Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

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Resultados: 34

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NTMFS4D7N04XMT1G
onsemi
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NTMFS4D7N04XMT1G

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863-NTMFS4D7N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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S/3.70

S/2.30

S/1.50

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.903

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

4.7 mOhms

20 V

3.5 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN

NTTFSSCH0D7N02X
onsemi
1: S/10.00
4,158En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFSSCH0D7N02X

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFSSCH0D7N02X

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN

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Cinta cortada

S/10.00

S/6.46

S/4.63

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.11

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

25 V

310 A

580 uOhms

- 12 V, 16 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

87 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

NTTFSSH1D3N04XL
onsemi
1: S/10.82
2,376En existencias
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NTTFSSH1D3N04XL

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863-NTTFSSH1D3N04XL

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

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S/10.82

S/7.01

S/5.02

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.29

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SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

207 A

1.3 mOhms

20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS1D3N04XMT1G
onsemi
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NVMFWS1D3N04XMT1G

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863-VMFWS1D3N04XMT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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S/8.99

S/5.76

S/3.93

S/3.25

S/3.01

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S/2.65

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SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

38.6 nC

- 55 C

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90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS0D63N04XMT1G
onsemi
1: S/14.52
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1,500Se espera el 19/06/2026
Nuevo producto

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NVMFWS0D63N04XMT1G

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863-MFWS0D63N04XMT1G

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1,500Se espera el 19/06/2026

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S/14.52

S/9.46

S/7.43

S/6.23

S/5.33

Envase tipo carrete

S/5.33

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

384 A

600 uOhms

20 V

3.5 V

92.2 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

NTTFS1D4N04XMTAG
onsemi
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NTTFS1D4N04XMTAG

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863-NTTFS1D4N04XMTAG

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S/7.59

S/4.87

S/3.35

S/2.84

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S/2.19

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

178 A

1.43 mOhms

20 V

3.5 V

35.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

NTTFS4D9N04XMTAG
onsemi
1: S/4.01
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NTTFS4D9N04XMTAG

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863-NTTFS4D9N04XMTAG

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onsemi

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Cinta cortada

S/4.01

S/2.50

S/1.63

S/1.26

Envase tipo carrete

S/1.03

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

65 A

4.9 mOhms

20 V

3.5 V

10.4 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS004N04XMT1G
onsemi
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NVMFWS004N04XMT1G

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S/6.19

S/3.93

S/2.62

S/2.15

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.72

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

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3.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

NVMFWS0D6N04XMT1G
onsemi
1: S/15.61
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1,500Se espera el 6/03/2026
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NVMFWS0D6N04XMT1G

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863-VMFWS0D6N04XMT1G

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S/15.61

S/10.24

S/7.55

S/6.70

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.37

Min.: 1
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Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

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3.5 V

87 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS1D1N04XMT1G
onsemi
1: S/10.39
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6,000Se espera el 18/09/2026
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NVMFWS1D1N04XMT1G

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863-VMFWS1D1N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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6,000Se espera el 18/09/2026

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S/10.39

S/6.66

S/4.55

S/3.77

S/3.32

Envase tipo carrete

S/3.32

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

20 V

3.5 V

49.3 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS2D9N04XMT1G
onsemi
1: S/6.89
1,999En existencias
6,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS2D9N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS2D9N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Cinta cortada

S/6.89

S/4.36

S/2.90

S/2.38

S/2.08

Envase tipo carrete

S/2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

94 A

3.1 mOhms

20 V

3.5 V

15.7 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE

NVTFWS1D3N04XMTAG
onsemi
1: S/10.28
1,232En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS1D3N04XMTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VTFWS1D3N04XMTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE

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Hoja de datos

1,232En existencias

Cinta cortada

S/10.28

S/6.58

S/4.48

S/3.73

Envase tipo carrete

S/3.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

178 A

1.43 mOhms

20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 66 A, 4.9 mohm

NVTFWS4D9N04XMTAG
onsemi
1: S/2.92
920En existencias
1,500Se espera el 18/02/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS4D9N04XMTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VTFWS4D9N04XMTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 66 A, 4.9 mohm

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Hoja de datos

920En existencias

1,500Se espera el 18/02/2026

Cinta cortada

S/2.92

S/2.07

S/1.63

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.41

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

4.9 mOhms

20 V

3.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 77 A, 6.2mohm Single N-Channel

