Resultados: 129
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 633En existencias
1,000Se espera el 15/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 879En existencias
1,000Se espera el 8/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II 103En existencias
2,000Se espera el 19/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 68 V 98 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 250V 0.165mOhm 17A MOSFET
57,811En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
984Se espera el 18/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 75 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 50 C + 150 C 190 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V
15,482En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 30 V 9 A 19 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 6 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CH 40V 15A STripFET V
3,000Se espera el 24/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 40 V 60 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 4A STripFET
42,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 100 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 7 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 120A STripFET II 110A
4,914Se espera el 28/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 10.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 233 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp
11,173Se espera el 14/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
1,803Se espera el 4/06/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp
1,998Se espera el 24/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 250V 0.21 15A Pwr MOSFET
4,988En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.2 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET
2,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 75 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 50 C + 150 C 190 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 80 Amp 2,995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 117 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 65 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A 643En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 54 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 40 Amp
879Se espera el 18/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 40 A 30 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 64 nC - 65 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp
1,936Se espera el 24/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 65 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 3.5mOhm N-Channel Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 28 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 58 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 24V 0.95mOhm 180A STripFET Mosfet Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 24 V 180 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 109 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A 5.9 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube