Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/8.52 1,368En existencias 2,500Se espera el 15/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPD95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	1,368En existencias 2,500Se espera el 15/10/2026	Cinta cortada S/8.52 S/4.13 S/3.68 S/2.92 S/2.71 Envase tipo carrete S/2.41 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.55 12,647En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R2K0P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12,647En existencias	Cinta cortada S/7.55 S/3.60 S/3.16 S/2.51 Envase tipo carrete S/2.04 Ver S/2.30 S/1.92 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/10.82 2,960En existencias 2,500Se espera el 8/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPD95R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,960En existencias 2,500Se espera el 8/10/2026	Cinta cortada S/10.82 S/6.15 S/4.75 S/4.01 Envase tipo carrete S/3.27 Ver S/3.76 S/3.23 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	9 A	750 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/7.43 5,766En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5,766En existencias	Cinta cortada S/7.43 S/4.75 S/3.18 S/2.51 Envase tipo carrete S/2.02 Ver S/2.30 S/2.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/5.76 9,364En existencias 63,000Se espera el 24/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPN95R3K7P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R3K7P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	9,364En existencias 63,000Se espera el 24/12/2026	Cinta cortada S/5.76 S/2.69 S/2.39 S/1.86 Envase tipo carrete S/1.43 Ver S/1.81 S/1.31 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	2 A	3.7 Ohms	20 V	2.5 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/9.54 179En existencias 2,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPA95R1K2P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R1K2P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	179En existencias 2,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPA95R1K2P7XKSA1 Existencias: 179 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,000 Se espera el 26/11/2026 1,000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 31 Semanas	S/9.54 S/4.67 S/4.16 S/3.32 Ver S/3.27 S/3.20	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies 1: S/13.20 5En existencias 2,500Se espera el 18/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD95R450P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R450P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5En existencias 2,500Se espera el 18/02/2027	Cinta cortada S/13.20 S/7.47 S/5.76 S/4.75 S/4.55 Envase tipo carrete S/4.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	14 A	450 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies 1: S/10.20 2,999En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPU95R750P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU95R750P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2,999En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPU95R750P7AKMA1 Existencias: 0 En pedido: 1,499 Se espera el 24/09/2026 1,500 Se espera el 15/10/2026 Plazo de entrega de fábrica: 18 Semanas	S/10.20 S/4.79 S/4.32 S/3.65 Ver S/3.57 S/3.35	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	950 V	9 A	750 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies 1: S/13.23 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPA95R450P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R450P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	S/13.23 S/6.62 S/5.99 S/4.83	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	14 A	450 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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