NTMYS006N08LHTWG
onsemi
1: S/12.57
2,045En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS006N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS006N08LHTWG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 77 A, 6.2mohm Single N-Channel

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Hoja de datos

2,045En existencias

Cinta cortada

S/12.57

S/8.17

S/5.99

S/5.02

S/4.67

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

77 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 42A, 13.1mohm Single N-Channel

NTMYS013N08LHTWG
onsemi
1: S/10.86
2,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS013N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS013N08LHTWG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 42A, 13.1mohm Single N-Channel

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Hoja de datos

2,950En existencias

Cinta cortada

S/10.86

S/7.01

S/5.02

S/4.20

Envase tipo carrete

S/3.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 30A, 19.5mohm Single N-Channel

NTMYS020N08LHTWG
onsemi
1: S/10.24
3,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS020N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS020N08LHTWG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 30A, 19.5mohm Single N-Channel

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/10.24

S/6.62

S/4.71

S/3.97

S/3.65

Envase tipo carrete

S/3.10

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 22A, 29mohm Single N-Channel

NTMYS029N08LHTWG
onsemi
1: S/10.43
2,740En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS029N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS029N08LHTWG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80 V, 22A, 29mohm Single N-Channel

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Hoja de datos

2,740En existencias

Cinta cortada

S/10.43

S/6.70

S/4.55

S/3.79

S/3.51

Envase tipo carrete

S/2.98

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE

NTTFSS002N04HL
onsemi
1: S/10.16
2,795En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFSS002N04HL

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFSS002N04HL

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE

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Hoja de datos

2,795En existencias

Cinta cortada

S/10.16

S/6.58

S/4.52

S/3.62

Envase tipo carrete

S/2.97

S/2.96

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20.3 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 253 A, 1.5 mohm

NVMFWS1D5N08XT1G
onsemi
1: S/17.09
1,816En existencias
6,000En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS1D5N08XT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 253 A, 1.5 mohm

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Hoja de datos

1,816En existencias

6,000En pedido

Cinta cortada

S/17.09

S/11.21

S/9.30

S/7.43

Envase tipo carrete

S/6.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

253 A

1.43 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 201 A, 1.9 mohm

NVMFWS1D9N08XT1G
onsemi
1: S/14.87
2,015En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D9N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS1D9N08XT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 201 A, 1.9 mohm

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Hoja de datos

2,015En existencias

Cinta cortada

S/14.87

S/9.73

S/7.63

S/6.38

S/5.92

Envase tipo carrete

S/4.98

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW5

N-Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 156 A, 2.5 mohm

NVMFWS2D5N08XT1G
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S/8.33

S/5.80

S/4.94

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.01

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW5

N-Channel

1 Channel

80 V

156 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 135 A, 3 mohm

NVMFWS3D0N08XT1G
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S/5.06

S/4.20

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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

38 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package

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S/15.57

S/10.24

S/7.20

S/6.50

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S/5.45

Ver

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TCPAK57

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.49 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

92.2 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 14A, 50mohm

NTTFS6H888NLTAG
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S/2.30

S/1.57

S/1.23

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S/0.849

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

14 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 181 A, 2.1 mohm

NVMFWS2D1N08XT1G
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S/13.47

S/8.76

S/6.70

S/5.64

S/4.83

Envase tipo carrete

S/4.40

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Single N-Channel Power MOSFETs

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Recursos

Soporte

14 A
22 A
30 A
42 A
59 A
65 A
66 A
71 A
77 A
79 A
92 A
94 A
119 A
121 A
132 A
135 A
140 A
150 A
156 A
178 A

570 uOhms
580 uOhms
600 uOhms
1.05 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.49 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.35 mOhms
2.55 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
4.7 mOhms
4.9 mOhms
5.3 mOhms

4 nC
6 nC
10.4 nC
10.6 nC
12 nC
15.7 nC
17 nC
19 nC
20.3 nC
22.2 nC
24 nC
25 nC
28 nC
32 nC
33 nC
34 nC
35.4 nC
36 nC
38 nC
38.6 nC

23 W
33 W
38 W
42 W
50 W
53 W
63 W
68 W
73 W
82 W
83 W
84 W
87 W
89 W
90 W
104 W
107 W
113 W
119 W
133 W