Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

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Resultados: 66

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Volt N-Channel

TPHR6503PL,L1Q
Toshiba
1: S/12.49
9,343En existencias
5,000Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPHR6503PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR6503PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Volt N-Channel

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9,343En existencias

5,000Se espera el 17/08/2026

Cinta cortada

S/12.49

S/8.14

S/5.61

S/4.55

Ver

Envase tipo carrete

S/4.09

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

890 uOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPN11006PL,LQ
Toshiba
1: S/4.16
39,420En existencias
42,000Se espera el 14/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPN11006PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPN11006PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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39,420En existencias

42,000Se espera el 14/12/2026

Cinta cortada

S/4.16

S/2.59

S/1.69

S/1.31

Envase tipo carrete

S/1.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

54 A

11.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

TPN2R304PL,L1Q
Toshiba
1: S/6.03
11,972En existencias
25,000Se espera el 5/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
TPN2R304PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN2R304PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

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11,972En existencias

25,000Se espera el 5/02/2027

Cinta cortada

S/6.03

S/3.80

S/2.52

S/1.98

S/1.65

Envase tipo carrete

S/1.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

TPN2R805PL,L1Q
Toshiba
1: S/6.46
3,895En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN2R805PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN2R805PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET

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3,895En existencias

Cinta cortada

S/6.46

S/4.09

S/2.72

S/2.14

S/1.79

Envase tipo carrete

S/1.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

45 V

139 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

39 nC

+ 175 C

104 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

TPN3R704PL,L1Q
Toshiba
1: S/5.22
22,845En existencias
15,000Se espera el 21/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPN3R704PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN3R704PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

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22,845En existencias

15,000Se espera el 21/08/2026

Cinta cortada

S/5.22

S/3.28

S/2.16

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.26

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-Advance-8

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

86 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 72A

TPN4R806PL,L1Q
Toshiba
1: S/6.54
22,100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN4R806PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN4R806PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 72A

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22,100En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.76

S/2.16

Ver

Envase tipo carrete

S/1.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

105 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=75W F=1MHZ

TPN7R006PL,L1Q
Toshiba
1: S/6.31
15,729En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN7R006PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN7R006PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=75W F=1MHZ

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15,729En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.65

S/2.08

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.59

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

76 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPN7R504PL,LQ
Toshiba
1: S/3.97
14,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN7R504PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPN7R504PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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14,415En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.49

S/1.62

S/1.25

S/1.23

Envase tipo carrete

S/1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

68 A

7.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPW3R70APL,L1Q
Toshiba
1: S/16.04
5,377En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW3R70APL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW3R70APLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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Hoja de datos

5,377En existencias

Cinta cortada

S/16.04

S/10.55

S/7.40

S/6.15

S/5.92

Envase tipo carrete

S/5.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP

TPWR8004PL,L1Q
Toshiba
1: S/18.45
5,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR8004PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR8004PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP

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Hoja de datos

5,886En existencias

Cinta cortada

S/18.45

S/12.11

S/9.03

S/7.55

S/7.01

Envase tipo carrete

S/6.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK3R9E10PL,S1X
Toshiba
1: S/11.68
187En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R9E10PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R9E10PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

187En existencias

S/11.68

S/5.80

S/5.76

S/5.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

96 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK110E10PL,S1X
Toshiba
1: S/7.36
252En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110E10PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK110E10PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220 PD=87W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

252En existencias

S/7.36

S/3.51

S/3.13

S/2.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

42 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET ID=240A VDSS=100V

TK2R9E10PL,S1X
Toshiba
1: S/18.18
641En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2R9E10PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R9E10PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET ID=240A VDSS=100V

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641En existencias

S/18.18

S/9.19

S/8.29

S/7.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

240 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

306 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

TK3R1A04PL,S4X
Toshiba
1: S/8.84
761En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R1A04PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R1A04PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

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Hoja de datos

761En existencias

S/8.84

S/4.28

S/3.82

S/3.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

82 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

TK3R1E04PL,S1X
Toshiba
1: S/8.21
200En existencias
200Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK3R1E04PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R1E04PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

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Hoja de datos

200En existencias

200Se espera el 16/11/2026

S/8.21

S/3.97

S/3.51

S/3.32

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

40 V

128 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK4R1A10PL,S4X
Toshiba
1: S/11.60
188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4R1A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4R1A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

188En existencias

S/11.60

S/5.76

S/5.72

S/5.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

80 A

5.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK5R3A06PL,S4X
Toshiba
1: S/10.04
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK5R3A06PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK5R3A06PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=36W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

151En existencias

S/10.04

S/4.87

S/4.32

S/3.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

56 A

200 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

45 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK6R7A10PL,S4X
Toshiba
1: S/8.80
72En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6R7A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R7A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

72En existencias

S/8.80

S/4.28

S/3.81

S/3.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

56 A

10.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK7R4A10PL,S4X
Toshiba
1: S/10.04
587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK7R4A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK7R4A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

587En existencias

S/10.04

S/4.87

S/4.32

S/3.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

11.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W

TK8R2A06PL,S4X
Toshiba
1: S/7.55
25En existencias
2,450Se espera el 17/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK8R2A06PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK8R2A06PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 29nC 50A 34W

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Hoja de datos

25En existencias

2,450Se espera el 17/08/2026

S/7.55

S/3.61

S/3.22

S/3.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

28.3 nC

- 55 C

+ 175 C

36 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ

TK8R2E06PL,S1X
Toshiba
1: S/7.01
59En existencias
250Se espera el 8/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
TK8R2E06PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK8R2E06PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=81W F=1MHZ

Obtenga más información

Hoja de datos

59En existencias

250Se espera el 8/02/2027

S/7.01

S/3.34

S/2.99

S/2.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

75 A

8.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W

TPH2R506PL,L1Q
Toshiba
1: S/9.73
583En existencias
90,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R506PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R506PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W

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S/9.73

S/6.27

S/4.28

S/3.40

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Envase tipo carrete

S/2.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP-ADV PD=90W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPH3R704PC,LQ
Toshiba
1: S/5.72
71En existencias
3,000Se espera el 16/11/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R704PC,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R704PCLQ

Toshiba

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S/5.72

S/3.60

S/2.38

S/2.04

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S/2.04

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

82 A

5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

47 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W

TPH7R006PL,L1Q
Toshiba
1: S/6.34
1,253En existencias
5,000Se espera el 10/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPH7R006PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH7R006PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1440pF 27nC 79A 81W

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S/6.34

S/3.93

S/2.58

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.35

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

79 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

TPN5R203PL,LQ
Toshiba
1: S/4.01
3,907En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN5R203PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPN5R203PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=61W F=1MHZ

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S/4.01

S/2.51

S/1.64

S/1.26

S/1.25

Envase tipo carrete

S/1.25

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

76 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSIX-H MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

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Soporte

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15 A
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40 A
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54 A
56 A
68 A
72 A
74 A
75 A
76 A
79 A
80 A
82 A
87 A
90 A
92 A
100 A

610 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
850 uOhms
890 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.29 mOhms
1.34 mOhms
1.4 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.8 mOhms

7.5 nC
17 nC
20 nC
21 nC
22 nC
24 nC
26 nC
27 nC
28 nC
28.3 nC
29 nC
30 nC
33 nC
39 nC
41 nC
44 nC
45 nC
47 nC
48.2 nC
50 nC

1.25 W
2.5 W
36 W
42 W
45 W
54 W
61 W
66 W
69 W
75 W
81 W
86 W
87 W
90 W
93 W
104 W
116 W
132 W
168 W
170 W