Semiconductores – Mouser Perú

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Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523

DMG1013T-7
Diodes Incorporated
1: S/1.05
1,514,872En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG1013T-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1013T-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523

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1,514,872En existencias

Cinta cortada

S/1.05

S/0.638

S/0.479

S/0.374

S/0.327

Envase tipo carrete

S/0.234

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

DMG1016V-7
Diodes Incorporated
1: S/2.02
252,491En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG1016V-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG1016V-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563

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252,491En existencias

Cinta cortada

S/2.02

S/1.23

S/0.786

S/0.588

S/0.525

Envase tipo carrete

S/0.525

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,290

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

DMN53D0L-7
Diodes Incorporated
1: S/1.17
397,532En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN53D0L-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0L-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs

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397,532En existencias

Cinta cortada

S/1.17

S/0.708

S/0.444

S/0.327

S/0.288

Envase tipo carrete

S/0.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K

DMP2018LFK-7
Diodes Incorporated
1: S/3.23
92,723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2018LFK-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2018LFK-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K

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92,723En existencias

Cinta cortada

S/3.23

S/2.00

S/1.29

S/0.989

S/0.887

Envase tipo carrete

S/0.557

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
1: S/2.14
359,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMG6602SVT-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMG6602SVT-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K

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359,856En existencias

Cinta cortada

S/2.14

S/0.95

S/0.829

S/0.712

S/0.529

Envase tipo carrete

S/0.424

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated
1: S/4.63
69,546En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN2011UFDE-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN2011UFDE7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W

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69,546En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/2.58

S/1.80

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.08

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

ZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
1: S/6.54
42,086En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMHC6A07N8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMHC6A07N8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

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42,086En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.32

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.86

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Mult.: 1
Máx.: 160

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT6004LPS-13
Diodes Incorporated
1: S/10.00
53,858En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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53,858En existencias

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S/10.00

S/5.80

S/4.20

S/3.61

Envase tipo carrete

S/2.90

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm

ZXMP7A17GQTA
Diodes Incorporated
1: S/5.84
18,116En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMP7A17GQTA

N.º de artículo de Mouser
621-ZXMP7A17GQTA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm

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18,116En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.37

S/2.36

Envase tipo carrete

S/2.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
1: S/1.95
79,035En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMC2700UDM-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMC2700UDM-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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79,035En existencias

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S/1.95

S/0.86

S/0.751

S/0.65

S/0.568

Envase tipo carrete

S/0.568

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,090

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm

DMN3016LFDE-13
Diodes Incorporated
1: S/3.46
17,095En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3016LFDE-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3016LFDE-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm

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17,095En existencias

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S/3.46

S/2.14

S/1.38

S/1.02

Envase tipo carrete

S/1.02

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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 520

: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN.

DMP2069UFY4-7
Diodes Incorporated
1: S/3.70
19,788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2069UFY4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2069UFY4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHAN.

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19,788En existencias

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S/3.70

S/2.31

S/1.50

S/1.15

Envase tipo carrete

S/0.891

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMP3056LSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/5.49
8,843En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3056LSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3056LSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

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8,843En existencias

Cinta cortada

S/5.49

S/3.36

S/1.85

Envase tipo carrete

S/1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 210

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl

ZXMC4559DN8TA
Diodes Incorporated
1: S/8.14
3,334En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMC4559DN8TA

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMC4559DN8TA

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp. 60V NP-Chnl

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3,334En existencias

Cinta cortada

S/8.14

S/3.89

S/3.47

Envase tipo carrete

S/3.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350mW 30Vdss

DMN32D2LFB4-7
Diodes Incorporated
1: S/2.84
33,127En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN32D2LFB4-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMN32D2LFB4-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350mW 30Vdss

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33,127En existencias

Cinta cortada

S/2.84

S/1.76

S/1.14

S/0.86

Envase tipo carrete

S/0.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 920

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH MOSFET

DMN3900UFA-7B
Diodes Incorporated
1: S/2.22
15,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMN3900UFA-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMN3900UFA-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-CH MOSFET

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15,136En existencias

Cinta cortada

S/2.22

S/1.35

S/0.852

S/0.592

Envase tipo carrete

S/0.592

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 760

: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS

DMP2240UWQ-7
Diodes Incorporated
1: S/3.08
19,058En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP2240UWQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP2240UWQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS

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19,058En existencias

Cinta cortada

S/3.08

S/1.91

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 480

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V

DMP22D4UFO-7B
Diodes Incorporated
1: S/2.65
19,756En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP22D4UFO-7B

N.º de artículo de Mouser
621-DMP22D4UFO-7B

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V

Hoja de datos

19,756En existencias

Cinta cortada

S/2.65

S/1.19

S/1.04

Envase tipo carrete

S/1.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 650

: 10,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

DMP3007SCGQ-7
Diodes Incorporated
1: S/8.29
3,341En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP3007SCGQ-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP3007SCGQ-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V

Hoja de datos

3,341En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/5.29

S/3.57

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.40

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3

DMP4050SSDQ-13
Diodes Incorporated
1: S/8.29
9,326En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP4050SSDQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMP4050SSDQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3

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Hoja de datos

9,326En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/4.90

S/3.43

S/2.85

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

ZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
1: S/7.55
23,015En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMHC10A07N8TC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

Hoja de datos

23,015En existencias

Cinta cortada

S/7.55

S/4.55

S/3.14

S/2.56

S/2.34

Envase tipo carrete

S/2.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel 6.8A MOSFET

ZXMP6A18KTC
Diodes Incorporated
1: S/7.63
15,565En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ZXMP6A18KTC

N.º de artículo de Mouser
522-ZXMP6A18KTC

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel 6.8A MOSFET

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Hoja de datos

15,565En existencias

Cinta cortada

S/7.63

S/3.63

S/3.37

Envase tipo carrete

S/3.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 90

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET

DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated
1: S/5.22
5,636En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMP1011UCB9-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMP1011UCB9-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET

Hoja de datos

5,636En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/3.16

S/2.17

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010SPS-13
Diodes Incorporated
1: S/7.28
7,022En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH10H010SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH10H010SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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Hoja de datos

7,022En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.28

S/3.10

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

DMTH6009LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: S/7.67
10,761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6009LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6009LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

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10,761En existencias

Cinta cortada

S/7.67

S/4.36

S/3.11

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.16

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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