Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R2K0P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.03
27,823En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R2K0P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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27,823En existencias

Cinta cortada

S/6.03

S/3.80

S/2.53

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.58

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R450P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
3,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R450P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R450P7ATMA1

Infineon Technologies

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3,340En existencias

Cinta cortada

S/11.09

S/7.20

S/4.98

S/4.09

S/3.76

Envase tipo carrete

S/3.32

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.11
921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R450P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

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921En existencias

S/12.11

S/6.07

S/5.49

S/4.55

S/3.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.28
2,110En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

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2,110En existencias

Cinta cortada

S/7.28

S/4.67

S/3.10

S/2.48

Envase tipo carrete

S/1.93

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
4,801En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

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4,801En existencias

Cinta cortada

S/9.23

S/5.88

S/4.09

S/3.46

Envase tipo carrete

S/2.67

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPN95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.31
5,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

5,774En existencias

Cinta cortada

S/6.31

S/4.01

S/2.68

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.77

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/4.52
30,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R3K7P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

30,505En existencias

Cinta cortada

S/4.52

S/2.84

S/1.87

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.20

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

6 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R1K2P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.21
1,678En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R1K2P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R1K2P7XKSA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

1,678En existencias

S/8.21

S/5.22

S/3.64

S/3.08

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/9.23
516En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R750P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R750P7AKMA1

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516En existencias

S/9.23

S/5.88

S/4.09

S/3.46

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Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

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Tube

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