Semiconductores discretos

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Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (t_rr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest R_DS(on), low R_thJC, low Q_g, and enhanced dv/dt capability.

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: S/19.46
8,999En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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Hoja de datos

8,999En existencias

S/19.46

S/9.11

S/8.56

S/8.17

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds

IXFX64N50P
IXYS
1: S/59.71
1,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds

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Hoja de datos

1,536En existencias

S/59.71

S/45.89

S/40.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-PLUS-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: S/77.31
1,148En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Hoja de datos

1,148En existencias

S/77.31

S/53.64

S/53.60

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

IXFH52N30P
IXYS
1: S/33.09
3,278En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH52N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH52N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds

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Hoja de datos

3,278En existencias

S/33.09

S/19.19

S/16.97

S/15.18

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Módulos MOSFET 600V 64A

IXFN64N60P
IXYS
1: S/132.58
902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFN64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN64N60P

IXYS

Módulos MOSFET 600V 64A

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902En existencias

S/132.58

S/97.78

S/86.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFH18N90P
IXYS
1: S/45.54
2,347En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N90P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N90P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

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2,347En existencias

S/45.54

S/27.71

S/27.13

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 800V 0.14 Rds

IXFB60N80P
IXYS
1: S/117.48
205En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFB60N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFB60N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 800V 0.14 Rds

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205En existencias

S/117.48

S/84.86

S/82.64

S/70.84

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

PLUS-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

IXFK26N120P
IXYS
1: S/144.06
265En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK26N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK26N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V

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265En existencias

S/144.06

S/97.27

S/95.60

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

IXFK32N100P
IXYS
1: S/98.91
333En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1000V 0.32 Rds

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333En existencias

S/98.91

S/62.16

S/59.75

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

IXFP16N50P
IXYS
1: S/20.94
1,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP16N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP16N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

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1,727En existencias

S/20.94

S/11.52

S/10.51

S/9.15

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds

IXFH170N10P
IXYS
1: S/52.82
368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds

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368En existencias

S/52.82

S/32.50

S/28.45

S/27.71

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

IXFH88N30P
IXYS
1: S/61.97
244En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH88N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH88N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

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244En existencias

S/61.97

S/38.19

S/34.10

S/32.81

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800

IXFN60N80P
IXYS
1: S/175.43
333En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFN60N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFN60N80P

IXYS

Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800

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333En existencias

S/175.43

S/131.84

S/122.11

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds

IXFR140N30P
IXYS
1: S/90.11
355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR140N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds

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355En existencias

S/90.11

S/65.20

S/61.00

S/58.08

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V

IXFA4N100P
IXYS
1: S/20.09
798En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA4N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA4N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4 Amps 1000V

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798En existencias

S/20.09

S/10.28

S/9.42

S/7.86

S/7.40

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

IXFT36N50P
IXYS
1: S/43.83
1,650En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT36N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT36N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A

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Hoja de datos

1,650En existencias

S/43.83

S/26.04

S/25.57

S/24.83

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

IXFH16N50P
IXYS
1: S/24.99
3,005En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH16N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH16N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A

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Hoja de datos

3,005En existencias

S/24.99

S/14.29

S/11.83

S/10.74

S/10.63

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

IXFK140N20P
IXYS
1: S/67.03
300En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

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Hoja de datos

300En existencias

S/67.03

S/41.81

S/36.59

S/36.28

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V

IXFP7N100P
IXYS
1: S/29.23
1,345En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP7N100P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP7N100P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V

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Hoja de datos

1,345En existencias

S/29.23

S/14.95

S/13.66

S/12.65

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

IXFT140N10P
IXYS
1: S/62.71
515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT140N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT140N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds

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Hoja de datos

515En existencias

S/62.71

S/38.26

S/35.73

S/34.41

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds

IXFT16N120P
IXYS
1: S/88.36
324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT16N120P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT16N120P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds

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Hoja de datos

324En existencias

S/88.36

S/72.28

S/54.18

S/52.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds

IXFX140N30P
IXYS
1: S/90.81
510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX140N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX140N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds

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Hoja de datos

510En existencias

S/90.81

S/57.92

S/53.60

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

IXFK80N50P
IXYS
1: S/76.95
406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK80N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK80N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

Obtenga más información

Hoja de datos

406En existencias

S/76.95

S/53.33

S/53.29

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

IXFH120N15P
IXYS
1: S/35.30
390En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH120N15P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH120N15P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds

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Hoja de datos

390En existencias

S/35.30

S/21.02

S/19.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A

IXFH30N60P
IXYS
1: S/43.32
1,733En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A

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Hoja de datos

1,733En existencias

S/43.32

S/22.81

S/22.30

S/22.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

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