Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
1SS302A,LF
Toshiba
1:
S/0.856
612,816 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS302ALF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V
612,816 En existencias
1
S/0.856
10
S/0.518
100
S/0.323
500
S/0.276
3,000
S/0.206
6,000
Ver
1,000
S/0.241
6,000
S/0.175
9,000
S/0.156
24,000
S/0.128
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Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SOT-323-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/11.37
2,070 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK65S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
2,070 En existencias
1
S/11.37
10
S/7.36
100
S/5.06
500
S/4.09
1,000
S/3.84
2,000
S/3.63
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/9.38
4,291 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ40S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
4,291 En existencias
1
S/9.38
10
S/6.03
100
S/4.13
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S/3.27
1,000
S/3.06
2,000
S/2.79
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/9.07
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK15S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682 En existencias
1
S/9.07
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.14
2,000
S/2.67
4,000
Ver
1,000
S/2.88
4,000
S/2.66
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
SSM3K341R,LF
Toshiba
1:
S/3.11
96,495 En existencias
15,000 Se espera el 13/07/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET
96,495 En existencias
15,000 Se espera el 13/07/2026
1
S/3.11
10
S/1.92
100
S/1.24
500
S/0.942
3,000
S/0.724
6,000
Ver
1,000
S/0.849
6,000
S/0.662
9,000
S/0.592
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
SSM3J356R,LF
Toshiba
1:
S/1.87
49,515 En existencias
6,000 Se espera el 10/07/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J356RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
49,515 En existencias
6,000 Se espera el 10/07/2026
1
S/1.87
10
S/1.14
100
S/0.724
500
S/0.541
3,000
S/0.405
6,000
Ver
1,000
S/0.483
6,000
S/0.366
9,000
S/0.311
24,000
S/0.292
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
SSM3K2615R,LF
Toshiba
1:
S/3.66
42,532 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K2615RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
42,532 En existencias
1
S/3.66
10
S/2.64
100
S/1.64
500
S/1.13
3,000
S/0.852
6,000
Ver
1,000
S/0.95
6,000
S/0.736
9,000
S/0.677
24,000
S/0.615
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
SSM3K361R,LF
Toshiba
1:
S/3.39
44,326 En existencias
30,000 Se espera el 10/07/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K361RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET
44,326 En existencias
30,000 Se espera el 10/07/2026
1
S/3.39
10
S/2.11
100
S/1.37
500
S/1.05
3,000
S/0.806
6,000
Ver
1,000
S/0.942
6,000
S/0.74
9,000
S/0.673
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
SSM3J377R,LF
Toshiba
1:
S/2.02
1,177 En existencias
9,000 Se espera el 17/07/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J377RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A
1,177 En existencias
9,000 Se espera el 17/07/2026
1
S/2.02
10
S/1.38
100
S/0.876
500
S/0.553
3,000
S/0.413
6,000
Ver
1,000
S/0.49
6,000
S/0.358
9,000
S/0.319
24,000
S/0.237
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
SSM3J378R,LF
Toshiba
1:
S/1.79
5,469 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J378RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A
5,469 En existencias
1
S/1.79
10
S/1.10
100
S/0.693
500
S/0.518
3,000
S/0.385
6,000
Ver
1,000
S/0.463
6,000
S/0.35
9,000
S/0.296
24,000
S/0.284
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
SSM3K361TU,LF
Toshiba
1:
S/3.19
4,841 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K361TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V
4,841 En existencias
1
S/3.19
10
S/1.99
100
S/1.28
500
S/0.977
3,000
S/0.751
6,000
Ver
1,000
S/0.88
6,000
S/0.689
9,000
S/0.619
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
UFM-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
SSM3K62TU,LF
Toshiba
1:
S/2.37
5,792 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K62TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V
5,792 En existencias
1
S/2.37
10
S/1.46
100
S/0.934
500
S/0.845
3,000
S/0.638
6,000
Ver
1,000
S/0.747
6,000
S/0.487
9,000
S/0.416
24,000
S/0.409
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
UFM-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
1SS307E,L3F
Toshiba
1:
S/0.701
15,900 En existencias
72,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-1SS307EL3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
15,900 En existencias
72,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
15,900 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
32,000 Se espera el 7/08/2026
40,000 Se espera el 16/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
18 Semanas
1
S/0.701
10
S/0.428
100
S/0.265
500
S/0.195
8,000
S/0.093
24,000
Ver
1,000
S/0.152
5,000
S/0.109
24,000
S/0.086
