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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NTTFS016N06CTAG
onsemi
1: S/3.00
1,500Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS016N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS016N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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1,500Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/3.00

S/1.86

S/1.20

S/0.915

Envase tipo carrete

S/0.662

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL U8FL

NTTFS5C680NLTAG
onsemi
1: S/2.30
4,472Se espera el 5/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C680NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C680NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL U8FL

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4,472Se espera el 5/05/2026

Cinta cortada

S/2.30

S/1.42

S/0.907

S/0.697

Envase tipo carrete

S/0.487

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMJS1D2N04CLTWG
onsemi
3,000: S/3.09
12,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D2N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D2N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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S/3.09

S/3.08

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NTMJS1D3N04CTWG
onsemi
3,000: S/4.83
6,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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6,000Existencias en fábrica disponibles

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S/4.83

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Mult.: 3,000

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

NTMTS0D7N04CLTXG
onsemi
3,000: S/4.67
24,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D7N04CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D7N04CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

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S/4.67

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFD020N06CT1G
onsemi
1,500: S/3.31
7,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/3.31

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C462NWFT1G
onsemi
1: S/14.91
2Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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2Existencias en fábrica disponibles

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Cinta cortada

S/14.91

S/9.77

S/6.85

S/6.11

S/5.02

Envase tipo carrete

S/4.94

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFS020N06CT1G
onsemi
1: S/7.63
18,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Cinta cortada

S/7.63

S/4.87

S/3.29

S/2.61

S/2.46

Envase tipo carrete

S/2.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVMFS5C406NLWFT1G
onsemi
1,500: S/8.80
1,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C406NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C406NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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S/8.80

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET

NVMFS5C406NWFT1G
onsemi
1,500: S/8.72
43,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C406NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C406NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET

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S/8.72

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S0

NVMFS5C460NWFT1G
onsemi
1,500: S/2.95
10,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C460NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C460NWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S0

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S/2.95

S/2.69

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C466NWFT1G
onsemi
1: S/8.60
9,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C466NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C466NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN

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S/8.60

S/5.53

S/3.74

S/2.98

Envase tipo carrete

S/2.51

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS016N06CT1G
onsemi
1,500: S/2.39
16,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS016N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS016N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Envase tipo carrete

S/2.39

S/2.30

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NVMJS0D8N04CLTWG
onsemi
3,000: S/4.94
9,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMJS0D8N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS0D8N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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9,000Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

S/4.94

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFWS004N04CTAG
onsemi
1,500: S/2.66
7,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS004N04CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS004N04CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Envase tipo carrete

S/2.66

S/2.60

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFWS016N06CTAG
onsemi
1,500: S/2.18
16,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS016N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS016N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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16,500Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

S/2.18

S/2.06

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFWS020N06CTAG
onsemi
1,500: S/2.06
21,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVTFWS020N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFWS020N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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21,000Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

S/2.06

S/1.93

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NVMJS0D9N04CLTWG
onsemi
1: S/13.70
1Existencias en fábrica disponibles
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMJS0D9N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMJS0D9N04CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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Cinta cortada

S/13.70

S/8.95

S/6.27

S/5.45

S/5.33

Envase tipo carrete

S/4.44

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NTMFD024N06CT1G
onsemi
1: S/5.33
10,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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10,500Existencias en fábrica disponibles

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Cinta cortada

S/5.33

S/3.36

S/2.22

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.35

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER

NTMFS024N06CT1G
onsemi
1: S/3.11
48,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER

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48,000Existencias en fábrica disponibles

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Cinta cortada

S/3.11

S/1.94

S/1.25

S/0.958

Envase tipo carrete

S/0.701

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NTMFS5C646NT1G
onsemi
1: S/4.63
3,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C646NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C646NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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3,000Existencias en fábrica disponibles

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Cinta cortada

S/4.63

S/2.92

S/1.92

S/1.49

S/1.37

Envase tipo carrete

S/1.14

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS2D1N04CLTWG
onsemi
3,000: S/2.54
9,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS2D1N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS2D1N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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Hoja de datos

9,000Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

S/2.54

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NTTFS024N06CTAG
onsemi
1: S/2.76
48,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS024N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS024N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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48,000Existencias en fábrica disponibles

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Cinta cortada

S/2.76

S/1.72

S/1.11

S/0.841

Envase tipo carrete

S/0.615

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C673NWFT1G
onsemi
1: S/9.26
12,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C673NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C673NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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12,000Existencias en fábrica disponibles

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Cinta cortada

S/9.26

S/5.96

S/4.09

S/3.25

S/3.13

Envase tipo carrete

S/2.79

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA

NTMFS1D15N03CGT1G
onsemi
1: S/9.50
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS1D15N03CGT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS1D15N03CGTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA

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Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Cinta cortada

S/9.50

S/6.15

S/4.20

S/3.35

S/3.16

Envase tipo carrete

S/2.95

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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