Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

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Resultados: 34

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS006N08LHTWG
onsemi
1: S/13.43
1,437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS006N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS006N08LHTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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1,437En existencias

Cinta cortada

S/13.43

S/12.49

S/9.03

S/7.55

S/7.01

Envase tipo carrete

S/4.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

77 A

7.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

89 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF

NVTFWS005N08XLTAG
onsemi
1: S/8.64
535En existencias
4,500Se espera el 13/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS005N08XLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VTFWS005N08XLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V LL NCH MOSFET U8FL HE WF

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535En existencias

4,500Se espera el 13/11/2026

Cinta cortada

S/8.64

S/5.53

S/3.72

Envase tipo carrete

S/3.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

79 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

NTTFSSCH1D3N04XL
onsemi
1: S/11.41
19En existencias
20,000Se espera el 7/05/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFSSCH1D3N04XL

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFSSCH1D3N04XL

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

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19En existencias

20,000Se espera el 7/05/2027

Cinta cortada

S/11.41

S/7.28

S/5.06

S/4.20

Ver

Envase tipo carrete

S/3.75

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,710

: 5,000

SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

207 A

1.3 mOhms

20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

NVTFWS4D9N04XMTAG
onsemi
1: S/6.54
685En existencias
3,000Se espera el 10/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS4D9N04XMTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VTFWS4D9N04XMTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

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3,000Se espera el 10/07/2026

Cinta cortada

S/6.54

S/4.05

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.65

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360

: 1,500

SMD/SMT

WDFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

4.9 mOhms

20 V

3.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS0D63N04XMT1G
onsemi
1: S/15.30
1,776En existencias
1,500Se espera el 16/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS0D63N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-MFWS0D63N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Cinta cortada

S/15.30

S/10.04

Envase tipo carrete

S/10.04

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

384 A

600 uOhms

20 V

3.5 V

92.2 nC

- 55 C

+ 175 C

157 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

NTTFSSH1D3N04XL
onsemi
1: S/11.87
2,944En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFSSH1D3N04XL

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFSSH1D3N04XL

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

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2,944En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/7.71

Envase tipo carrete

S/7.71

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

: 3,000

SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

207 A

1.3 mOhms

20 V

2.2 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS1D1N04XMT1G
onsemi
1: S/10.63
5,721En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS1D1N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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5,721En existencias

Cinta cortada

S/10.63

S/6.85

S/4.71

S/3.76

S/3.64

Envase tipo carrete

S/3.64

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,500

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.05 mOhms

20 V

3.5 V

49.3 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS2D9N04XMT1G
onsemi
1: S/7.16
6,244En existencias
7,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS2D9N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS2D9N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

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S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

S/1.95

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,340

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

94 A

3.1 mOhms

20 V

3.5 V

15.7 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS013N08LHTWG
onsemi
1: S/12.22
2,950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS013N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS013N08LHTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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Cinta cortada

S/12.22

S/10.94

S/8.10

S/6.62

S/6.11

Envase tipo carrete

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

42 A

17 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

53 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS020N08LHTWG
onsemi
1: S/10.98
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS020N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS020N08LHTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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Cinta cortada

S/10.98

S/10.47

S/7.28

S/5.92

S/5.49

Envase tipo carrete

S/3.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

30 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS029N08LHTWG
onsemi
1: S/11.13
2,348En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS029N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS029N08LHTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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2,348En existencias

Cinta cortada

S/11.13

S/7.16

S/4.87

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.46

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

22 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

4 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

NTTFS1D4N04XMTAG
onsemi
1: S/8.33
1,611En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS1D4N04XMTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS1D4N04XMTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE

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1,611En existencias

Cinta cortada

S/8.33

S/5.22

S/3.50

Envase tipo carrete

S/3.50

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

178 A

1.43 mOhms

20 V

3.5 V

35.4 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS004N04XMT1G
onsemi
1: S/6.62
1,425En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS004N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS004N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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1,425En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.81

Envase tipo carrete

S/2.81

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

66 A

4.7 mOhms

20 V

3.5 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

38 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

NVMFWS0D6N04XMT1G
onsemi
1: S/16.43
104En existencias
3,000Se espera el 17/07/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS0D6N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS0D6N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

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104En existencias

3,000Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

S/16.43

S/10.78

S/7.59

S/6.34

Envase tipo carrete

S/6.34

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 640

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

380 A

570 uOhms

20 V

3.5 V

87 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

NVMFWS1D3N04XMT1G
onsemi
1: S/9.58
109En existencias
13,500En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D3N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFWS1D3N04XMT1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

