Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XK1R9F10QB,LXGQ
Toshiba
1:
S/20.12
1,202 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XK1R9F10QB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,202 En existencias
1
S/20.12
10
S/13.35
100
S/9.50
500
S/8.37
1,000
S/7.82
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/9.85
12,122 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
12,122 En existencias
1
S/9.85
10
S/6.34
100
S/4.32
500
S/3.44
1,000
Ver
5,000
S/2.94
1,000
S/3.15
2,500
S/3.10
5,000
S/2.94
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/7.63
3,893 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPH4R714MC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,893 En existencias
1
S/7.63
10
S/4.94
100
S/3.39
500
S/2.77
1,000
Ver
5,000
S/2.33
1,000
S/2.46
2,500
S/2.38
5,000
S/2.33
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.54
4,876 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,876 En existencias
1
S/6.54
10
S/4.16
100
S/2.76
500
S/2.17
1,000
Ver
5,000
S/1.70
1,000
S/1.82
2,500
S/1.81
5,000
S/1.70
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
SSM3J356R,LXHF
Toshiba
1:
S/2.53
7,159 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
7,159 En existencias
1
S/2.53
10
S/1.56
100
S/1.00
500
S/0.755
3,000
S/0.576
6,000
Ver
1,000
S/0.677
6,000
S/0.525
9,000
S/0.452
24,000
S/0.448
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ30S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.24
2,464 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ30S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
2,464 En existencias
1
S/7.24
10
S/4.63
100
S/3.08
500
S/2.43
2,000
S/2.04
4,000
Ver
1,000
S/2.22
4,000
S/1.95
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.03
64 En existencias
4,000 Se espera el 21/08/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TK25S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 57W 1MHz Automotive; AEC-Q101
64 En existencias
4,000 Se espera el 21/08/2026
1
S/6.03
10
S/3.81
100
S/2.53
500
S/1.98
2,000
S/1.65
4,000
Ver
1,000
S/1.81
4,000
S/1.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
SSM3J372R,LXHF
Toshiba
1:
S/2.02
5,129 En existencias
9,000 Se espera el 21/08/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET
5,129 En existencias
9,000 Se espera el 21/08/2026
1
S/2.02
10
S/1.25
100
S/0.798
500
S/0.599
3,000
S/0.448
6,000
Ver
1,000
S/0.533
6,000
S/0.409
9,000
S/0.35
24,000
S/0.331
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
SSM3J377R,LXHF
Toshiba
1:
S/1.63
20,358 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J377RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET
20,358 En existencias
1
S/1.63
10
S/1.00
100
S/0.631
500
S/0.471
3,000
S/0.346
6,000
Ver
1,000
S/0.416
6,000
S/0.315
9,000
S/0.265
24,000
S/0.257
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
SSM3K341R,LXHF
Toshiba
1:
S/3.04
6,238 En existencias
9,000 Se espera el 25/09/2026
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
6,238 En existencias
9,000 Se espera el 25/09/2026
1
S/3.04
10
S/1.88
100
S/1.21
500
S/0.923
3,000
S/0.755
6,000
Ver
1,000
S/0.829
6,000
S/0.646
9,000
S/0.564
24,000
S/0.541
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.11
1,427 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,427 En existencias
6,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
1,427 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 11/09/2026
4,000 Se espera el 13/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas
1
S/6.11
10
S/3.85
100
S/2.56
500
S/2.00
2,000
S/1.67
4,000
Ver
1,000
S/1.83
4,000
S/1.53
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.03
700 En existencias
6,000 Se espera el 16/11/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ20S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
700 En existencias
6,000 Se espera el 16/11/2026
1
S/6.03
10
S/3.82
100
S/2.54
500
S/1.99
2,000
S/1.66
4,000
Ver
1,000
S/1.81
4,000
S/1.51
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/8.17
594 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
594 En existencias
1
S/8.17
10
S/3.93
100
S/3.51
500
S/2.79
2,000
S/2.35
4,000
Ver
1,000
S/2.66
4,000
S/2.27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.89
