Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 41

Filtros aplicados:

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR6
NXP Semiconductors
1: S/1,061.56
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR6

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/1,061.56

S/956.43

Envase tipo carrete

S/956.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 150

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

AFV09P350-04NR3
NXP Semiconductors
1: S/461.53
207En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFV09P350-04NR3

N.º de artículo de Mouser
841-AFV09P350-04NR3

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V

Hoja de datos

207En existencias

Cinta cortada

S/461.53

S/461.49

Envase tipo carrete

S/461.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 250

N-Channel

105 V

720 MHz to 960 MHz

19.2 dB

100 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-780-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1: S/1,355.21
39En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50NR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Hoja de datos

39En existencias

Cinta cortada

S/1,355.21

S/1,060.71

Envase tipo carrete

S/1,060.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

36 A

133 V

1.8 MHz to 500 MHz

23 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

MRFX1K80HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,556.22
162En existencias
250Se espera el 6/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor

Hoja de datos

162En existencias

250Se espera el 6/07/2026

Cinta cortada

S/1,556.22

S/1,347.16

Envase tipo carrete

S/1,347.16

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

25.1 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

Screw Mount

NI-1230H-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1: S/200.58
143En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MP075NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4

Hoja de datos

143En existencias

Cinta cortada

S/200.58

S/158.00

S/146.28

Envase tipo carrete

S/140.05

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

8 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

18.5 dB

70 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-WB-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031GNR1
NXP Semiconductors
1: S/128.84
1,061En existencias
1,000Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

1,061En existencias

1,000Se espera el 9/07/2026

Cinta cortada

S/128.84

S/99.92

S/89.68

Envase tipo carrete

S/87.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,594.64
72En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF1K50HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Hoja de datos

72En existencias

Cinta cortada

S/1,594.64

S/1,381.21

S/1,327.97

Envase tipo carrete

S/1,295.81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

36 A

135 V

1.8 MHz to 500 MHz

23.7 dB

1.5 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230H-4S

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,646.80
35En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP5600HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H

Hoja de datos

35En existencias

Cinta cortada

S/1,646.80

S/1,368.37

Envase tipo carrete

S/1,368.37

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

2 A

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

25 dB

600 W

+ 150 C

SMD/SMT

NI-1230

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

MRFE6VP6300HR5
NXP Semiconductors
1: S/1,469.69
314En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VP6300HR5

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP6300HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4

Hoja de datos

314En existencias

Cinta cortada

S/1,469.69

S/1,222.79

Envase tipo carrete

S/1,222.79

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

130 V

1.8 MHz to 600 MHz

26.5 dB

300 W

+ 150 C

Screw Mount

NI-780-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

MHT1803B
NXP Semiconductors
1: S/150.95
304En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MHT1803B

N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803B

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 200MHZ TO-247-3L

304En existencias

S/150.95

S/119.93

S/106.97

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1.8 MHz to 50 MHz

28.2 dB

300 W

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101BN
NXP Semiconductors
1: S/154.30
152En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101BN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

152En existencias

S/154.30

S/106.81

S/106.77

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

MRFX1K80NR5
NXP Semiconductors
1: S/1,360.04
11En existencias
50Se espera el 15/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX1K80NR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX1K80NR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz

Hoja de datos

11En existencias

50Se espera el 15/06/2026

Cinta cortada

S/1,360.04

S/1,109.01

Envase tipo carrete

S/1,109.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

43 A

179 V

1.8 MHz to 400 MHz

24.4 dB

1.8 kW

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

OM-1230-4

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1: S/90.77
216En existencias
1,000Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V

Hoja de datos

216En existencias

1,000Se espera el 9/07/2026

Cinta cortada

S/90.77

S/69.91

S/62.20

Envase tipo carrete

S/61.66

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

7.5 A

40 V

136 MHz to 520 MHz

17.7 dB

33 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

AFT09MS031NR1
NXP Semiconductors
1: S/76.10
221En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT09MS031NR1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V

Hoja de datos

221En existencias

Cinta cortada

S/76.10

S/60.68

S/56.83

S/55.20

Envase tipo carrete

S/51.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

10 A

40 V

764 MHz to 941 MHz

15.7 dB

32 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

TO-270-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V

MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
1: S/79.76
483En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MMRF1014NT1

N.º de artículo de Mouser
841-MMRF1014NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V

Hoja de datos

483En existencias

Cinta cortada

S/79.76

S/60.76

S/54.34

S/53.79

Envase tipo carrete

S/52.39

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

N-Channel

50 mA

68 V

1 MHz to 2 GHz

19 dB

4 W

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET

MRFE6S9060NR1
NXP Semiconductors
1: S/367.26
191En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6S9060NR1

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6S9060NR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET

Hoja de datos

191En existencias

Cinta cortada

S/367.26

S/297.89

S/273.95

Envase tipo carrete

S/268.08

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

N-Channel

1.5 A

66 V

1 GHz

21.1 dB

14 W

+ 150 C

Screw Mount

TO-270

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N

MW6S004NT1
NXP Semiconductors
1: S/93.61
479En existencias
1,000En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MW6S004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-MW6S004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N

