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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp 633En existencias
17,500Se espera el 13/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 7.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 17 Amp 2,633En existencias
5,000Se espera el 17/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 4.8 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ 17A STripFET II Power MOSFET 2,134En existencias
2,500Se espera el 24/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 6.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 24 Amp 3,179En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 24 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 31 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK 2,011En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 35 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 38 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp 781En existencias
2,500Se espera el 17/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 75 V 40 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 80 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp 614En existencias
2,500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 66 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET 473En existencias
2,500Se espera el 13/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II 2,064En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 6 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40 Volt 80 Amp 1,375En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5 Ohms - 16 V, 16 V 1 V 70 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V, 195mOhms, 14A STripFET II Power MOSFET 969En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 13 A 235 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 418En existencias
10,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 143En existencias
1,000Se espera el 18/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET 348En existencias
1,000Se espera el 19/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 114.6 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V 153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 30 V 21 A 5.8 mOhms - 22 V, 22 V 3 V 12 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II 3,442En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 200 V 1 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 5.7 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 Amp 6,605En existencias
8,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 60 V 4 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 6.5 Amp 5,015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 30 V 6.5 A 50 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI 605En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250V STripFET II Mosfet 510En existencias
2,000Se espera el 18/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 50 Amp 2,010En existencias
1,000Se espera el 18/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 56En existencias
2,000Se espera el 4/06/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 38 Amp 935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 38 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 65 C + 175 C 80 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp 1,875En existencias
2,000Se espera el 6/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 54 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp 748En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 60 A 14 mOhms - 15 V, 15 V 1 V 35 nC - 65 C + 175 C 110 W Enhancement Tube