Diodos Schottky de SiC – Mouser Perú

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Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

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Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C12ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: S/18.57
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C12ET07S2LHM3

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78-VS-4C12ET07S2LHM3

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800Se espera el 14/04/2026

S/18.57

S/12.30

S/9.61

S/8.56

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

12 A

650 V

1.3 V

72 A

84 uA

-55 C

+ 175 C

VS-4C12ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C15ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/22.11
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C15ET12S2L-M3

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78-VS-4C15ET12S2L-M3

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800Se espera el 14/04/2026

S/22.11

S/17.71

S/14.32

S/12.73

S/10.86

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

15 A

1.2 kV

1.36 V

75 A

200 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C15ET12S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C15ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: S/29.89
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C15ET12S2LHM3

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78-VS-4C15ET12S2LHM3

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800Se espera el 14/04/2026

S/29.89

S/21.10

S/17.59

S/15.69

S/13.94

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

15 A

1.2 kV

1.36 V

75 A

200 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C15ET12S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C16ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/17.67
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C16ET07S2L-M3

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78-VS-4C16ET07S2L-M3

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S/17.67

S/11.79

S/9.07

S/8.06

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Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

16 A

650 V

1.3 V

101 A

94 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C16ET07S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C16ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: S/19.89
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C16ET07S2LHM3

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78-VS-4C16ET07S2LHM3

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S/19.89

S/14.60

S/11.79

S/10.51

S/8.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

16 A

650 V

1.3 V

101 A

94 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C16ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C20ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/19.54
800Se espera el 14/04/2026
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78-VS-4C20ET07S2L-M3

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S/19.54

S/12.96

S/10.32

S/9.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

20 A

650 V

1.33 V

125 A

110 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C20ET07S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C20ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: S/23.67
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C20ET07S2LHM3

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78-VS-4C20ET07S2LHM3

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800Se espera el 14/04/2026

S/23.67

S/16.54

S/13.39

S/11.91

S/10.16

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

20 A

650 V

1.33 V

125 A

110 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C20ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C30ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/23.12
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C30ET07S2L-M3

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78-VS-4C30ET07S2L-M3

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800Se espera el 14/04/2026

S/23.12

S/17.48

S/14.13

S/12.57

S/10.74

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

SIngle

30 A

650 V

1.33 V

180 A

125 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C30ET07S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C30ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
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800Se espera el 14/04/2026
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S/29.51

S/20.82

S/17.36

S/15.45

S/13.74

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

SIngle

30 A

650 V

1.33 V

180 A

125 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C30ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/38.57
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C30ET12S2L-M3

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78-VS-4C30ET12S2L-M3

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S/38.57

S/30.17

S/25.15

S/22.42

S/19.93

Min.: 1
Mult.: 1

TO-263AB-2

Single

30 A

1.2 kV

1.36 V

144 A

550 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C30ET12S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: S/48.19
800Se espera el 14/04/2026
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VS-4C30ET12S2LHM3

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78-VS-4C30ET12S2LHM3

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800Se espera el 14/04/2026

S/48.19

S/39.24

S/32.70

S/29.15

S/24.72

Min.: 1
Mult.: 1

TO-263AB-2

Single

30 A

1.2 kV

1.36 V

144 A

550 uA

- 55 C

+ 175 C

VS-4C30ET12S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/11.60
800Se espera el 6/03/2026
Nuevo producto

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VS-4C06ET07S2L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C06ET07S2L-M3

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Vishay Semiconductors

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800Se espera el 6/03/2026

S/11.60

S/7.47

S/5.37

S/4.48

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

6 A

650 V

1.3 V

39 A

35 uA

- 55 C

+ 175 C

4C06ET07S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: S/13.62
800Se espera el 6/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
VS-4C06ET07S2LHM3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C06ET07S2LHM3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

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800Se espera el 6/03/2026

S/13.62

S/8.87

S/6.97

S/5.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

6 A

650 V

1.3 V

39 A

35 uA

- 55 C

+ 175 C

4C06ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/12.73
780Se espera el 14/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
VS-4C08ET07S2L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C08ET07S2L-M3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

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Hoja de datos

780Se espera el 14/04/2026

S/12.73

S/8.29

S/6.34

S/5.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

8 A

650 V

1.3 V

51 A

41 uA

- 55 C

+ 175 C

4C08ET07S2L-M3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors
1: S/15.57
800Se espera el 14/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
VS-4C08ET07S2LHM3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C08ET07S2LHM3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

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800Se espera el 14/04/2026

S/15.57

S/10.20

S/7.51

S/6.70

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

8 A

650 V

1.3 V

51 A

41 uA

- 55 C

+ 175 C

4C08ET07S2LHM3

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

VS-4C12ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors
1: S/15.34
800Se espera el 14/04/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
VS-4C12ET07S2L-M3

N.º de artículo de Mouser
78-VS-4C12ET07S2L-M3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L

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800Se espera el 14/04/2026

S/15.34

S/10.04

S/7.40

S/6.58

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263AB-2

Single

12 A

650 V

1.3 V

72 A

84 uA

-55 C

+ 175 C

VS-4C12ET07S2L-M3

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