Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

U-MOSIX-H MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, and flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers, and data centers. The MOSFETs feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 65

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPH1R306P1,L1Q
Toshiba
1: S/10.67
25,255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R306P1,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306P1L1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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25,255En existencias

Cinta cortada

S/10.67

S/7.82

S/5.61

S/4.79

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Envase tipo carrete

S/3.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET

TPH3R70APL,L1Q
Toshiba
1: S/9.19
43,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R70APL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R70APLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET

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43,046En existencias

Cinta cortada

S/9.19

S/5.92

S/4.05

S/3.22

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Envase tipo carrete

S/2.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
1: S/14.52
23,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR6003PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR6003PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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23,774En existencias

Cinta cortada

S/14.52

S/10.24

S/7.28

S/6.58

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Envase tipo carrete

S/5.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

840 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

TPH1R005PL,L1Q
Toshiba
1: S/5.99
2,372En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R005PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R005PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

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2,372En existencias

Cinta cortada

S/5.99

S/4.75

S/4.16

S/3.85

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Envase tipo carrete

S/3.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

150 A

1.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH4R803PL,LQ
Toshiba
1: S/2.92
26,398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH4R803PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH4R803PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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26,398En existencias

Cinta cortada

S/2.92

S/2.39

S/1.65

S/1.47

Envase tipo carrete

S/1.24

S/1.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

TPN1R603PL,L1Q
Toshiba
1: S/4.79
26,135En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN1R603PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN1R603PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

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26,135En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/3.10

S/2.11

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.30

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

188 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK110P10PL,RQ
Toshiba
1: S/6.73
17,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK110P10PL,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK110P10PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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17,030En existencias

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S/6.73

S/4.28

S/2.86

S/2.26

Envase tipo carrete

S/1.80

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

40 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

TK3R1P04PL,RQ
Toshiba
1: S/7.75
5,191En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R1P04PL,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R1P04PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

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5,191En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.94

S/3.33

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.12

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH2R003PL,LQ
Toshiba
1: S/5.10
5,165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R003PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R003PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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5,165En existencias

Cinta cortada

S/5.10

S/3.49

S/2.32

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.67

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

180 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

116 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

TPN7R006PL,L1Q
Toshiba
1: S/5.45
20,809En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN7R006PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN7R006PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTSON-ADVPD=75WF=1MHZ

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20,809En existencias

Cinta cortada

S/5.45

S/3.46

S/2.29

S/1.79

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S/1.31

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

76 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W

TPH6R004PL,LQ
Toshiba
1: S/2.96
20,067En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH6R004PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH6R004PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W

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Hoja de datos

20,067En existencias

Cinta cortada

S/2.96

S/2.42

S/1.67

S/1.49

Envase tipo carrete

S/1.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

81 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W

TPH3R003PL,LQ
Toshiba
1: S/6.23
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R003PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R003PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/3.89

S/2.60

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

134 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm

TPH3R70APL1,LQ
Toshiba
1: S/4.79
2,605En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R70APL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R70APL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm

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Hoja de datos

2,605En existencias

Cinta cortada

S/4.79

S/3.78

S/3.16

S/2.98

Ver

Envase tipo carrete

S/2.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH2R104PL,LQ
Toshiba
1: S/5.96
32,208En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R104PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R104PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

Hoja de datos

32,208En existencias

Cinta cortada

S/5.96

S/4.59

S/3.11

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

116 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

TPHR8504PL,L1Q
Toshiba
1: S/9.07
33,725En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR8504PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR8504PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

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Hoja de datos

33,725En existencias

Cinta cortada

S/9.07

S/6.15

S/4.36

S/3.74

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Envase tipo carrete

S/3.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

850 uOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

TPW1R005PL,L1Q
Toshiba
1: S/15.41
13,553En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW1R005PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R005PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

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Hoja de datos

13,553En existencias

Cinta cortada

S/15.41

S/9.58

S/6.93

S/6.31

S/5.68

Envase tipo carrete

S/5.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

300 A

1.65 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

122 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP

TPWR8004PL,L1Q
Toshiba
1: S/10.51
13,088En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR8004PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR8004PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP

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Hoja de datos

13,088En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/7.55

S/6.34

S/6.31

Envase tipo carrete

S/5.76

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

103 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

SSM6K513NU,LF
Toshiba
1: S/2.34
19,545En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K513NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K513NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Low ON Resistane Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Hoja de datos

19,545En existencias

Cinta cortada

S/2.34

S/1.54

S/1.06

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.642

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET ID=240A VDSS=100V

TK2R9E10PL,S1X
Toshiba
1: S/15.92
1,046En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2R9E10PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R9E10PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET ID=240A VDSS=100V

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Hoja de datos

1,046En existencias

S/15.92

S/7.86

S/7.55

S/6.77

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

240 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

306 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

TK4R4P06PL,RQ
Toshiba
1: S/4.52
3,248En existencias
2,500Se espera el 10/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
TK4R4P06PL,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK4R4P06PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

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Hoja de datos

3,248En existencias

2,500Se espera el 10/02/2026

Cinta cortada

S/4.52

S/3.22

S/3.16

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.72

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

106 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

48.2 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W

TK6R7P06PL,RQ
Toshiba
1: S/6.58
10,530En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK6R7P06PL,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK6R7P06PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

74 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

66 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 40V 150A

TPH1R204PB,L1Q
Toshiba
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TPH1R204PB,L1Q

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757-TPH1R204PBL1Q

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 40V 150A

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S/4.83

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

240 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

62 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

U-MOSIX-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH1R306PL,L1Q
Toshiba
1: S/10.94
2,629En existencias

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TPH1R306PL,L1Q

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757-TPH1R306PLL1Q

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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S/4.90

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

260 A

1.34 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

91 nC

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W

TPH2R506PL,L1Q
Toshiba
1: S/8.17
5,269En existencias
9,000Se espera el 20/02/2026

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TPH2R506PL,L1Q

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757-TPH2R506PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W

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S/8.17

S/5.41

S/3.62

S/2.93

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S/2.41

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

U-MOSIX-H

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH5R60APL,L1Q
Toshiba
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TPH5R60APL,L1Q

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757-TPH5R60APLL1Q

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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S/4.71

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S/2.52

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S/1.91

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

110 A

5.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

132 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSIX-H MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

12 A
15 A
36 A
40 A
42 A
50 A
54 A
56 A
68 A
72 A
74 A
75 A
76 A
79 A
80 A
82 A
87 A
90 A
92 A
100 A

610 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
850 uOhms
890 uOhms
1.2 mOhms
1.29 mOhms
1.34 mOhms
1.4 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms

7.5 nC
17 nC
20 nC
21 nC
22 nC
24 nC
26 nC
27 nC
28 nC
28.3 nC
29 nC
30 nC
33 nC
39 nC
41 nC
44 nC
45 nC
47 nC
48.2 nC
50 nC

1.25 W
2.5 W
36 W
42 W
45 W
54 W
61 W
66 W
69 W
75 W
81 W
86 W
87 W
90 W
93 W
104 W
116 W
132 W
168 W
170 W