Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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700V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies 700V CoolMOS™ P7 MOSFETs feature a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The 700V are designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The latest 700V CoolMOS P7 are an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets like chargers, adapters, lighting, TVs and more. The new series provides all the benefits of a fast switching Superjunction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
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IPA70R600P7SXKSA1

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726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

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S/5.61

S/3.01

S/2.62

S/2.19

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

600 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

24.9 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.58
4,860En existencias

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S/6.58

S/3.10

S/2.76

S/2.16

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

24.9 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.82
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S/3.75

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TO-220-3

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1 Channel

700 V

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- 30 V, 30 V

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+ 150 C

26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.09
17,919En existencias
15,000Se espera el 27/08/2026

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IPD70R1K4P7SAUMA1

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S/1.88

S/1.66

S/1.28

Envase tipo carrete

S/1.02

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

22.7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD70R900P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.36
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IPD70R900P7SAUMA1

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S/2.02

S/1.79

S/1.38

Envase tipo carrete

S/1.11

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

700 V

6 A

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- 16 V, 16 V

2.5 V

6.8 nC

- 40 C

+ 150 C

30.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
4,808En existencias

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IPN70R600P7SATMA1

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S/2.36

S/2.10

S/1.63

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S/1.28

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: 3,000

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SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

6.9 W

Enhancement

CoolMOS

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IPD70R360P7SAUMA1
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IPD70R360P7SAUMA1

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S/2.58

S/2.09

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S/1.62

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

700 V

12.5 A

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2.5 V

16.4 nC

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+ 150 C

59.5 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.61
218En existencias
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IPD70R600P7SAUMA1

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S/2.85

S/2.28

S/1.90

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S/1.32

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

700 V

8.5 A

490 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

10.5 nC

- 40 C

+ 150 C

43.1 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.85
4,613En existencias

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IPN70R1K4P7SATMA1

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726-IPN70R1K4P7SATMA

Infineon Technologies

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S/3.85

S/1.76

S/1.56

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.93

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: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

4 A

1.15 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

4.7 nC

- 40 C

+ 150 C

6.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.58
1,465En existencias
12,000Se espera el 8/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

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726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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12,000Se espera el 8/10/2026

Cinta cortada

S/3.58

S/1.63

S/1.44

S/1.11

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S/0.856

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

3 A

1.64 Ohms

- 16 V, 16 V

2.5 V

3.8 nC

- 40 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.93
8,876En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R750P7XKSA1

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726-IPA80R750P7XKSA1

Infineon Technologies

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8,876En pedido

S/9.93

S/4.83

S/4.32

S/3.39

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

7 A

640 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.38
14,898En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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14,898En pedido

Cinta cortada

S/6.38

S/3.00

S/2.67

S/2.09

S/2.03

Envase tipo carrete

S/1.51

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

7.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
2,500Se espera el 18/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

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2,500Se espera el 18/03/2027

S/8.21

S/4.32

S/3.39

S/2.69

S/2.53

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N-Channel

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700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

26.5 W

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CoolMOS

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