Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 129

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

STB80NF55-06T4
STMicroelectronics
1: S/14.40
1,476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB80NF55-06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB80NF55-06

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp

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1,476En existencias

Cinta cortada

S/14.40

S/9.42

S/6.58

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.98

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

80 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

189 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

STD120N4LF6
STMicroelectronics
1: S/11.76
2,587En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD120N4LF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD120N4LF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep

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Hoja de datos

2,587En existencias

Cinta cortada

S/11.76

S/7.59

S/5.22

S/4.24

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

STD12NF06L-1
STMicroelectronics
1: S/4.20
10,715En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD12NF06L-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD12NF06L-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 12 Amp

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Hoja de datos

10,715En existencias

S/4.20

S/2.66

S/1.76

S/1.38

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

60 V

12 A

100 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

30 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp

STD15NF10T4
STMicroelectronics
1: S/7.05
10,730En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD15NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD15NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp

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10,730En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.24

S/2.87

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

23 A

65 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp

STD16NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/6.93
10,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD16NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp

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10,364En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.40

S/2.93

S/2.31

S/2.11

Envase tipo carrete

S/1.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60V 0.060 Ohm 16A

STD16NF06T4
STMicroelectronics
1: S/6.70
9,385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD16NF06T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD16NF06T4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60V 0.060 Ohm 16A

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Hoja de datos

9,385En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.24

S/2.81

S/2.21

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

16 A

70 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

14.1 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V Pwr Mosfet

STD16NF25
STMicroelectronics
1: S/10.39
3,170En existencias
2,000Se espera el 24/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD16NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STD16NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V Pwr Mosfet

Hoja de datos

3,170En existencias

2,000Se espera el 24/08/2026

Cinta cortada

S/10.39

S/6.70

S/4.55

S/3.85

Envase tipo carrete

S/2.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

14 A

235 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II

STD18NF25
STMicroelectronics
1: S/11.64
4,568En existencias
7,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STD18NF25

N.º de artículo de Mouser
511-STD18NF25

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 250 V 17A STripFET II

Hoja de datos

4,568En existencias

7,500En pedido

Cinta cortada

S/11.64

S/7.55

S/5.18

S/4.20

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

17 A

165 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

29.5 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 0.032 Ohm 24A STripFET II

STD20NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/6.89
9,469En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD20NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD20NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 0.032 Ohm 24A STripFET II

Hoja de datos

9,469En existencias

Cinta cortada

S/6.89

S/3.27

S/2.92

S/2.29

Envase tipo carrete

S/1.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

24 A

32 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

STD20NF20
STMicroelectronics
1: S/12.07
5,749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD20NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STD20NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

Hoja de datos

5,749En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.36

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

STD25NF10T4
STMicroelectronics
1: S/7.32
3,716En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD25NF10T4

N.º de artículo de Mouser
511-STD25NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

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Hoja de datos

3,716En existencias

Cinta cortada

S/7.32

S/4.20

S/2.99

S/2.46

Envase tipo carrete

S/1.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

STD25NF10LT4
STMicroelectronics
1: S/13.86
3,659En existencias
5,000Se espera el 18/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD25NF10LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD25NF10L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 25 Amp

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Hoja de datos

3,659En existencias

5,000Se espera el 18/12/2026

Cinta cortada

S/13.86

S/9.03

S/6.31

S/5.14

S/5.06

Envase tipo carrete

S/4.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

25 A

30 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp

STD30NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/7.79
18,782En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD30NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD30NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp

Hoja de datos

18,782En existencias

Cinta cortada

S/7.79

S/4.94

S/3.34

S/2.64

Envase tipo carrete

S/2.18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp

STD35NF06LT4
STMicroelectronics
1: S/8.49
7,321En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD35NF06LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD35NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp

Hoja de datos

7,321En existencias

Cinta cortada

S/8.49

S/5.45

S/3.67

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.41

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

16 mOhms

- 16 V, 16 V

1 V

33 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 8.9 mOhm 44A STripFET VI Deep

STD44N4LF6
STMicroelectronics
1: S/7.51
3,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD44N4LF6

N.º de artículo de Mouser
511-STD44N4LF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 8.9 mOhm 44A STripFET VI Deep

Hoja de datos

3,089En existencias

Cinta cortada

S/7.51

S/4.79

S/3.22

S/2.54

Envase tipo carrete

S/2.09

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

44 A

11.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

22 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

AEC-Q100

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200 Volt 5 Amp

STD5N20LT4
STMicroelectronics
1: S/6.85
8,260En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5N20LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD5N20L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200 Volt 5 Amp

