	30 A	25 mOhms	20 V	2 V	12 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NTTFS1D4N04XMTAG onsemi 1: S/8.60 1,647En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFS1D4N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS1D4N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,647En existencias	Cinta cortada S/8.60 S/4.87 S/3.68 Envase tipo carrete S/3.68	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 156 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	178 A	1.43 mOhms	20 V	3.5 V	35.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS004N04XMT1G onsemi 1: S/6.89 1,425En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS004N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS004N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,425En existencias	Cinta cortada S/6.89 S/3.27 S/2.92 Envase tipo carrete S/2.92	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 143 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.7 mOhms	20 V	3.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS1D1N04XMT1G onsemi 1: S/11.05 785En existencias 13,500En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS1D1N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	785En existencias 13,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFWS1D1N04XMT1G Existencias: 785 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 11/06/2027 10,500 Se espera el 15/02/2028 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/11.05 S/7.12 S/4.90 S/3.97 S/3.68 Envase tipo carrete S/3.68	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,444 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	233 A	1.05 mOhms	20 V	3.5 V	49.3 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NVTFWS4D9N04XMTAG onsemi 1: S/6.85 2,889En existencias 1,500Se espera el 1/02/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVTFWS4D9N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-VTFWS4D9N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,889En existencias 1,500Se espera el 1/02/2027	Cinta cortada S/6.85 S/2.71 S/2.41 Envase tipo carrete S/2.41	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 399 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFNW-8	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.9 mOhms	20 V	3.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS003N08LHTWG onsemi 1: S/16.19 2,191En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS003N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS003N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,191En existencias	Cinta cortada S/16.19 S/8.25 S/7.47 S/6.23 Envase tipo carrete S/5.84	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	132 A	4.3 mOhms	20 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 175 C	137 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS029N08LHTWG onsemi 1: S/11.29 2,405En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS029N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS029N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,405En existencias	Cinta cortada S/11.29 S/7.12 S/5.02 S/4.05 Envase tipo carrete S/3.49	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	22 A	38 mOhms	20 V	2 V	4 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE NTTFSS002N04HL onsemi 1: S/11.29 1,995En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFSS002N04HL N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSS002N04HL	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,995En existencias	Cinta cortada S/11.29 S/5.61 S/5.02 S/4.05 S/3.81 Envase tipo carrete S/3.60	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	150 A	3.1 mOhms	20 V	2 V	20.3 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS2D5N08XT1G onsemi 1: S/14.83 28,804En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS2D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	28,804En existencias	Cinta cortada S/14.83 S/7.55 S/6.77 S/5.57 S/4.90 Envase tipo carrete S/4.90	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW5	N-Channel	1 Channel	80 V	156 A	2.55 mOhms	20 V	3.6 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS6D2N08XT1G onsemi 1: S/8.84 3,836En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS6D2N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS6D2N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	3,836En existencias	Cinta cortada S/8.84 S/4.28 S/3.83 S/3.05 S/2.86 Envase tipo carrete S/2.67 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	71 A	6.2 mOhms	20 V	3.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 NVMJST1D4N06CLTXG onsemi 1: S/17.28 5,782En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMJST1D4N06CLTXG N.º de artículo de Mouser 863-VMJST1D4N06CLTXG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	5,782En existencias	Cinta cortada S/17.28 S/8.84 S/8.02 S/6.81 Envase tipo carrete S/6.42	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TCPAK57	N-Channel	1 Channel	60 V	198 A	1.49 mOhms	20 V	2 V	92.2 nC	- 55 C	+ 175 C	113 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL NTTFS6H888NLTAG onsemi 1: S/3.97 2,487En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFS6H888NLTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS6H888NLTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,487En existencias	Cinta cortada S/3.97 S/2.47 S/1.61 S/1.24 Envase tipo carrete S/1.08 Ver S/1.18 S/0.899 S/0.884 S/0.841	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	80 V	14 A	67 mOhms	20 V	2 V	6 nC	- 55 C	+ 175 C	23 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS1D9N08XT1G onsemi 1: S/16.15 902En existencias 1,500Se espera el 6/10/2026	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D9N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS1D9N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	902En existencias 1,500Se espera el 6/10/2026	Cinta cortada S/16.15 S/8.21 S/7.47 S/6.70 S/6.23 Envase tipo carrete S/5.84	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW5	N-Channel		80 V	201 A	1.9 mOhms	20 V		39 nC	- 55 C	+ 175 C	164 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS2D1N08XT1G onsemi 1: S/15.03 110En existencias 10,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D1N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS2D1N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	110En existencias 10,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFWS2D1N08XT1G Existencias: 110 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 4/01/2027 7,500 Se espera el 29/12/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada S/15.03 S/8.91 S/7.05 S/5.72 S/5.14 Envase tipo carrete S/5.14	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	181 A	2.1 mOhms	20 V	3.6 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS4D5N08XT1G onsemi 1: S/10.47 50En existencias 3,000Se espera el 19/01/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS4D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS4D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	50En existencias 3,000Se espera el 19/01/2027	Cinta cortada S/10.47 S/6.03 S/4.59 S/3.63 S/3.16 Envase tipo carrete S/3.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	92 A	4.5 mOhms	20 V	3.6 V	24 nC	- 55 C	+ 175 C	82 W	Enhancement	Reel, Cut Tape