Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 3 Amp
STS2DNF30L
STMicroelectronics
1:
S/3.93
1,582 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STS2DNF30L
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 3 Amp
1,582 En existencias
1
S/3.93
10
S/2.46
100
S/1.61
500
S/1.24
2,500
S/0.989
5,000
Ver
1,000
S/1.14
5,000
S/0.872
10,000
S/0.794
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
30 V
3 A
90 mOhms
- 18 V, 18 V
2.5 V
4.5 nC
- 55 C
+ 150 C
1.6 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 150 V StripFET
STS5N15F4
STMicroelectronics
1:
S/9.50
828 En existencias
12,500 Se espera el 9/03/2026
N.º de artículo de Mouser
511-STS5N15F4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 150 V StripFET
828 En existencias
12,500 Se espera el 9/03/2026
1
S/9.50
10
S/6.11
100
S/4.16
500
S/3.45
2,500
S/2.72
5,000
Ver
1,000
S/3.04
5,000
S/2.61
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
150 V
5 A
57 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II
STP80NF70
STMicroelectronics
1:
S/9.77
280 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF70
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II
280 En existencias
1
S/9.77
10
S/5.45
100
S/4.36
500
S/3.58
1,000
Ver
1,000
S/3.13
2,000
S/2.83
5,000
S/2.73
10,000
S/2.72
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
68 V
98 A
9.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
STripFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET
STD17NF25
STMicroelectronics
1:
S/7.75
10,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
511-STD17NF25
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 30V 0.0032Ohm 20A MOSFET
10,000 En pedido
Ver fechas
En pedido:
5,000 Se espera el 9/03/2026
5,000 Se espera el 25/05/2026
Plazo de entrega de fábrica:
13 Semanas
1
S/7.75
10
S/4.98
100
S/3.35
500
S/2.66
2,500
S/2.20
5,000
Ver
1,000
S/2.44
5,000
S/2.04
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
250 V
17 A
165 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
29.5 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
STP95N4F3
STMicroelectronics
1:
S/10.24
649 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP95N4F3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
649 En existencias
1
S/10.24
10
S/6.58
100
S/4.48
500
S/3.72
1,000
Ver
1,000
S/3.18
2,000
S/3.12
5,000
S/3.09
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
6.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
54 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
STB120N4LF6
STMicroelectronics
1:
S/11.13
1,490 Se espera el 4/01/2027
N.º de artículo de Mouser
511-STB120N4LF6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
1,490 Se espera el 4/01/2027
1
S/11.13
10
S/7.20
100
S/4.98
500
S/4.24
1,000
S/3.62
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 120 Amp
STB150NF55T4
STMicroelectronics
1:
S/14.13
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STB150NF55
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 120 Amp
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1
S/14.13
10
S/9.26
100
S/6.46
500
S/5.68
1,000
S/4.87
2,000
S/4.59
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
120 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
190 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V
STD30NF06T4
STMicroelectronics
1:
S/5.96
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STD30NF06T4
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1
S/5.96
10
S/3.76
100
S/2.51
500
S/1.97
2,500
S/1.60
5,000
Ver
1,000
S/1.79
5,000
S/1.51
10,000
S/1.46
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
28 A
20 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
58 nC
- 55 C
+ 175 C
70 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
STD96N3LLH6
STMicroelectronics
1:
S/6.11
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STD96N3LLH6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1
S/6.11
10
S/3.86
100
S/2.58
500
S/2.02
1,000
S/1.85
2,500
S/1.65
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
30 V
80 A
3.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
70 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
STH300NH02L-6
STMicroelectronics
1,000:
S/7.51
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STH300NH02L-6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Comprar
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
24 V
180 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
109 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V
STL66DN3LLH5
STMicroelectronics
1:
S/9.65
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STL66DN3LLH5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
1
S/9.65
10
S/6.23
100
S/4.28
500
S/3.41
1,000
S/3.32
3,000
S/2.86
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
2 Channel
30 V
20 A
5.9 mOhms
- 22 V, 22 V
3 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
72 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
STP140NF55
STMicroelectronics
1,000:
S/3.44
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STP140NF55
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
1,000
S/3.44
2,000
S/3.30
5,000
S/3.18
Comprar
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
142 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
STripFET
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 90 Amp
STP90NF03L
STMicroelectronics
2,000:
S/2.32
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STP90NF03L
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 90 Amp
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Comprar
Min.: 2,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
30 V
90 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
- 65 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri
STS10DN3LH5
STMicroelectronics
2,500:
S/1.97
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
511-STS10DN3LH5
NRND
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
2,500
S/1.97
5,000
S/1.79
10,000
S/1.77
Comprar
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
2 Channel
30 V
10 A
21 mOhms
- 22 V, 22 V
1 V
4.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
Enhancement
STripFET
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
STB85NF55T4
STMicroelectronics
1,000:
S/4.13
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STB85NF55
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Comprar
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 55V-2.9ohms 120A
STP190N55LF3
STMicroelectronics
1,000:
S/7.82
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STP190N55LF3
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 55V-2.9ohms 120A
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Comprar
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
55 V
120 A
3.7 mOhms
- 18 V, 18 V
1 V
80 nC
- 55 C
+ 175 C
312 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Tube