Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP

TPWR8004PL,L1Q
Toshiba
1: S/15.38
10,040En existencias

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TPWR8004PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR8004PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Mosfet 40V 150A 8DSOP

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Cinta cortada

S/15.38

S/10.12

S/7.12

S/6.38

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Envase tipo carrete

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170 W

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U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

TPW1R005PL,L1Q
Toshiba
1: S/15.49
12,875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPW1R005PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPW1R005PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

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12,875En existencias

Cinta cortada

S/15.49

S/10.20

S/7.16

S/6.42

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Envase tipo carrete

S/5.99

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DSOP-8

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170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK110P10PL,RQ
Toshiba
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N.º de artículo del Fabricante
TK110P10PL,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK110P10PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DPAK-OS PD=75W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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16,345En existencias

Cinta cortada

S/6.73

S/4.28

S/2.86

S/2.26

S/2.07

Envase tipo carrete

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U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH2R003PL,LQ
Toshiba
1: S/6.97
5,165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R003PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R003PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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S/6.97

S/4.44

S/2.95

S/2.33

S/2.13

Envase tipo carrete

S/1.83

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180 A

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U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

TPH3R704PL,L1Q
Toshiba
1: S/5.33
8,071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R704PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R704PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

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S/5.33

S/3.36

S/2.23

S/1.74

Envase tipo carrete

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92 A

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81 W

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U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W

TPHR9203PL,L1Q
Toshiba
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5,709En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPHR9203PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPHR9203PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 5800pF 81nC 280A 132W

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S/8.45

S/5.45

S/3.67

S/2.93

Envase tipo carrete

S/2.38

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1.1 V

81 nC

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Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W

TPH6R004PL,LQ
Toshiba
1: S/5.33
19,357En existencias

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TPH6R004PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH6R004PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 2100pF 30nC 87A 81W

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S/5.33

S/3.37

S/2.23

S/1.74

S/1.59

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SOP-8

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40 V

87 A

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30 nC

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+ 175 C

81 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

TPH1R005PL,L1Q
Toshiba
1: S/10.67
2,342En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R005PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R005PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W

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S/10.67

S/6.89

S/4.75

S/3.85

S/3.60

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S/3.60

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170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH4R803PL,LQ
Toshiba
1: S/5.64
26,338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH4R803PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH4R803PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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S/5.64

S/3.57

S/2.36

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.42

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MouseReel Disponible

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N-Channel

1 Channel

30 V

90 A

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- 20 V, 20 V

1.1 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

69 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

TPN1R603PL,L1Q
Toshiba
1: S/5.84
25,376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPN1R603PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPN1R603PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2970pF 41nC 33A 30W

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25,376En existencias

Cinta cortada

S/5.84

S/3.67

S/2.43

S/1.90

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Envase tipo carrete

S/1.42

MouseReel Disponible

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TSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

188 A

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1.1 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

104 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H

TPM1R006PL,LQ
Toshiba
1: S/13.00
3,350En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
TPM1R006PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R006PLLQ

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET 40V 0.00067Ohm SOP Advance(N) U-MOS11-H

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3,350En existencias

Cinta cortada

S/13.00

S/8.41

S/6.19

S/5.18

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Envase tipo carrete

S/4.48

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

341 A

1 mOhms

20 V

2.5 V

106 nC

+ 175 C

250 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W

TPH3R003PL,LQ
Toshiba
1: S/6.23
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R003PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R003PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/6.23

S/3.97

S/2.63

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.60

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

134 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPWR6003PL,L1Q
Toshiba
1: S/16.54
18,773En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPWR6003PL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPWR6003PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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18,773En existencias

Cinta cortada

S/16.54

S/10.78

S/7.82

S/6.58

S/6.15

Envase tipo carrete

S/6.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

DSOP-8

N-Channel

1 Channel

30 V

150 A

840 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm

TPH3R70APL1,LQ
Toshiba
1: S/8.72
2,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R70APL1,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R70APL1LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V U-MOS IX-H SOP-Advance(N) 3.7mohm

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Hoja de datos

2,485En existencias

Cinta cortada

S/8.72

S/5.61

S/3.79

S/3.03

Ver

Envase tipo carrete

S/2.72

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

210 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TPH1R306P1,L1Q
Toshiba
1: S/12.88
17,156En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R306P1,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH1R306P1L1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

