Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

Todos los resultados (83)

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,202En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 12,122En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101 3,893En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 4,876En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 7,159En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 2,464En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101 64En existencias
4,000Se espera el 21/08/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 5,129En existencias
9,000Se espera el 21/08/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET 20,358En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 6,238En existencias
9,000Se espera el 25/09/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,427En existencias
6,000En pedido
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 700En existencias
6,000Se espera el 16/11/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 594En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,342En existencias
6,000Se espera el 18/08/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,720En existencias
2,000Se espera el 11/01/2027
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101 220En existencias
2,000Se espera el 16/11/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101 1,289En existencias
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Toshiba Optoacopladores de salida de transistores Transistor Coupler Automotive; AEC-Q101 7En existencias
6,000En pedido
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Toshiba Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101 407En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 3En existencias
5,000Se espera el 18/08/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,800Se espera el 14/09/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,000Se espera el 14/09/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
4,000Se espera el 21/08/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
9,031Se espera el 28/08/2026
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
9,836Se espera el 28/08/2026
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