Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1,444
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W 59,864En existencias
Cinta cortada
S/5.25
S/2.48
S/2.12
S/1.77
Envase tipo carrete
S/1.18
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET 122,932En existencias
Cinta cortada
S/5.10
S/2.37
S/2.10
S/1.86
Envase tipo carrete
S/1.86
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V
32,686En existencias
Cinta cortada
S/6.66
S/3.71
S/2.57
S/2.24
Envase tipo carrete
S/1.91
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300mW 50V DSS 1,233,343En existencias
Cinta cortada
S/1.01
S/0.467
S/0.374
S/0.354
S/0.335
Envase tipo carrete
S/0.202
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523 1,489,899En existencias
Cinta cortada
S/1.13
S/0.494
S/0.428
S/0.374
S/0.327
Envase tipo carrete
S/0.206
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm 16,481En existencias
Cinta cortada
S/6.38
S/3.00
S/2.60
S/2.27
Envase tipo carrete
S/1.71
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V MOSFET (UMOS) 4,249En existencias
Cinta cortada
S/9.07
S/4.55
S/3.88
S/3.15
S/2.82
Envase tipo carrete
S/2.53
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 10,951En existencias
Cinta cortada
S/4.48
S/2.06
S/1.83
Envase tipo carrete
S/1.83
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 2,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC 11,460En existencias
Cinta cortada
S/2.96
S/1.34
S/1.18
S/0.93
Envase tipo carrete
S/0.93
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,430
: 3,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC 3,791En existencias
Cinta cortada
S/6.73
S/3.33
S/2.80
S/2.22
S/1.97
Envase tipo carrete
S/1.67
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 8,641En existencias
Cinta cortada
S/5.02
S/2.33
S/2.06
Envase tipo carrete
S/2.06
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 13,207En existencias
Cinta cortada
S/11.48
S/6.03
S/5.10
Envase tipo carrete
S/5.10
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V 10,488En existencias
Cinta cortada
S/7.20
S/3.48
S/2.97
Envase tipo carrete
S/2.97
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9 22,821En existencias
Cinta cortada
S/8.02
S/3.89
S/3.43
S/2.72
Envase tipo carrete
S/2.09
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel 6.8A MOSFET 15,395En existencias
Cinta cortada
S/7.63
S/3.63
S/3.37
Envase tipo carrete
S/3.37
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 19,000En existencias
Cinta cortada
S/3.39
S/1.58
S/1.39
S/1.07
Envase tipo carrete
S/0.588
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 3,843En existencias
Cinta cortada
S/8.17
S/4.05
S/3.51
Envase tipo carrete
S/3.51
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 130
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 7,028En existencias
Cinta cortada
S/7.98
S/4.05
S/3.37
S/2.83
S/2.52
Envase tipo carrete
S/2.16
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K 9,868En existencias
Cinta cortada
S/4.20
S/1.92
S/1.70
Envase tipo carrete
S/1.70
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340
: 10,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W 8,641En existencias
Cinta cortada
S/8.33
S/4.01
S/3.55
S/2.82
S/2.51
Envase tipo carrete
S/2.15
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch FET FET 2A 480mJ Enh 5,013En existencias
Cinta cortada
S/5.10
S/3.13
S/2.95
Envase tipo carrete
S/2.95
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
: 1,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V
3,181En existencias
Cinta cortada
S/6.85
S/4.20
S/2.85
Envase tipo carrete
S/2.85
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 4,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 84,605En existencias
Cinta cortada
S/4.09
S/2.82
S/1.79
S/1.07
Envase tipo carrete
S/1.07
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 630
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET 31,905En existencias
Cinta cortada
S/3.00
S/1.62
S/1.43
S/1.23
Envase tipo carrete
S/1.23
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 550
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF 45,842En existencias
Cinta cortada
S/2.02
S/0.895
S/0.786
S/0.673
Envase tipo carrete
S/0.673
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 950
: 10,000