1,342 En existencias
6,000 Se espera el 18/08/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ60S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,342 En existencias
6,000 Se espera el 18/08/2026
1
S/9.89
10
S/6.34
100
S/4.32
500
S/3.66
2,000
S/3.07
4,000
Ver
1,000
S/3.25
4,000
S/2.68
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK11S10N1L,LQ
Toshiba
1:
S/5.53
1,720 En existencias
2,000 Se espera el 11/01/2027
N.º de artículo de Mouser
757-TK11S10N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,720 En existencias
2,000 Se espera el 11/01/2027
1
S/5.53
10
S/3.49
100
S/2.31
500
S/1.80
2,000
S/1.60
4,000
Ver
1,000
S/1.64
4,000
S/1.35
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.70
220 En existencias
2,000 Se espera el 16/11/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TK40S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101
220 En existencias
2,000 Se espera el 16/11/2026
1
S/6.70
10
S/4.24
100
S/2.83
500
S/2.23
2,000
S/1.86
4,000
Ver
1,000
S/2.03
4,000
S/1.74
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK7S10N1Z,LQ
Toshiba
1:
S/8.45
1,289 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK7S10N1ZLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,289 En existencias
1
S/8.45
10
S/5.41
100
S/3.65
500
S/2.90
2,000
S/2.46
4,000
Ver
1,000
S/2.66
4,000
S/2.39
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Optoacopladores de salida de transistores Transistor Coupler Automotive; AEC-Q101
TLX9185A(GBTPL,F
Toshiba
1:
S/13.00
7 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
757-TLX9185AGBTPLF
Toshiba
Optoacopladores de salida de transistores Transistor Coupler Automotive; AEC-Q101
7 En existencias
6,000 En pedido
1
S/13.00
10
S/9.54
100
S/7.47
500
S/6.54
3,000
S/5.84
6,000
Ver
1,000
S/6.27
6,000
S/5.64
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
TLX9378(TPL,F
Toshiba
1:
S/16.08
407 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TLX9378TPLF
Toshiba
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
407 En existencias
1
S/16.08
10
S/11.83
100
S/9.30
500
S/8.17
3,000
S/7.40
6,000
Ver
1,000
S/7.82
6,000
S/7.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.38
3 En existencias
5,000 Se espera el 18/08/2026
N.º de artículo de Mouser
757-XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3 En existencias
5,000 Se espera el 18/08/2026
1
S/6.38
10
S/4.05
100
S/2.69
500
S/2.11
1,000
S/1.76
5,000
S/1.62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.73
3,800 Se espera el 14/09/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TJ90S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,800 Se espera el 14/09/2026
1
S/9.73
10
S/6.27
100
S/4.28
500
S/3.40
1,000
S/3.22
2,000
S/2.91
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK55S10N1,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.26
4,000 Se espera el 14/09/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TK55S10N1,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,000 Se espera el 14/09/2026
1
S/9.26
10
S/5.96
100
S/4.05
500
S/3.21
2,000
S/2.73
4,000
Ver
1,000
S/2.95
4,000
S/2.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
TK7S10N1Z,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.84
4,000 Se espera el 21/08/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TK7S10N1ZLXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101
4,000 Se espera el 21/08/2026
1
S/5.84
10
S/3.69
100
S/2.45
500
S/1.92
2,000
S/1.60
4,000
Ver
1,000
S/1.74
4,000
S/1.44
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/14.64
9,031 Se espera el 28/08/2026
N.º de artículo de Mouser
757-TPHR7904PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
9,031 Se espera el 28/08/2026
1
S/14.64
10
S/9.58
100
S/6.70
500
S/5.45
2,500
S/5.25
5,000
S/5.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
+1 imagen
XPH2R106NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/12.34
9,836 Se espera el 28/08/2026
N.º de artículo de Mouser
757-XPH2R106NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
9,836 Se espera el 28/08/2026
1
S/12.34
10
S/8.02
100
S/5.53
500
S/4.52
1,000
Ver
5,000
S/3.89
1,000
S/4.28
2,500
S/4.05
5,000
S/3.89
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles