Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

DMN12M7UCA10-7
Diodes Incorporated
1: S/5.33
4,807En existencias

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DMN12M7UCA10-7

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621-DMN12M7UCA10-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF

DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated
1: S/1.87
15,164En existencias

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DMN2320UFB4-7B

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621-DMN2320UFB4-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 8Vgss .52W 71pF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF

DMN3042L-13
Diodes Incorporated
1: S/1.75
52,690En existencias

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DMN3042L-13

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621-DMN3042L-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch Enh FET 20Vgs -14A 1.6W

DMP6185SK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.09
44,668En existencias

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DMP6185SK3-13

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621-DMP6185SK3-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch Enh FET 20Vgs -14A 1.6W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs

DMP6250SE-13
Diodes Incorporated
1: S/4.36
6,264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP6250SE-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP6250SE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K

DMP6350SQ-7
Diodes Incorporated
1: S/2.61
38,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP6350SQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP6350SQ-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Cmp 30V NP Ch UMOS

ZXMC3A16DN8TC
Diodes Incorporated
1: S/7.79
3,242En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMC3A16DN8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMC3A16DN8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Cmp 30V NP Ch UMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS

ZXMN6A11ZTA
Diodes Incorporated
1: S/4.55
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N.º de artículo del Fabricante
ZXMN6A11ZTA

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522-ZXMN6A11ZTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS

ZXMP6A13GTA
Diodes Incorporated
1: S/4.48
8,461En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMP6A13GTA

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522-ZXMP6A13GTA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Chnl UMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,P-CHANNEL

DMG4413LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.68
9,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG4413LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMG4413LSS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,P-CHANNEL

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S/5.68

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S/2.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V

DMN24H11DS-7
Diodes Incorporated
1: S/1.75
64,649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN24H11DS-7

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621-DMN24H11DS-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V

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S/0.689

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S/0.498

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS-SINGLE

DMN3033LDM-7
Diodes Incorporated
1: S/2.96
9,252En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3033LDM-7

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621-DMN3033LDM-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NMOS-SINGLE

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S/0.677

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMNH6012LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/7.16
3,115En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMNH6012LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMNH6012LK3Q-13

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S/7.16

S/4.59

S/3.07

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC

DMP6110SSS-13
Diodes Incorporated
1: S/3.27
13,768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP6110SSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP6110SSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC

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S/3.27

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S/1.05

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S/0.681

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

DMT6010LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/5.10
8,940En existencias

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DMT6010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

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S/3.83

S/2.78

S/2.34

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V 40V

DMTH4011SPD-13
Diodes Incorporated
1: S/4.71
5,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4011SPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4011SPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V 40V

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S/4.71

S/2.96

S/1.95

S/1.52

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S/1.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

ZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
1: S/6.97
23,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMHC10A07N8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

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S/6.97

S/4.52

S/3.02

S/2.39

S/1.99

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S/1.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

ZXMHC3A01N8TC
Diodes Incorporated
1: S/4.44
29,705En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMHC3A01N8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMHC3A01N8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

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S/4.44

S/3.07

S/2.05

S/1.85

S/1.79

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S/1.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMHC4035LSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/6.62
18,925En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMHC4035LSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMHC4035LSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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S/6.62

S/4.20

S/2.81

S/2.22

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S/1.70

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A

DMN2050LFDB-13
Diodes Incorporated
1: S/2.57
43,125En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2050LFDB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2050LFDB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A

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S/2.57

S/1.62

S/1.04

S/0.786

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S/0.463

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K

DMN3110S-7
Diodes Incorporated
1: S/2.14
8,363En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3110S-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3110S-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K

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S/2.14

S/1.56

S/1.13

S/0.996

Envase tipo carrete

S/0.693

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Min.: 1
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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

DMN63D1LT-13
Diodes Incorporated
1: S/2.57
14,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN63D1LT-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN63D1LT-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

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14,227En existencias

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S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.771

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Envase tipo carrete

S/0.448

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Mult.: 1

Carrete: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET

DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated
1: S/3.66
5,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP1011UCB9-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP1011UCB9-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET

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5,723En existencias

Cinta cortada

S/3.66

S/2.55

S/1.76

S/1.48

S/1.34

Envase tipo carrete

S/1.07

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW -20Vdss

DMP2004WK-7
Diodes Incorporated
1: S/2.14
21,949En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2004WK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2004WK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW -20Vdss

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S/2.14

S/1.48

S/1.01

S/0.79

Envase tipo carrete

S/0.529

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

DMP2075UFDB-7
Diodes Incorporated
1: S/2.72
66,945En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2075UFDB-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2075UFDB-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V

Hoja de datos

66,945En existencias

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S/2.72

S/1.70

S/1.12

S/0.852

Envase tipo carrete

S/0.522

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