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STP190N55LF3

Name: STMicroelectronics STP190N55LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP190N55LF3
Price: 8.95 PEN
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STP190N55LF3

Fabricante N.º:

STP190N55LF3

Fabricante:

STMicroelectronics

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	55 V
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 18 V, 18 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	80 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	312 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q100
Nombre comercial:	STripFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	40 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	STP190N55LF3
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	160 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	2 g