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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 V SANYO T6 NCH IN

NTR3C21NZT1G
onsemi
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NTR3C21NZT1G

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863-NTR3C21NZT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 V SANYO T6 NCH IN

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S/1.91

S/1.27

S/0.845

S/0.759

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S/0.564

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

NTTFS5C670NLTAG
onsemi
1: S/8.06
7,702En existencias
34,500Se espera el 27/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C670NLTAG

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863-NTTFS5C670NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN U8FL

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7,702En existencias

34,500Se espera el 27/03/2026

Cinta cortada

S/8.06

S/5.41

S/4.59

S/4.40

Envase tipo carrete

S/4.16

S/3.97

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C454NLT4G
onsemi
1: S/5.53
2,888En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C454NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C454NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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Cinta cortada

S/5.53

S/4.55

S/4.01

S/3.70

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C460NLT4G
onsemi
1: S/9.77
1,990En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C460NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C460NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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S/9.77

S/6.31

S/4.32

S/3.46

S/3.37

Envase tipo carrete

S/2.88

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C460NT4G
onsemi
1: S/9.73
2,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C460NT4G

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863-NVD5C460NT4G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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S/9.73

S/6.31

S/4.32

S/3.46

S/3.37

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S/2.88

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C464NLT4G
onsemi
1: S/9.23
2,490En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C464NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C464NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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S/9.23

S/5.96

S/4.05

S/3.23

S/3.11

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S/2.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C486NLT4G
onsemi
1: S/8.49
5,000En existencias

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NVD5C486NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C486NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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S/8.49

S/5.45

S/3.69

S/2.95

S/2.73

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S/2.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C648NLT4G
onsemi
1: S/14.36
2,488En existencias

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NVD5C648NLT4G

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863-NVD5C648NLT4G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

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S/14.36

S/9.42

S/6.62

S/5.80

S/5.68

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S/5.10

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C684NLT4G
onsemi
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NVD5C684NLT4G

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863-NVD5C684NLT4G

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S/5.96

S/4.20

S/3.35

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK

NVD5C688NLT4G
onsemi
1: S/4.24
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NVD5C688NLT4G

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863-NVD5C688NLT4G

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S/4.24

S/3.57

S/3.02

S/2.87

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S/2.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLT1G
onsemi
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NVMFD5C446NLT1G

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S/17.67

S/12.49

S/9.65

S/9.46

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S/7.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C446NWFT1G
onsemi
1: S/17.63
2,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C446NWFT1G

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863-NVMFD5C446NWFT1G

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S/17.63

S/11.87

S/8.52

S/8.14

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S/6.89

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLT1G
onsemi
1: S/11.60
5,891En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NLT1G

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S/11.60

S/8.56

S/6.03

S/5.14

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S/4.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
onsemi
1: S/11.95
3,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C672NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C672NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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S/11.95

S/7.79

S/5.41

S/4.52

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S/3.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO

NVMFS4C302NT1G
onsemi
1: S/11.87
1,151En existencias
1,500Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS4C302NT1G

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863-NVMFS4C302NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 1.15MO

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S/11.87

S/8.17

S/5.84

S/5.22

Envase tipo carrete

S/4.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NWFAFT1G
onsemi
1: S/24.13
3,038En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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S/24.13

S/16.66

S/12.07

S/11.41

Envase tipo carrete

S/9.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLAFT1G
onsemi
1: S/19.54
1,247En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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S/19.54

S/12.96

S/9.26

S/8.80

S/7.16

Envase tipo carrete

S/7.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C410NLAFT1G
onsemi
1: S/18.92
1,338En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C410NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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S/18.92

S/12.88

S/9.19

S/8.72

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Envase tipo carrete

S/7.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C423NLWFAFT1G
onsemi
1: S/10.28
3,505En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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S/10.28

S/6.89

S/4.79

S/3.88

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S/3.34

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Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C426NAFT1G
onsemi
1: S/16.89
1,529En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NAFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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S/16.89

S/11.25

S/8.64

S/7.71

S/6.58

Envase tipo carrete

S/6.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C426NLT1G
onsemi
1: S/12.38
2,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

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2,180En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/9.38

S/8.02

S/7.75

Envase tipo carrete

S/6.70

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NWFAFT1G
onsemi
1: S/13.43
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C430NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C430AWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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Cinta cortada

S/13.43

S/8.84

S/6.19

S/5.37

Envase tipo carrete

S/4.55

S/4.36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLAFT1G
onsemi
1: S/9.42
3,320En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C442NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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Hoja de datos

3,320En existencias

Cinta cortada

S/9.42

S/6.19

S/4.32

S/3.46

Envase tipo carrete

S/3.00

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C450NLAFT1G
onsemi
1: S/6.77
6,638En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C450NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C450NLAF1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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6,638En existencias

Cinta cortada

S/6.77

S/5.49

S/4.24

S/3.39

Envase tipo carrete

S/3.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLAFT1G
onsemi
1: S/8.17
13,982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NLAF1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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13,982En existencias

Cinta cortada

S/8.17

S/5.49

S/3.88

S/3.10

Envase tipo carrete

S/2.72

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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