Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

1SS302A,LF
Toshiba
1: S/0.545
674,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS302A,LF

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757-1SS302ALF

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V

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S/0.545

S/0.378

S/0.284

S/0.21

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S/0.093

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Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOT-323-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/5.88
4,317En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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S/5.88

S/4.87

S/3.48

S/2.95

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S/2.50

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/6.15
1,682En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK15S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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S/6.15

S/4.71

S/3.25

S/2.86

Envase tipo carrete

S/2.42

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MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

2SD1223(TE16L1,NQ)
Toshiba
1: S/5.57
Plazo de entrega 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
2SD1223(TE16L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-2SD1223TE16L1NQ

Toshiba

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

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S/5.57

S/3.52

S/2.34

S/1.83

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S/1.48

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BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: S/2.14
81,416En existencias
51,000Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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S/2.14

S/1.32

S/0.845

S/0.638

Envase tipo carrete

S/0.436

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: S/1.63
67,014En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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S/1.63

S/1.01

S/0.638

S/0.479

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S/0.343

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K2615R,LF
Toshiba
1: S/2.49
47,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K2615R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K2615RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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S/2.49

S/1.56

S/1.03

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.627

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

SSM3K318R,LF
Toshiba
1: S/2.02
21,128En existencias

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SSM3K318R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K318RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet

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S/2.02

S/1.22

S/0.802

S/0.638

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S/0.358

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SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

SSM3K341R,LF
Toshiba
1: S/2.72
40,855En existencias

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SSM3K341R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET

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S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

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S/0.58

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

SSM3K361R,LF
Toshiba
1: S/2.96
53,614En existencias
6,000Se espera el 13/02/2026

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SSM3K361R,LF

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757-SSM3K361RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET

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S/2.96

S/1.84

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.638

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

SSM3K376R,LF
Toshiba
1: S/1.40
23,760En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K376R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K376RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

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S/1.40

S/0.794

S/0.564

S/0.401

Envase tipo carrete

S/0.284

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MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

SSM3K341TU,LF
Toshiba
1: S/2.45
7,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K341TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V

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S/2.45

S/1.59

S/1.06

S/0.81

Envase tipo carrete

S/0.537

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SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

SSM3K361TU,LF
Toshiba
1: S/2.76
829En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K361TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K361TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V

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S/2.76

S/1.71

S/1.11

S/0.849

Envase tipo carrete

S/0.619

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MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

SSM3K62TU,LF
Toshiba
1: S/2.06
80En existencias
9,000Se espera el 13/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K62TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K62TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V

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S/2.06

S/1.28

S/0.779

S/0.615

Envase tipo carrete

S/0.381

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

1SS307E,L3F
Toshiba
1: S/0.584
17,729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS307E,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS307EL3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current

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17,729En existencias

Cinta cortada

S/0.584

S/0.323

S/0.245

S/0.179

Envase tipo carrete

S/0.074

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Min.: 1
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Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-523-2

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

1SS403,H3F
Toshiba
1: S/0.856
14,496En existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403,H3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403H3F

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q

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14,496En existencias

Cinta cortada

S/0.856

S/0.67

S/0.416

S/0.308

Envase tipo carrete

S/0.214

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

SOD-323

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

SSM3J377R,LF
Toshiba
1: S/1.32
8,407En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J377R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A

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8,407En existencias

Cinta cortada

S/1.32

S/0.821

S/0.506

S/0.37

Envase tipo carrete

S/0.269

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

SSM3J378R,LF
Toshiba
1: S/1.56
5,790En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J378R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A

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5,790En existencias

Cinta cortada

S/1.56

S/0.965

S/0.607

S/0.455

Envase tipo carrete

S/0.292

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23F-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

SSM3K337R,LF
Toshiba
1: S/2.72
9,771En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K337R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K337RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet

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Cinta cortada

S/2.72

S/1.69

S/1.10

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.627

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-23-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

SSM6N357R,LF
Toshiba
1: S/2.57
5,106En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N357R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N357RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V

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Cinta cortada

S/2.57

S/1.58

S/1.02

S/0.775

Envase tipo carrete

S/0.572

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MOSFETs

SMD/SMT

TSOP-6

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: S/7.12
291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ20S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222

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291En existencias

Cinta cortada

S/7.12

S/4.67

S/3.13

S/2.48

Envase tipo carrete

S/1.97

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Mult.: 1

Carrete: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

TK65S04N1L,LQ
Toshiba
1: S/10.63
100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK65S04N1L,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1LLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK

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100En existencias

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S/10.63

S/6.89

S/4.75

S/3.84

S/3.79

Envase tipo carrete

S/3.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

SSM3H137TU,LF
Toshiba
1: S/2.72
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM3H137TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3H137TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Cinta cortada

S/2.72

S/1.68

S/1.08

S/0.821

Envase tipo carrete

S/0.611

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

UFM-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014

TK20S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba
2,000: S/1.88
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK20S04K3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK20S04K3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014

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S/1.88

S/1.79

S/1.77

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

Carrete: 2,000

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

1SS403TPH3F
Toshiba
6,000: S/0.30
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
1SS403TPH3F

N.º de artículo de Mouser
757-1SS403(TPH3,F)

Toshiba

Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q

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S/0.30

S/0.28

S/0.257

MouseReel Disponible

Min.: 6,000
Mult.: 6,000

Carrete: 3,000

Diodes - General Purpose, Power, Switching

SMD/SMT

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