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :8,000
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SOD-523-2
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
1SS403,H3F
Toshiba
1:
S/1.25
15,033 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403H3F
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q
15,033 En existencias
1
S/1.25
10
S/0.759
100
S/0.475
500
S/0.35
3,000
S/0.257
6,000
Ver
1,000
S/0.311
6,000
S/0.23
9,000
S/0.195
24,000
S/0.175
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
SOD-323
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
SSM3J351R,LF
Toshiba
1:
S/3.97
214,611 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
214,611 En pedido
Ver fechas
En pedido:
58,611 Se espera el 10/07/2026
156,000 Se espera el 6/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
21 Semanas
1
S/3.97
10
S/2.72
100
S/1.73
500
S/1.07
3,000
S/0.681
6,000
Ver
1,000
S/0.806
6,000
S/0.603
9,000
S/0.525
24,000
S/0.432
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
SSM3K318R,LF
Toshiba
1:
S/3.93
12,738 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K318RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet
12,738 En existencias
1
S/3.93
10
S/2.72
100
S/1.72
500
S/1.06
3,000
S/0.697
6,000
Ver
1,000
S/0.786
6,000
S/0.603
9,000
S/0.525
24,000
S/0.428
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
SSM3K337R,LF
Toshiba
1:
S/3.70
2,336 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K337RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet
2,336 En existencias
6,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
2,336 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 28/08/2026
3,000 Se espera el 11/09/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas
1
S/3.70
10
S/2.64
100
S/1.65
500
S/1.14
3,000
S/0.825
6,000
Ver
1,000
S/0.977
6,000
S/0.736
9,000
S/0.677
24,000
S/0.619
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
SSM6N357R,LF
Toshiba
1:
S/5.02
8,883 En existencias
9,000 Se espera el 21/09/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N357RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
8,883 En existencias
9,000 Se espera el 21/09/2026
1
S/5.02
10
S/3.50
100
S/2.21
500
S/1.37
3,000
S/0.899
6,000
Ver
1,000
S/1.01
6,000
S/0.775
9,000
S/0.677
24,000
S/0.553
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSOP-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1:
S/7.82
256 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ20S04M3LT6L1NQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222
256 En existencias
1
S/7.82
10
S/4.98
100
S/3.35
500
S/2.65
2,000
S/2.18
4,000
Ver
1,000
S/2.43
4,000
S/2.17
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
SSM3K376R,LF
Toshiba
1:
S/2.10
138,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K376RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V
138,000 En pedido
Ver fechas
En pedido:
15,000 Se espera el 10/07/2026
123,000 Se espera el 30/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas
1
S/2.10
10
S/1.45
100
S/0.919
500
S/0.58
3,000
S/0.432
6,000
Ver
1,000
S/0.514
6,000
S/0.378
9,000
S/0.335
24,000
S/0.249
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1:
S/5.92
12,000 Se espera el 6/07/2026
N.º de artículo de Mouser 757-2SD1223TE16L1NQ
Toshiba
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
12,000 Se espera el 6/07/2026
1
S/5.92
10
S/3.73
100
S/2.48
500
S/1.94
2,000
S/1.62
4,000
Ver
1,000
S/1.77
4,000
S/1.43
10,000
S/1.29
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :2,000
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
SSM3K341TU,LF
Toshiba
1:
S/3.50
4,969 En pedido
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K341TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
4,969 En pedido
Ver fechas
En pedido:
1,969 Se espera el 6/07/2026
3,000 Se espera el 13/07/2026
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas
1
S/3.50
10
S/2.50
100
S/1.56
500
S/1.07
3,000
S/0.782
6,000
Ver
1,000
S/0.923
6,000
S/0.697
9,000
S/0.642
24,000
S/0.584
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
UFM-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
SSM3H137TU,LF
Toshiba
1:
S/2.92
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3H137TULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V
No en existencias
1
S/2.92
10
S/1.80
100
S/1.16
500
S/0.88
3,000
S/0.673
6,000
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1,000
S/0.79
6,000
S/0.615
9,000
S/0.541
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Min.: 1 Mult.: 1
Carrete :3,000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
UFM-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
Toshiba 1SS403TPH3F
1SS403TPH3F
Toshiba
6,000:
S/0.413
No en existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS403(TPH3,F)
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q
No en existencias
6,000
S/0.413
12,000
S/0.366
24,000
S/0.272
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Min.: 6,000 Mult.: 6,000
Carrete :3,000
Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
USC-2
Perú
