Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

1SS302A,LF
Toshiba
1: S/0.545
645,175En existencias

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1SS302A,LF

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757-1SS302ALF

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

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S/0.545

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S/0.284

S/0.21

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S/0.093

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Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOT-323-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/9.38
4,315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/3.27

S/3.04

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S/2.76

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: 2,000

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/8.49
1,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK15S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/8.49

S/5.45

S/3.68

S/2.93

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S/2.42

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: 2,000

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/11.37
2,070En existencias

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TK65S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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S/11.37

S/7.32

S/5.02

S/4.09

S/3.84

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S/3.58

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: S/2.30
85,831En existencias
126,000Se espera el 8/06/2026

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SSM3J351R,LF

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757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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S/2.30

S/1.42

S/0.907

S/0.681

Envase tipo carrete

S/0.514

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: S/1.71
44,805En existencias
42,000Se espera el 22/05/2026

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SSM3J356R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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S/1.71

S/1.04

S/0.658

S/0.494

Envase tipo carrete

S/0.343

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
1: S/2.96
53,825En existencias

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SSM3K2615R,LF

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757-SSM3K2615RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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S/2.96

S/1.84

S/1.18

S/0.899

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S/0.689

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K318R,LF
Toshiba
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SSM3K318R,LF

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757-SSM3K318RLF

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S/2.14

S/1.32

S/0.845

S/0.638

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S/0.467

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
1: S/2.92
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SSM3K341R,LF

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757-SSM3K341RLF

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S/2.92

S/1.80

S/1.16

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.673

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: 3,000

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SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
Toshiba
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SSM3K361R,LF

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757-SSM3K361RLF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

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S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: S/1.32
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SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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S/1.32

S/0.821

S/0.518

S/0.381

Envase tipo carrete

S/0.272

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: S/1.56
5,548En existencias

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SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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S/1.56

S/0.965

S/0.607

S/0.455

Envase tipo carrete

S/0.327

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: S/2.80
5,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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S/2.80

S/1.71

S/1.11

S/0.849

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S/0.631

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: S/1.40
18,115En existencias
72,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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S/1.40

S/0.852

S/0.537

S/0.401

Envase tipo carrete

S/0.315

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: S/2.22
7,244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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S/2.22

S/1.37

S/0.876

S/0.658

Envase tipo carrete

S/0.498

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: S/2.72
3,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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3,536En existencias

Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.10

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.67

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
1: S/2.57
1,406En existencias
12,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

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S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.564

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

TSOP-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/7.82
281En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

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281En existencias

Cinta cortada

S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.21

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Mult.: 1

: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
1: S/2.69
6En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K341TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

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6,000En pedido

Cinta cortada

S/2.69

S/1.65

S/1.06

S/0.81

Envase tipo carrete

S/0.599

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

1SS403,H3F
Toshiba
1: S/0.856
33En existencias
24,000Se espera el 12/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
1SS403,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403H3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

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33En existencias

24,000Se espera el 12/06/2026

Cinta cortada

S/0.856

S/0.67

S/0.416

S/0.308

Envase tipo carrete

S/0.199

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-323

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

1SS307E,L3F
Toshiba
1: S/0.584
80,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
1SS307E,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

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80,000En pedido

Cinta cortada

S/0.584

S/0.323

S/0.245

S/0.179

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Envase tipo carrete

S/0.074

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Min.: 1
Mult.: 1

: 8,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-523-2

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1: S/5.92
12,000Se espera el 17/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
2SD1223(TE16L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-2SD1223TE16L1NQ

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

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12,000Se espera el 17/07/2026

Cinta cortada

S/5.92

S/3.73

S/2.48

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.58

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: S/2.72
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.611

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

1SS403TPH3F
Toshiba
6,000: S/0.30
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403TPH3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403(TPH3,F)

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

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S/0.30

S/0.28

S/0.257

MouseReel Disponible

Min.: 6,000
Mult.: 6,000

: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

USC-2

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