Hoja de datos

8,260En existencias

Cinta cortada

S/6.85

S/4.24

S/2.79

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.63

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

5 A

700 mOhms

- 5 V, 5 V

1 V

5 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 60 Amp

STD60NF55LT4
STMicroelectronics
1: S/7.82
3,697En existencias
5,000Se espera el 4/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
STD60NF55LT4

N.º de artículo de Mouser
511-STD60NF55L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 60 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

3,697En existencias

5,000Se espera el 4/12/2026

Cinta cortada

S/7.82

S/5.02

S/3.36

S/2.66

Envase tipo carrete

S/2.17

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

55 V

60 A

14 mOhms

- 15 V, 15 V

1 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V

STD86N3LH5
STMicroelectronics
1: S/7.16
7,474En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD86N3LH5

N.º de artículo de Mouser
511-STD86N3LH5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V

Hoja de datos

7,474En existencias

Cinta cortada

S/7.16

S/4.55

S/3.04

S/2.40

Envase tipo carrete

S/1.96

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

80 A

5 mOhms

- 22 V, 22 V

1 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V 15A 0.0076 Ohm STripFET

STL56N3LLH5
STMicroelectronics
1: S/5.64
7,969En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL56N3LLH5

N.º de artículo de Mouser
511-STL56N3LLH5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V 15A 0.0076 Ohm STripFET

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Hoja de datos

7,969En existencias

Cinta cortada

S/5.64

S/3.55

S/2.35

S/1.84

Envase tipo carrete

S/1.46

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

30 V

15 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 2 Amp

STN2NF10
STMicroelectronics
1: S/6.62
16,515En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN2NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STN2NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 2 Amp

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Hoja de datos

16,515En existencias

Cinta cortada

S/6.62

S/4.20

S/2.80

S/2.20

Ver

Envase tipo carrete

S/1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

100 V

2.4 A

260 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

STN3NF06L
STMicroelectronics
1: S/6.93
25,686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN3NF06L

N.º de artículo de Mouser
511-STN3NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

Obtenga más información

Hoja de datos

25,686En existencias

Cinta cortada

S/6.93

S/4.36

S/2.86

S/2.27

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

60 V

4 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

7 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II

STN4NF20L
STMicroelectronics
1: S/3.97
15,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN4NF20L

N.º de artículo de Mouser
511-STN4NF20L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 1.1 Ohm 1A LGC STripFET II

Hoja de datos

15,774En existencias

Cinta cortada

S/3.97

S/2.47

S/1.61

S/1.24

Envase tipo carrete

S/0.86

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

1 Channel

200 V

1 A

1.5 Ohms

- 20 V, 20 V

1 V

900 pC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

STP20NF20
STMicroelectronics
1: S/8.99
2,667En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NF20

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NF20

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET

Hoja de datos

2,667En existencias

S/8.99

S/4.40

S/3.93

S/3.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

18 A

125 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

25 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp

STP24NF10
STMicroelectronics
1: S/9.15
5,178En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP24NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 24 Amp

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Hoja de datos

5,178En existencias

S/9.15

S/5.14

S/3.93

S/3.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

26 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

85 W

Enhancement

STripFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

STP30NF10
STMicroelectronics
1: S/10.63
1,826En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30NF10

N.º de artículo de Mouser
511-STP30NF10

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp

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Hoja de datos

1,826En existencias

S/10.63

S/5.68

S/4.90

S/4.01

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

38 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 A
2.4 A
4 A
5 A
6 A
6.5 A
7.5 A
9 A
10 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
17 A
18 A
20 A
21 A
23 A
24 A

1.2 mOhms
2 mOhms
2.4 mOhms
3.2 mOhms
3.6 mOhms
3.7 mOhms
4 mOhms
4.3 mOhms
4.5 mOhms
4.6 mOhms
5 mOhms
5.8 mOhms
5.9 mOhms
6 mOhms
6.2 mOhms
6.5 mOhms
7.5 mOhms
8 mOhms
8.5 mOhms
9 mOhms

900 pC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
5 nC
5.7 nC
6 nC
6.5 nC
7 nC
7.3 nC
7.5 nC
10 nC
10.5 nC
12 nC
13 nC
14 nC
14.1 nC
15 nC
16 nC
17 nC

2 W
2.5 W
3.3 W
4.8 W
25 W
30 W
33 W
40 W
45 W
50 W
55 W
60 W
62.5 W
70 W
72 W
80 W
85 W
90 W
95 W
100 W