Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3

DMP4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.79
9,327En existencias

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DMP4050SSDQ-13

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621-DMP4050SSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V-40V

DMTH43M8LFGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/5.53
5,163En existencias

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DMTH43M8LFGQ-13

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621-DMTH43M8LFGQ-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V

ZVN4424ASTZ
Diodes Incorporated
1: S/7.67
5,012En existencias

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ZVN4424ASTZ

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522-ZVN4424ASTZ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

ZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
1: S/7.55
22,896En existencias

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ZXMHC10A07N8TC

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522-ZXMHC10A07N8TC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel 6.8A MOSFET

ZXMP6A18KTC
Diodes Incorporated
1: S/7.08
16,438En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMP6A18KTC

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522-ZXMP6A18KTC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMC31D5UDJ-7B
Diodes Incorporated
1: S/2.92
12,446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC31D5UDJ-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMC31D5UDJ-7B

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW

DMN33D8LT-13
Diodes Incorporated
1: S/1.17
41,018En existencias

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DMN33D8LT-13

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621-DMN33D8LT-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33V Single N-Ch Enh 20Vgss 115mA 240mW

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET

DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated
1: S/5.02
5,698En existencias

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DMP1011UCB9-7

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621-DMP1011UCB9-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.63
7,023En existencias

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DMTH10H010SPS-13

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621-DMTH10H010SPS-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

DMTH6009LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/7.28
10,861En existencias

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DMTH6009LK3Q-13

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621-DMTH6009LK3Q-13

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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power

FZT753TC
Diodes Incorporated
1: S/4.90
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FZT753TC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 100V

ZVP2110A
Diodes Incorporated
1: S/5.37
6,142En existencias

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ZVP2110A

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522-ZVP2110A

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 100V

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S/2.25

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

ZXMC4559DN8TC
Diodes Incorporated
1: S/9.93
3,400En existencias

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ZXMC4559DN8TC

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522-ZXMC4559DN8TC

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel

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S/2.92

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap

ZXMN2B03E6TA
Diodes Incorporated
1: S/5.57
5,012En existencias

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ZXMN2B03E6TA

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522-ZXMN2B03E6TA

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S/1.97

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S/1.48

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

ZXMN3A02X8TA
Diodes Incorporated
1: S/8.87
13,611En existencias

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ZXMN3A02X8TA

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522-ZXMN3A02X8TA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Chnl UMOS

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S/3.93

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S/3.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp Pair Enh FET 30Vdss 20Vgss

DMC3028LSDXQ-13
Diodes Incorporated
1: S/4.83
7,626En existencias

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DMC3028LSDXQ-13

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621-DMC3028LSDXQ-13

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S/4.83

S/2.90

S/2.01

S/1.56

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S/1.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

DMN10H170SVT-7
Diodes Incorporated
1: S/3.39
38,414En existencias

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DMN10H170SVT-7

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621-DMN10H170SVT-7

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W

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S/0.996

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S/0.724

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 2K

DMN22M5UFG-7
Diodes Incorporated
1: S/5.22
22,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN22M5UFG-7

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621-DMN22M5UFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V PowerDI3333-8 T&R 2K

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S/5.22

S/3.29

S/2.17

S/1.69

S/1.53

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S/1.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A

DMNH10H028SK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/12.88
2,048En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMNH10H028SK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMNH10H028SK3Q13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A

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S/12.88

S/8.37

S/5.80

S/4.71

S/4.55

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S/4.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMNH6035SPDW-13
Diodes Incorporated
1: S/8.45
3,368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMNH6035SPDW-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMNH6035SPDW-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

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S/8.45

S/5.41

S/3.64

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.40

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC

DMP1046UFDB-13
Diodes Incorporated
1: S/2.80
63,929En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP1046UFDB-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP1046UFDB-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC

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S/2.80

S/1.73

S/1.11

S/0.845

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S/0.514

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: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

DMP3008SFGQ-13
Diodes Incorporated
1: S/7.47
8,753En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3008SFGQ-13

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621-DMP3008SFGQ-13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A

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S/7.47

S/4.32

S/3.04

S/2.52

S/2.31

Envase tipo carrete

S/2.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgs

DMP3010LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/6.85
3,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3010LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3010LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgs

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S/6.85

S/4.05

S/2.92

S/2.40

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.89

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss

DMP3028LK3-13
Diodes Incorporated
1: S/4.13
10,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3028LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3028LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss

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S/2.57

S/1.67

S/1.29

S/1.17

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S/0.876

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Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
1: S/9.26
3,744En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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S/9.26

S/5.76

S/4.05

S/3.22

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.71

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: 2,500

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