Hoja de datos

479En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/93.61

S/73.69

S/65.43

S/65.16

Envase tipo carrete

S/62.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

N-Channel

68 V

1 MHz to 2 GHz

18 dB

4 W

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5-4

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

AFT27S006NT1
NXP Semiconductors
1: S/72.95
273En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT27S006NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V

Hoja de datos

273En existencias

Cinta cortada

S/72.95

S/58.12

S/54.42

S/52.70

Ver

Envase tipo carrete

S/50.41

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

N-Channel

65 V

728 MHz to 3.7 GHz

16 dB

28.8 dBm

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

PLD-1.5W

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V

MRFX035HR5
NXP Semiconductors
1: S/526.66
7En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFX035HR5

N.º de artículo de Mouser
771-MRFX035HR5

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

S/526.66

S/410.27

Envase tipo carrete

S/410.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

193 V

1.8 MHz to 512 MHz

24.8 dB

35 W

- 40 C

+ 150 C

Screw Mount

NI-360H-2SB

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

AFM906NT1
NXP Semiconductors
1: S/14.44
147En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM906NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V

Hoja de datos

147En existencias

Cinta cortada

S/14.44

S/11.95

S/10.12

S/8.21

Envase tipo carrete

S/8.21

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

N-Channel

4.7 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

16.2 dB

6.5 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

HVSON-16

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
1: S/15.26
72En existencias
23,000Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFT05MS004NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V

Hoja de datos

72En existencias

23,000Se espera el 9/07/2026

Cinta cortada

S/15.26

S/10.55

S/9.03

S/8.72

Envase tipo carrete

S/8.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

N-Channel

4 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

20.9 dB

4.9 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

SOT-89-3

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

MRF6V10010NR4
NXP Semiconductors
1: S/670.33
1En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF6V10010NR4

N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5

Hoja de datos

1En existencias

Cinta cortada

S/670.33

S/552.42

Envase tipo carrete

S/514.71

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 100

N-Channel

100 V

960 MHz to 1.4 GHz

25 dB

10 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

PLD-1.5

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF101AN
NXP Semiconductors
1: S/179.68
2,612En pedido
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF101AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

2,612En pedido

S/179.68

S/133.55

S/125.14

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

8.8 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

21.1 dB

115 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-220-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

MRF300AN
NXP Semiconductors
1: S/341.22
480Se espera el 9/07/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRF300AN

N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos

480Se espera el 9/07/2026

S/341.22

S/278.24

S/263.29

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

30 A

133 V

1.8 MHz to 250 MHz

20.4 dB

330 W

- 40 C

+ 150 C

Through Hole

TO-247-3

Tube

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

AFM907NT1
NXP Semiconductors
1: S/18.49
6,000Se espera el 4/06/2026
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
AFM907NT1

N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power

Hoja de datos

6,000Se espera el 4/06/2026

Cinta cortada

S/18.49

S/12.92

S/11.09

S/10.74

Envase tipo carrete

S/9.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

N-Channel

3 A

30 V

136 MHz to 941 MHz

15 dB

8 W

- 40 C

+ 150 C

SMD/SMT

DFN-16

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 MHz to 2 GHz
1.215 MHz to 960 MHz
1.8 MHz to 250 MHz
1.8 MHz to 400 MHz
1.8 MHz to 50 MHz
1.8 MHz to 500 MHz
1.8 MHz to 512 MHz
1.8 MHz to 600 MHz
136 MHz to 520 MHz
136 MHz to 941 MHz
450 MHz to 1.5 GHz
520 MHz
700 MHz to 1.3 GHz
720 MHz to 960 MHz
728 MHz to 3.7 GHz
728 MHz to 960 MHz
764 MHz to 941 MHz
960 MHz to 1.4 GHz
1 GHz
1.03 GHz to 1.09 GHz

13 dB
15 dB
15.2 dB
15.7 dB
16 dB
16.2 dB
17.2 dB
17.7 dB
18 dB
18.5 dB
19 dB
19.1 dB
19.2 dB
19.7 dB
20 dB
20.4 dB
20.9 dB
21.1 dB
23 dB
23.7 dB

2 W
4 W
4.9 W
6.5 W
7.3 W
8 W
10 W
14 W
28.8 dBm
32 W
33 W
35 W
70 W
100 W
115 W
300 W
330 W
500 W
600 W
700 W

DFN-16
HVSON-16
NI-1230
NI-1230-4
NI-1230H-4
NI-1230H-4S
NI-360H-2SB
NI-780-4
NI-780H-2
NI-780H-4
OM-1230-4
OM-780-4
PLD-1.5
PLD-1.5-4
PLD-1.5W
PQFN-24
SOT-89-3
TO-220-3
TO-247-3
TO-270