Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/14.17
14,862 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
14,862 En existencias
1
S/14.17
10
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100
S/6.46
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S/5.25
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S/4.83
2,000
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S/4.44
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S/4.36
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/6.73
46,180 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
46,180 En existencias
1
S/6.73
10
S/4.28
100
S/2.84
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S/2.23
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S/1.87
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S/2.04
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S/1.67
10,000
S/1.62
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
1:
S/11.17
25,796 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4S04PB,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
25,796 En existencias
1
S/11.17
10
S/7.24
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S/4.01
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S/3.75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
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42,534 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
42,534 En existencias
1
S/17.28
10
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S/5.72
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
Toshiba
1:
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26,372 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK160F10N1LLXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
26,372 En existencias
1
S/19.38
10
S/12.85
100
S/9.11
500
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2,000
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S/6.46
25,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/7.36
56,440 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,440 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.71
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S/3.15
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5,000
S/2.05
10,000
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S/2.12
10,000
S/2.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
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N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
44,969 En existencias
1
S/5.61
10
S/3.52
100
S/2.33
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S/1.82
2,000
S/1.54
4,000
Ver
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S/1.65
4,000
S/1.36
10,000
S/1.23
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.36
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N.º de artículo de Mouser
757-TK65S04N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
11,190 En existencias
1
S/7.36
10
S/4.71
100
S/3.15
500
S/2.48
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S/2.09
4,000
Ver
1,000
S/2.27
4,000
S/1.86
24,000
S/1.72
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/12.26
3,344 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPWR7904PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
3,344 En existencias
1
S/12.26
10
S/7.98
100
S/5.53
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S/4.44
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S/3.50
10,000
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S/4.28
2,500
S/4.01
10,000
S/3.48
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
SSM3K341TU,LXHF
Toshiba
1:
S/3.97
8,859 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K341TULXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
8,859 En existencias
1
S/3.97
10
S/2.48
100
S/1.61
500
S/1.24
3,000
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6,000
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1,000
S/1.12
6,000
S/0.887
9,000
S/0.779
24,000
S/0.755
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
TK60S10N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.58
5,950 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK60S10N1LLXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
5,950 En existencias
1
S/9.58
10
S/6.19
100
S/4.20
500
S/3.35
2,000
S/2.85
4,000
Ver
1,000
S/3.08
4,000
S/2.56
10,000
S/2.48
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2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.38
17,458 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK90S06N1L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,458 En existencias
1
S/9.38
10
S/6.03
100
S/4.13
500
S/3.27
2,000
S/2.78
4,000
Ver
1,000
S/3.01
4,000
S/2.50
10,000
S/2.46
24,000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
TLX9309(TPL,F
Toshiba
1:
S/14.48
4,415 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TLX9309TPLF
Toshiba
Optoacopladores de salida lógica IC Coupler Automotive; AEC-Q101
4,415 En existencias
1
S/14.48
10
S/10.67
100
S/8.37
500
S/7.40
3,000
S/6.66
6,000
Ver
1,000
S/7.12
6,000
S/6.38
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TKR74F04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/22.54
747 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TKR74F04PBLXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
747 En existencias
1
S/22.54
10
S/15.06
100
S/10.78
500
S/9.73
1,000
S/8.33
2,000
S/7.90
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/5.88
4,825 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPN7R104NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,825 En existencias
1
S/5.88
10
S/3.71
100
S/2.46
500
S/1.93
5,000
S/1.45
10,000
Ver
1,000
S/1.61
10,000
S/1.30
25,000
S/1.27
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
XPH3R206NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/10.32
7,036 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPH3R206NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
7,036 En existencias
1
S/10.32
10
S/6.66
100
S/4.55
500
S/3.64
5,000
S/2.85
10,000
Ver
1,000
S/3.37
2,500
S/3.31
10,000
S/2.75
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/5.61
17,733 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ10S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,733 En existencias
1
S/5.61
10
S/3.52
100
S/2.33
500
S/1.82
2,000
S/1.51
4,000
Ver
1,000
S/1.65
4,000
S/1.36
10,000
S/1.23
24,000
S/1.19
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
1:
S/9.11
4,069 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
4,069 En existencias
1
S/9.11
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.16
2,000
S/2.69
4,000
Ver
1,000
S/2.90
4,000
S/2.41
10,000
S/2.32
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/10.20
16,702 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
16,702 En existencias
1
S/10.20
10
S/4.71
100
S/3.62
500
S/3.16
5,000
S/2.76
10,000
Ver
1,000
S/3.01
2,500
S/3.00
10,000
S/2.71
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
XPH6R30ANB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/8.76
11,022 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPH6R30ANBL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
11,022 En existencias
1
S/8.76
10
S/5.64
100
S/3.80
500
S/3.02
5,000
S/2.28
10,000
Ver
1,000
S/2.69
2,500
S/2.65
10,000
S/2.23
25,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
1:
S/6.66
6,794 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-XPN3R804NC,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
6,794 En existencias
1
S/6.66
10
S/4.24
100
S/2.81
500
S/2.21
5,000
S/1.65
10,000
Ver
1,000
S/1.86
2,500
S/1.85
10,000
S/1.51
25,000
S/1.50
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
SSM3J378R,LXHF
Toshiba
1:
S/2.57
88,725 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J378RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
88,725 En existencias
1
S/2.57
10
S/1.59
100
S/1.02
500
S/0.771
3,000
S/0.588
6,000
Ver
1,000
S/0.693
6,000
S/0.533
9,000
S/0.463
24,000
S/0.452
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
1:
S/14.29
1,831 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK1R4F04PB,LXGQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,831 En existencias
1
S/14.29
10
S/9.34
100
S/6.50
500
S/5.29
1,000
S/4.87
2,000
Ver
2,000
S/4.40
5,000
S/4.28
10,000
S/4.24
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba
1:
S/7.75
1,917 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK33S10N1LLXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101
1,917 En existencias
1
S/7.75
10
S/4.94
100
S/3.32
500
S/2.63
2,000
S/2.21
4,000
Ver
1,000
S/2.40
4,000
S/1.98
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TK15S04N1L,LQ
Toshiba
1:
S/9.07
1,682 En existencias
N.º de artículo de Mouser
757-TK15S04N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40W 1MHz Automotive; AEC-Q101
1,682 En existencias
1
S/9.07
10
S/5.84
100
S/3.97
500
S/3.14
2,000
S/2.67
4,000
Ver
1,000
S/2.88
4,000
S/2.39
10,000
S/2.30
24,000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles