Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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700V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies 700V CoolMOS™ P7 MOSFETs feature a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The 700V are designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The latest 700V CoolMOS P7 are an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets like chargers, adapters, lighting, TVs and more. The new series provides all the benefits of a fast switching Superjunction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

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Resultados: 13

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/6.66 4,850En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R600P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,850En existencias	S/6.66 S/3.15 S/2.81 S/2.23 Ver S/1.78 S/1.77	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	30 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/7.82 1,649En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPAN70R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPAN70R360P7SXKS	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,649En existencias	S/7.82 S/3.75 S/3.36 S/2.75 Ver S/2.35 S/2.29 S/2.17	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	30 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.5 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/6.38 56,328En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPA70R600P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA70R600P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	56,328En existencias	S/6.38 S/3.01 S/2.68 S/2.20 Ver S/1.68 S/1.63	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	600 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	24.9 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA80R750P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/9.93 7,574En existencias 500Se espera el 21/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPA80R750P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA80R750P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	7,574En existencias 500Se espera el 21/10/2026	S/9.93 S/4.83 S/4.44 S/3.52 S/2.86	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	640 mOhms	20 V	2.5 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R1K4P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/4.09 32,708En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD70R1K4P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R1K4P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	32,708En existencias	Cinta cortada S/4.09 S/1.88 S/1.66 S/1.28 Envase tipo carrete S/1.01 Ver S/1.23 S/0.895 S/0.88 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	22.7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R600P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/5.76 29En existencias 25,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD70R600P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R600P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	29En existencias 25,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD70R600P7SAUMA1 Existencias: 29 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 10,000 Se espera el 31/12/2026 15,000 Se espera el 7/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/5.76 S/2.85 S/2.11 S/1.72 S/1.64 Envase tipo carrete S/1.32 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	43.1 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies 1: S/3.85 4,603En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN70R1K4P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R1K4P7SATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4,603En existencias	Cinta cortada S/3.85 S/1.76 S/1.56 S/1.20 Envase tipo carrete S/0.93 S/0.817 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	4 A	1.15 Ohms	16 V	2.5 V	4.7 nC	- 40 C	+ 150 C	6.2 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies 1: S/3.78 3,505En existencias 9,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IPN70R2K0P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R2K0P7SATM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3,505En existencias 9,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada S/3.78 S/1.73 S/1.53 S/1.17 Envase tipo carrete S/0.856 Ver S/1.14 S/0.852 S/0.751 S/0.728 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	3 A	1.64 Ohms	16 V	2.5 V	3.8 nC	- 40 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R360P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/6.70 219,929En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPD70R360P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R360P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	219,929En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPD70R360P7SAUMA1 Existencias: 0 En pedido: 34,929 Se espera el 13/12/2026 60,000 Se espera el 29/04/2027 125,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada S/6.70 S/3.66 S/2.77 S/2.25 S/2.11 Envase tipo carrete S/1.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	16 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	59.5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.06 5,898Se espera el 4/01/2027	N.º de artículo del Fabricante IPN70R600P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R600P7SATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,898Se espera el 4/01/2027	Cinta cortada S/5.06 S/2.36 S/2.10 S/1.63 Envase tipo carrete S/1.28 Ver S/1.59 S/1.19 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	8.5 A	490 mOhms	16 V	2.5 V	10.5 nC	- 40 C	+ 150 C	6.9 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPD70R900P7SAUMA1 Infineon Technologies 1: S/4.59 12,477Se espera el 20/05/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD70R900P7SAUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD70R900P7AUMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,477Se espera el 20/05/2027	Cinta cortada S/4.59 S/2.44 S/1.86 S/1.53 S/1.45 Envase tipo carrete S/1.11 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	700 V	6 A	740 mOhms	16 V	2.5 V	6.8 nC	- 40 C	+ 150 C	30.5 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies 1: S/6.38 14,898En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPN70R360P7SATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN70R360P7SATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	14,898En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPN70R360P7SATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5,898 Se espera el 6/05/2027 9,000 Se espera el 20/05/2027 Plazo de entrega de fábrica: 25 Semanas	Cinta cortada S/6.38 S/3.00 S/2.62 S/2.09 Envase tipo carrete S/1.67 Ver S/1.94 S/1.54 S/1.51 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	16 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	7.2 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER IPA70R360P7SXKSA1 Infineon Technologies 1: S/7.94 2,500Se espera el 13/05/2027	N.º de artículo del Fabricante IPA70R360P7SXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA70R360P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,500Se espera el 13/05/2027	S/7.94 S/3.80 S/3.39 S/2.68	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	700 V	12.5 A	300 mOhms	16 V	2.5 V	16.4 nC	- 40 C	+ 150 C	26.5 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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