Semiconductores discretos

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Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

1SS302A,LF
Toshiba
1: S/0.895
609,455En existencias

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1SS302A,LF

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757-1SS302ALF

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

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S/0.895

S/0.533

S/0.339

S/0.276

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S/0.179

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Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOT-323-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/9.38
4,291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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Cinta cortada

S/9.38

S/6.03

S/4.13

S/3.27

Envase tipo carrete

S/2.41

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: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/11.37
2,070En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK65S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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Cinta cortada

S/11.37

S/7.36

S/5.06

S/4.09

Envase tipo carrete

S/3.48

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: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/9.07
1,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK15S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/9.07

S/5.84

S/3.97

S/3.14

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S/2.67

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
1: S/3.11
109,162En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K341R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

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S/3.11

S/1.92

S/1.24

S/0.942

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S/0.724

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1: S/5.92
11,900En existencias

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2SD1223(TE16L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-2SD1223TE16L1NQ

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

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S/5.92

S/3.73

S/2.48

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.62

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: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: S/1.87
41,463En existencias
6,000Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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S/1.87

S/1.14

S/0.724

S/0.541

Envase tipo carrete

S/0.405

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
1: S/3.66
39,547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K2615R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K2615RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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S/3.66

S/2.64

S/1.64

S/1.13

Envase tipo carrete

S/0.852

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
Toshiba
1: S/3.39
33,337En existencias
30,000En pedido

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SSM3K361R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

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S/3.39

S/2.11

S/1.37

S/1.05

Envase tipo carrete

S/0.806

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
1: S/5.02
17,763En existencias

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SSM6N357R,LF

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757-SSM6N357RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

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S/5.02

S/3.50

S/2.21

S/1.37

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S/0.899

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MOSFETs

SMD/SMT

TSOP-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: S/3.19
640En existencias
6,000Se espera el 21/08/2026

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SSM3K337R,LF

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757-SSM3K337RLF

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S/3.19

S/1.97

S/1.27

S/0.969

Envase tipo carrete

S/0.747

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

1SS403,H3F
Toshiba
1: S/1.25
14,917En existencias
27,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
1SS403,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403H3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

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S/1.25

S/0.759

S/0.475

S/0.35

Envase tipo carrete

S/0.257

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: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-323

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: S/1.52
8,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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S/1.52

S/0.93

S/0.588

S/0.436

Envase tipo carrete

S/0.323

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: S/1.79
2,079En existencias
3,000Se espera el 28/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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S/1.79

S/1.10

S/0.693

S/0.518

Envase tipo carrete

S/0.385

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K318R,LF
Toshiba
1: S/2.45
12,738En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K318R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K318RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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Cinta cortada

S/2.45

S/1.52

S/0.973

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.67

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
1: S/3.04
1,858En existencias
6,000Se espera el 4/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K341TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

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S/3.04

S/1.89

S/1.22

S/0.93

Envase tipo carrete

S/0.712

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: S/3.19
1,289En existencias
6,000Se espera el 27/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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6,000Se espera el 27/11/2026

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S/3.19

S/1.99

S/1.28

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.751

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: S/1.87
7,880En existencias
246,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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7,880En existencias

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Cinta cortada

S/1.87

S/1.16

S/0.728

S/0.541

Envase tipo carrete

S/0.401

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: S/2.37
1,681En existencias
9,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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Cinta cortada

S/2.37

S/1.46

S/0.934

S/0.705

Envase tipo carrete

S/0.51

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/7.82
256En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

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Cinta cortada

S/7.82

S/4.98

S/3.35

S/2.65

Envase tipo carrete

S/2.18

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: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: S/2.45
195,611En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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Cinta cortada

S/2.45

S/1.52

S/0.973

S/0.736

Envase tipo carrete

S/0.557

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Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

1SS307E,L3F
Toshiba
1: S/0.701
202,844En pedido

N.º de artículo del Fabricante
1SS307E,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

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S/0.701

S/0.428

S/0.265

S/0.195

Envase tipo carrete

S/0.093

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: 8,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-523-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: S/2.92
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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S/2.92

S/1.80

S/1.16

S/0.88

Envase tipo carrete

S/0.673

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: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

1SS403TPH3F
Toshiba
6,000: S/0.413
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403TPH3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403(TPH3,F)

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

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S/0.413

S/0.366

S/0.272

MouseReel Disponible

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Mult.: 6,000

: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

USC-2

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