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Hoja de datos

109En existencias

13,500En pedido

Cinta cortada

S/9.58

S/6.15

S/4.20

S/3.55

S/3.14

Envase tipo carrete

S/3.14

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,350

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

40 V

195 A

1.3 mOhms

20 V

3.5 V

38.6 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE

NVTFWS1D3N04XMTAG
onsemi
1: S/10.51
1,368En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS1D3N04XMTAG

N.º de artículo de Mouser
863-VTFWS1D3N04XMTAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE

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1,368En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/6.81

S/4.67

Envase tipo carrete

S/4.67

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

: 1,500

SMD/SMT

WDFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

178 A

1.43 mOhms

20 V

3.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

NTMYS003N08LHTWG
onsemi
1: S/10.47
2,220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS003N08LHTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS003N08LHTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

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Hoja de datos

2,220En existencias

Cinta cortada

S/10.47

S/7.16

S/6.07

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.53

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

80 V

132 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

137 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE

NTTFSS002N04HL
onsemi
1: S/10.90
2,795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFSS002N04HL

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFSS002N04HL

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE

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2,795En existencias

Cinta cortada

S/10.90

S/7.05

S/4.83

S/3.88

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

WDFN-9

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

20.3 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS1D9N08XT1G
onsemi
1: S/15.61
1,965En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS1D9N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS1D9N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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Hoja de datos

1,965En existencias

Cinta cortada

S/15.61

S/10.24

S/7.16

S/6.38

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW5

N-Channel

80 V

201 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

164 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS2D1N08XT1G
onsemi
1: S/14.21
5,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS2D1N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS2D1N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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Hoja de datos

5,500En existencias

Cinta cortada

S/14.21

S/9.26

S/6.46

Envase tipo carrete

S/6.46

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS2D5N08XT1G
onsemi
1: S/13.66
3,620En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS2D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS2D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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3,620En existencias

Cinta cortada

S/13.66

S/8.91

S/6.19

S/5.06

S/4.59

Envase tipo carrete

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW5

N-Channel

1 Channel

80 V

156 A

2.55 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7

NVMJST1D4N06CLTXG
onsemi
1: S/16.66
6,452En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMJST1D4N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-VMJST1D4N06CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7

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6,452En existencias

Cinta cortada

S/16.66

S/10.98

S/7.71

S/6.50

S/6.46

Envase tipo carrete

S/6.07

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TCPAK57

N-Channel

1 Channel

60 V

198 A

1.49 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

92.2 nC

- 55 C

+ 175 C

113 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

NTTFS6H888NLTAG
onsemi
1: S/3.81
3,096En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS6H888NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS6H888NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL

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3,096En existencias

Cinta cortada

S/3.81

S/2.38

S/1.55

S/1.19

Envase tipo carrete

S/0.946

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

80 V

14 A

67 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

6 nC

- 55 C

+ 175 C

23 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

NVMFWS6D2N08XT1G
onsemi
1: S/8.52
1,138En existencias
4,500Se espera el 7/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS6D2N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS6D2N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF

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1,138En existencias

4,500Se espera el 7/08/2026

Cinta cortada

S/8.52

S/5.45

S/3.69

S/2.93

S/2.42

Envase tipo carrete

S/2.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFNW-5

N-Channel

1 Channel

80 V

71 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NAFT1G-YE
onsemi
1: S/6.46
907En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-MFS5C442NAFT1GYE

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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907En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.13

S/2.73

S/2.14

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.74

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Single N-Channel Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

14 A
22 A
30 A
42 A
59 A
65 A
66 A
71 A
77 A
79 A
92 A
94 A
119 A
121 A
132 A
135 A
140 A
150 A
156 A
178 A

570 uOhms
580 uOhms
600 uOhms
1.05 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.49 mOhms
1.9 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.35 mOhms
2.55 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.5 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
4.7 mOhms
4.9 mOhms
5.3 mOhms

4 nC
6 nC
10.4 nC
10.6 nC
12 nC
15.7 nC
17 nC
19 nC
20.3 nC
22.2 nC
24 nC
25 nC
28 nC
32 nC
33 nC
34 nC
35.4 nC
36 nC
38 nC
38.6 nC

23 W
33 W
38 W
42 W
50 W
53 W
63 W
68 W
73 W
82 W
83 W
84 W
87 W
89 W
90 W
104 W
107 W
113 W
119 W
133 W