Semiconductores discretos

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores discretos

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A

IXFA10N60P
IXYS
1: S/20.01
179En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A

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Hoja de datos

179En existencias

S/20.01

S/10.47

S/9.58

S/7.98

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 12A

IXFA12N50P
IXYS
1: S/12.65
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA12N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA12N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 12A

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300En existencias

S/12.65

S/8.41

S/8.25

S/7.98

S/7.51

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

IXFA14N60P
IXYS
1: S/20.67
306En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA14N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA14N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A

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Hoja de datos

306En existencias

S/20.67

S/12.65

S/11.56

S/9.42

S/9.11

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFA6N120P
IXYS
1: S/36.67
83En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

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Hoja de datos

83En existencias

S/36.67

S/20.59

S/20.51

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V

IXFA7N100P
IXYS
1: S/29.47
181En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA7N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA7N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V

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Hoja de datos

181En existencias

S/29.47

S/16.08

S/14.71

S/12.49

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1200V 0.35 Rds

IXFB30N120P
IXYS
1: S/180.69
12En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB30N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB30N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1200V 0.35 Rds

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Hoja de datos

12En existencias

S/180.69

S/126.66

S/126.62

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFH10N80P
IXYS
1: S/24.91
290En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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Hoja de datos

290En existencias

S/24.91

S/13.23

S/11.83

S/10.63

S/10.47

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds

IXFH120N20P
IXYS
1: S/54.46
140En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds

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Hoja de datos

140En existencias

S/54.46

S/32.46

S/28.45

S/27.71

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds

IXFH12N120P
IXYS
1: S/70.22
50En existencias
1,350Se espera el 13/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds

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Hoja de datos

50En existencias

1,350Se espera el 13/07/2026

S/70.22

S/50.14

S/42.74

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFH12N90P
IXYS
1: S/40.37
145En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

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Hoja de datos

145En existencias

S/40.37

S/23.71

S/21.25

S/19.77

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 150V 0.013 Rds

IXFH150N15P
IXYS
1: S/50.14
38En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH150N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH150N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 150V 0.013 Rds

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Hoja de datos

38En existencias

S/50.14

S/29.93

S/28.45

S/27.71

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds

IXFH16N80P
IXYS
1: S/38.73
73En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds

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Hoja de datos

73En existencias

S/38.73

S/22.54

S/19.70

S/18.10

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 18A

IXFH18N60P
IXYS
1: S/29.15
16En existencias
870Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 18A

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Hoja de datos

16En existencias

870Se espera el 17/04/2026

S/29.15

S/17.05

S/14.25

S/12.38

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

IXFH20N80P
IXYS
1: S/44.18
186En existencias
90Se espera el 8/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

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Hoja de datos

186En existencias

90Se espera el 8/06/2026

S/44.18

S/31.02

S/26.39

S/20.55

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id24 BVdass800

IXFH24N80P
IXYS
1: S/50.91
57En existencias
1,110Se espera el 13/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH24N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH24N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id24 BVdass800

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Hoja de datos

57En existencias

1,110Se espera el 13/07/2026

S/50.91

S/30.83

S/28.10

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A

IXFH30N50P
IXYS
1: S/38.93
167En existencias
2,550Se espera el 28/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A

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Hoja de datos

167En existencias

2,550Se espera el 28/04/2026

S/38.93

S/30.28

S/27.29

S/22.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFH36N50P
IXYS
1: S/44.30
274En existencias
300Se espera el 23/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

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Hoja de datos

274En existencias

300Se espera el 23/09/2026

S/44.30

S/26.51

S/22.58

S/21.21

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A

IXFH36N60P
IXYS
1: S/52.00
186En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A

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Hoja de datos

186En existencias

S/52.00

S/31.57

S/27.09

S/26.16

S/26.12

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

IXFH6N120P
IXYS
1: S/47.53
188En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH6N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH6N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A

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Hoja de datos

188En existencias

S/47.53

S/28.77

S/26.78

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600

IXFP10N60P
IXYS
1: S/16.04
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP10N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP10N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600

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Hoja de datos

224En existencias

S/16.04

S/10.55

S/9.77

S/7.90

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id12 BVdass500

IXFP12N50P
IXYS
1: S/19.89
2En existencias
100Se espera el 18/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFP12N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP12N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id12 BVdass500

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Hoja de datos

2En existencias

100Se espera el 18/03/2026

S/19.89

S/12.88

S/10.35

S/7.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 4A N-CH POLAR

IXFP4N100PM
IXYS
1: S/28.77
417En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP4N100PM

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP4N100PM

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 4A N-CH POLAR

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Hoja de datos

417En existencias

S/28.77

S/20.32

S/14.75

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V

IXFP5N100P
IXYS
1: S/24.29
362En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP5N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP5N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V

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Hoja de datos

362En existencias

S/24.29

S/12.03

S/11.02

S/10.00

S/9.77

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds

IXFP7N80P
IXYS
1: S/22.15
89En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP7N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP7N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 800V 1.44 Rds

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Hoja de datos

89En existencias

S/22.15

S/11.87

S/10.94

S/9.54

S/9.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

IXFR140N20P
IXYS
1: S/63.68
45En existencias
300Se espera el 11/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 200V 0.018 Rds

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Hoja de datos

45En existencias

300Se espera el 11/03/2026

S/63.68

S/41.88

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

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