Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Id - Corriente de drenaje continua

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Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.66
22,746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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22,746En existencias

Cinta cortada

S/6.66

S/4.09

S/2.82

S/2.22

Envase tipo carrete

S/1.81

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.73
4,033En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

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4,033En existencias

Cinta cortada

S/9.73

S/6.03

S/4.28

S/3.41

Envase tipo carrete

S/2.97

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.34
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

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921En existencias

S/12.34

S/6.15

S/5.57

S/5.06

S/4.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.94
2,094En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

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2,094En existencias

Cinta cortada

S/7.94

S/5.10

S/3.41

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.23

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.64
2,683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

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2,683En existencias

Cinta cortada

S/11.64

S/7.51

S/5.22

S/4.20

S/3.97

Envase tipo carrete

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
3,200En existencias
3,000Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

3,200En existencias

3,000Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

S/6.97

S/4.44

S/2.95

S/2.33

Envase tipo carrete

S/1.87

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.06
17,361En existencias
18,000Se espera el 1/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R3K7P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

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17,361En existencias

18,000Se espera el 1/07/2026

Cinta cortada

S/5.06

S/3.18

S/2.10

S/1.63

Envase tipo carrete

S/1.29

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.91
1,548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R1K2P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R1K2P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

1,548En existencias

S/8.91

S/4.32

S/3.87

S/3.08

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.85
6En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R750P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R750P7AKMA1

Infineon Technologies

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S/9.85

S/5.33

S/4.24

S/3.57

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

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