17,156En existencias

Cinta cortada

S/12.88

S/8.37

S/6.15

S/5.14

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Envase tipo carrete

S/4.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=116W F=1MHZ

TPH2R104PL,LQ
Toshiba
1: S/7.75
31,780En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH2R104PL,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R104PLLQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=116W F=1MHZ

Hoja de datos

31,780En existencias

Cinta cortada

S/7.75

S/4.98

S/3.34

S/2.65

S/2.44

Envase tipo carrete

S/2.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

78 nC

- 55 C

+ 175 C

116 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET

TPH3R70APL,L1Q
Toshiba
1: S/9.85
35,587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH3R70APL,L1Q

N.º de artículo de Mouser
757-TPH3R70APLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 150A N-CH MOSFET

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Hoja de datos

35,587En existencias

Cinta cortada

S/9.85

S/6.31

S/4.32

S/3.44

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Envase tipo carrete

S/2.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

67 nC

- 55 C

+ 175 C

170 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET ID=240A VDSS=100V

TK2R9E10PL,S1X
Toshiba
1: S/17.56
884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2R9E10PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2R9E10PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET ID=240A VDSS=100V

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Hoja de datos

884En existencias

S/17.56

S/10.78

S/8.91

S/7.43

S/6.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

240 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

306 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

TK3R1P04PL,RQ
Toshiba
1: S/8.29
3,416En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R1P04PL,RQ

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R1P04PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

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Hoja de datos

3,416En existencias

Cinta cortada

S/8.29

S/5.29

S/3.55

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.34

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK3R2A10PL,S4X
Toshiba
1: S/17.75
5,520En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK3R2A10PL,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK3R2A10PLS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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Hoja de datos

5,520En existencias

S/17.75

S/9.11

S/9.03

S/7.59

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

161 nC

- 55 C

+ 175 C

54 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

TK4R3E06PL,S1X
Toshiba
1: S/10.00
2,454En existencias
10,750En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK4R3E06PL,S1X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4R3E06PLS1X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

Obtenga más información

Hoja de datos

2,454En existencias

10,750En pedido

S/10.00

S/4.90

S/4.52

S/3.78

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

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60 V

106 A

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1.5 V

48.2 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

TK4R4P06PL,RQ
Toshiba
1: S/9.23
2,172En existencias
7,500Se espera el 17/09/2026

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TK4R4P06PL,RQ

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757-TK4R4P06PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 3280pF 48.2nC 106A 87W

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Cinta cortada

S/9.23

S/5.84

S/4.01

S/3.18

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

106 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

48.2 nC

- 55 C

+ 175 C

87 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W

TK6R7P06PL,RQ
Toshiba
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9,699En existencias
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TK6R7P06PL,RQ

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757-TK6R7P06PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W

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Cinta cortada

S/6.70

S/4.28

S/2.85

S/2.25

S/2.06

Envase tipo carrete

S/1.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

74 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

66 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ

TK7R7P10PL,RQ
Toshiba
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3,168En existencias
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TK7R7P10PL,RQ

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757-TK7R7P10PLRQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK PD=93W F=1MHZ

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Cinta cortada

S/8.60

S/5.41

S/3.57

S/2.83

Envase tipo carrete

S/2.30

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

79 A

7.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

TPH1R405PL,L1Q
Toshiba
1: S/8.87
10,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPH1R405PL,L1Q

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757-TPH1R405PLL1Q

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR

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Cinta cortada

S/8.87

S/5.68

S/3.84

S/3.06

Ver

Envase tipo carrete

S/2.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

SOP-8

N-Channel

1 Channel

45 V

232 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

74 nC

+ 175 C

132 W

Enhancement

U-MOSIX-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

12 A
15 A
36 A
40 A
42 A
50 A
54 A
56 A
68 A
72 A
74 A
75 A
76 A
79 A
80 A
82 A
87 A
90 A
92 A
100 A

610 uOhms
800 uOhms
840 uOhms
850 uOhms
890 uOhms
1 mOhms
1.2 mOhms
1.29 mOhms
1.34 mOhms
1.4 mOhms
1.65 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.8 mOhms

7.5 nC
17 nC
20 nC
21 nC
22 nC
24 nC
26 nC
27 nC
28 nC
28.3 nC
29 nC
30 nC
33 nC
39 nC
41 nC
44 nC
45 nC
47 nC
48.2 nC
50 nC

1.25 W
2.5 W
36 W
42 W
45 W
54 W
61 W
66 W
69 W
75 W
81 W
86 W
87 W
90 W
93 W
104 W
116 W
132 W
168 W
170 W