Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si3 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® Power MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. These Si3 MOSFETs are also offered in different V_GS and V_DS ranges. Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and offer ultra-low R_DS(ON) for high efficiency. The series incorporates Si technology and operates at a temperature range of -55°C to 150°C. Typical applications include load switches and DC to DC converters.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs TSOP-6

SI3464DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI3464DV-T1-GE3

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Vishay Semiconductors

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

8 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

SI3433CDV-T1-E3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

38 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3440DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI3440DV-T1-GE3

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TSOP-6

N-Channel

1 Channel

150 V

1.5 A

375 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

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SI3457CDV-T1-BE3
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SI3457CDV-T1-BE3

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.1 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 12V 8A

SI3473CDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

22 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

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SI3403DV-T1-GE3
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SI3435DV-T1-E3
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SI3435DV-T1-GE3
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SI3465DV-T1-GE3
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SI3467DV-T1-GE3

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TSOP-6

TrenchFET

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SI3471CDV-T1-GE3
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SI3471CDV-T1-GE3

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S/1.54

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TSOP-6

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SI3471DV-T1-E3

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781-SI3471DV-E3

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TSOP-6

TrenchFET

Reel

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SI3471DV-T1-GE3
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781-SI3471DV-GE3

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TrenchFET

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SI3851DV-T1-GE3
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SI3851DV-T1-GE3

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781-SI3851DV-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1.8A 1.15W 200mohm @ 10V

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S/1.30

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TSOP-6

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V

SI3951DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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SI3951DV-T1-GE3

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781-SI3951DV-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V

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SI3973DV-T1-E3
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SI3973DV-T1-E3

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781-SI3973DV-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 2.7A 0.83W

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TSOP-6

TrenchFET

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V

SI3973DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
3,000: S/1.38
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SI3973DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3973DV-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V

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SMD/SMT

TSOP-6

TrenchFET

Reel

Si3 TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17.5 mOhms
19.2 mOhms
19.5 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
27.5 mOhms
28 mOhms
32.7 mOhms
34 mOhms
35.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms
40 mOhms
58 mOhms
58 mOhms, 195 mOhms
74 mOhms
90 mOhms
93 mOhms
100 mOhms

2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.2 nC, 6 nC
3.8 nC
4.2 nC
4.9 nC
5 nC
6 nC
6.8 nC
7.53 nC
7.7 nC
8 nC
8.2 nC
9 nC
10.4 nC
11.5 nC
12.2 nC
15 nC
18 nC