Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Si3 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET® Power MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. These Si3 MOSFETs are also offered in different V_GS and V_DS ranges. Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and offer ultra-low R_DS(ON) for high efficiency. The series incorporates Si technology and operates at a temperature range of -55°C to 150°C. Typical applications include load switches and DC to DC converters.

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Resultados: 71

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3932DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.11
171,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3932DV-T1-GE3

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781-SI3932DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/3.11

S/1.90

S/1.46

S/1.14

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S/0.856

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

2 Channel

30 V

3.7 A

58 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.4 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3417DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.57
44,427En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3417DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3417DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/2.57

S/1.60

S/1.02

S/0.779

Envase tipo carrete

S/0.596

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3421DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
36,614En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3421DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3421DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/2.96

S/1.87

S/1.21

S/0.923

Envase tipo carrete

S/0.708

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

19.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

46 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3474DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.69
23,061En existencias
14,513Se espera el 26/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SI3474DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3474DV-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs TSOP-6

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14,513Se espera el 26/02/2026

Cinta cortada

S/2.69

S/1.67

S/1.07

S/0.814

Envase tipo carrete

S/0.642

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

100 V

3.8 A

126 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10.4 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3993CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.96
29,151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3993CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3993CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.697

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

2 Channel

30 V

2.2 A

133 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

1.15 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 100V 2.4A N-CH MOSFET

SI3430DV-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/6.97
3,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3430DV-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3430DV-E3

Vishay Semiconductors

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S/6.97

S/4.44

S/2.97

S/2.35

Envase tipo carrete

S/1.82

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MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

100 V

2.4 A

170 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

SI3433CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.53
10,230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3433CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3433CDV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

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S/2.53

S/1.57

S/1.01

S/0.79

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S/0.564

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

38 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3457CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/3.54
14,676En existencias

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SI3457CDV-T1-GE3

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781-SI3457CDV-GE3

Vishay Semiconductors

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S/3.54

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S/1.43

S/1.10

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S/0.852

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.1 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3483CDV-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: S/5.96
9,487En existencias

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SI3483CDV-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3483CDV-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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S/5.96

S/3.76

S/2.51

S/1.97

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S/1.57

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

34 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 30V 7.5A

SI3424CDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SI3424CDV-T1-BE3

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78-SI3424CDV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 30V 7.5A

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Cinta cortada

S/2.49

S/1.56

S/0.985

S/0.763

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S/0.599

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

4.2 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

SI3443DDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.71
23,171En existencias

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SI3443DDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3443DDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

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S/1.71

S/1.04

S/0.658

S/0.49

Envase tipo carrete

S/0.366

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

90 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 80V 3.5A

SI3476DV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: S/3.15
8,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3476DV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3476DV-T1-BE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 N-CH 80V 3.5A

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S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.607

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

80 V

4.6 A

93 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

SI3407DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/2.18
30,388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3407DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3407DV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

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S/2.18

S/1.73

S/1.19

S/0.907

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S/0.697

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

32.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3410DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.71
8,514En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3410DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3410DV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.19

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

8 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

4.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

SI3443CDV-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: S/3.43
23,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3443CDV-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3443CDV-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/3.43

S/2.14

S/1.39

S/1.07

Envase tipo carrete

S/0.825

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Mult.: 1

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

5.97 A

100 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

7.53 nC

- 55 C

+ 150 C

3.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3456DDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/1.99
17,325En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3456DDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3456DDV-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/1.99

S/1.33

S/0.845

S/0.638

Envase tipo carrete

S/0.44

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6.3 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3457CDV-T1-E3
Vishay / Siliconix
1: S/2.53
48,733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3457CDV-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3457CDV-E3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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48,733En existencias

Cinta cortada

S/2.53

S/1.62

S/1.13

S/0.911

Envase tipo carrete

S/0.724

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

5.1 A

74 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6

SI3477DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: S/4.40
20,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3477DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI3477DV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds 10V Vgs TSOP-6

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Cinta cortada

S/4.40

S/2.75

S/1.81

S/1.40

Envase tipo carrete

S/1.02

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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

17.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3453DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: S/2.02
5,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI3453DV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3453DV-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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Hoja de datos

5,439En existencias

Cinta cortada

S/2.02

S/1.23

S/0.786

S/0.592

Envase tipo carrete

S/0.475

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

30 V

3.4 A

276 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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5,598En existencias

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SI3585CDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3585CDV-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR

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5,598En existencias

Cinta cortada

S/3.15

S/1.96

S/1.27

S/0.973

Envase tipo carrete

S/0.747

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel, P-Channel

2 Channel

20 V

2.1 A, 3.9 A

58 mOhms, 195 mOhms

- 8 V, 8 V

600 mV

3.2 nC, 6 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 W, 1.4 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3456DDV-T1-E3
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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6.3 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs TSOP-6

SI3460DDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

7.9 A

28 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

TrenchFET

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SI3473CDV-T1-E3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

22 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

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SI3429EDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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8 A

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- 8 V, 8 V

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118 nC

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+ 150 C

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SI3443DDV-T1-BE3
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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

4 A

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9 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

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Si3 TrenchFET® Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17.5 mOhms
19.2 mOhms
19.5 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
27.5 mOhms
28 mOhms
32.7 mOhms
34 mOhms
35.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms
40 mOhms
58 mOhms
58 mOhms, 195 mOhms
74 mOhms
90 mOhms
93 mOhms
100 mOhms

2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.2 nC, 6 nC
3.8 nC
4.2 nC
4.9 nC
5 nC
6 nC
6.8 nC
7.53 nC
7.7 nC
8 nC
8.2 nC
9 nC
10.4 nC
11.5 nC
12.2 nC
15 nC
18 nC