Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

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Resultados: 65

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W

TPH7R006PL,L1Q
Toshiba
1: S/4.75
9,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH7R006PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH7R006PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W

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9,970En existencias

Cinta cortada

S/4.75

S/2.99

S/1.97

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.11

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

79 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W

TPH7R204PL,LQ
Toshiba
1: S/4.63
10,420En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH7R204PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH7R204PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 1570pF 24.4nC 50A 36W

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10,420En existencias

Cinta cortada

S/4.63

S/2.89

S/1.90

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.13

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

72 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH9R506PL,LQ
Toshiba
1: S/5.53
21,305En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH9R506PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH9R506PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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21,305En existencias

Cinta cortada

S/5.53

S/3.49

S/2.32

S/1.81

Envase tipo carrete

S/1.40

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

68 A

9.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W

TPHR9203PL,L1Q
Toshiba
1: S/8.45
5,719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR9203PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9203PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W

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5,719En existencias

Cinta cortada

S/8.45

S/5.45

S/3.67

S/2.93

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Envase tipo carrete

S/2.29

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

280 A

610 uOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPN11006PL,LQ
Toshiba
1: S/4.59
27,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN11006PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPN11006PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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27,364En existencias

Cinta cortada

S/4.59

S/2.85

S/1.88

S/1.46

Envase tipo carrete

S/1.12

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 3,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

54 A

11.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

TPN2R304PL,L1Q
Toshiba
1: S/5.22
40,703En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN2R304PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN2R304PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

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40,703En existencias

Cinta cortada

S/5.22

S/3.23

S/2.15

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.24

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

TPN2R805PL,L1Q
Toshiba
1: S/5.33
4,465En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN2R805PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN2R805PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

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4,465En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.35

S/2.22

S/1.73

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

45 V

139 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

39 nC

+ 175 C

104 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPN2R903PL,L1Q
Toshiba
1: S/4.40
6,328En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN2R903PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN2R903PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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6,328En existencias

Cinta cortada

S/4.40

S/2.86

S/1.89

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.07

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

122 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

TPN3R704PL,L1Q
Toshiba
1: S/4.52
32,745En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN3R704PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN3R704PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

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32,745En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.84

S/1.86

S/1.45

Envase tipo carrete

S/1.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

86 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPW3R70APL,L1Q
Toshiba
1: S/13.78
1,688En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW3R70APL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW3R70APLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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1,688En existencias

Cinta cortada

S/13.78

S/9.11

S/6.38

S/5.61

Envase tipo carrete

S/4.55

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK110A10PL,S4X
Toshiba
1: S/7.20
303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK110A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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303En existencias

S/7.20

S/3.39

S/3.15

S/2.40

Ver

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

36 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK110E10PL,S1X
Toshiba
1: S/8.14
332En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110E10PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK110E10PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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332En existencias

S/8.14

S/4.05

S/3.63

S/2.89

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

TK3R1A04PL,S4X
Toshiba
1: S/8.02
541En existencias
250Se espera el 15/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R1A04PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R1A04PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

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541En existencias

250Se espera el 15/05/2026

S/8.02

S/3.68

S/3.39

S/3.18

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

82 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

TK3R1E04PL,S1X
Toshiba
1: S/8.76
250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R1E04PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R1E04PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

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250En existencias

S/8.76

S/4.87

S/3.93

S/2.95

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

128 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 120A

TK3R2E06PL,S1X
Toshiba
1: S/11.02
990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R2E06PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R2E06PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 120A

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Hoja de datos

990En existencias

S/11.02

S/5.29

S/4.63

S/4.52

S/3.43

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

168 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK3R3A06PL,S4X
Toshiba
1: S/11.13
50En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R3A06PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R3A06PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

50En existencias

S/11.13

S/5.45

S/4.52

S/4.01

S/3.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

80 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK3R9E10PL,S1X
Toshiba
1: S/13.62
252En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R9E10PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R9E10PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

252En existencias

S/13.62

S/6.89

S/6.85

S/5.06

S/4.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK4R1A10PL,S4X
Toshiba
1: S/11.95
198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4R1A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4R1A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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198En existencias

S/11.95

S/6.19

S/6.15

S/4.48

S/3.97

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W

TK4R3A06PL,S4X
Toshiba
1: S/8.17
250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4R3A06PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4R3A06PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 68A 36W

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Hoja de datos

250En existencias

S/8.17

S/3.75

S/3.69

S/2.73

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

68 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

48.2 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

TK4R3E06PL,S1X
Toshiba
1: S/9.07
299En existencias
6,350En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK4R3E06PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4R3E06PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

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299En existencias

6,350En pedido

S/9.07

S/4.44

S/4.16

S/3.18

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

106 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

48.2 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK5R3A06PL,S4X
Toshiba
1: S/8.02
171En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5R3A06PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R3A06PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

171En existencias

S/8.02

S/3.84

S/3.69

S/2.76

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

56 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK6R7A10PL,S4X
Toshiba
1: S/9.03
149En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6R7A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R7A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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149En existencias

S/9.03

S/4.48

S/4.20

S/3.18

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

56 A

10.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK7R4A10PL,S4X
Toshiba
1: S/8.33
143En existencias
300Se espera el 15/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK7R4A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7R4A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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S/8.33

S/4.16

S/3.85

S/2.97

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ

TK7R7P10PL,RQ
Toshiba
1: S/7.43
262En existencias
2,500Se espera el 15/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK7R7P10PL,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK7R7P10PLRQ

Toshiba

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Cinta cortada

S/7.43

S/4.75

S/3.17

S/2.54

S/2.32

Envase tipo carrete

S/1.95

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

79 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W

TK8R2A06PL,S4X
Toshiba
1: S/6.81
1,744En existencias
1,750Se espera el 15/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK8R2A06PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK8R2A06PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W

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S/6.81

S/3.22

S/2.92

S/2.31

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

28.3 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

U-MOSIX-H MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

12 A
15 A
36 A
40 A
42 A
50 A
54 A
56 A
68 A
72 A
74 A
75 A
76 A
79 A
80 A
82 A
87 A
90 A
92 A
100 A

610 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
850 uOhms
890 uOhms
1.2 mOhms
1.29 mOhms
1.34 mOhms
1.4 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms

7.5 nC
17 nC
20 nC
21 nC
22 nC
24 nC
26 nC
27 nC
28 nC
28.3 nC
29 nC
30 nC
33 nC
39 nC
41 nC
44 nC
45 nC
47 nC
48.2 nC
50 nC

1.25 W
2.5 W
36 W
42 W
45 W
54 W
61 W
66 W
69 W
75 W
81 W
86 W
87 W
90 W
93 W
104 W
116 W
132 W
168 W
170 W