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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS4D6N04CLTWG
onsemi
1: S/8.02
3,000Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS4D6N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS4D6N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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3,000Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/8.02

S/5.14

S/3.50

S/3.47

S/2.57

Envase tipo carrete

S/2.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NTTFS5C453NLTWG
onsemi
1: S/2.37
9,998Se espera el 25/08/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C453NLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C453NLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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9,998Se espera el 25/08/2026

Cinta cortada

S/2.37

S/1.50

S/1.22

S/1.16

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Envase tipo carrete

S/1.01

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Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NTTFS5C460NLTAG
onsemi
1: S/3.66
8,179Se espera el 27/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C460NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS5C460NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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8,179Se espera el 27/03/2026

Cinta cortada

S/3.66

S/2.27

S/1.48

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.876

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

NVMFS5C426NLWFT1G
onsemi
1: S/15.41
1,500Se espera el 3/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C426NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C426NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN

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1,500Se espera el 3/04/2026

Cinta cortada

S/15.41

S/10.16

S/7.12

S/6.38

S/6.03

Envase tipo carrete

S/5.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

NVMYS3D3N06CLTWG
onsemi
1: S/8.14
6,000Se espera el 17/04/2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS3D3N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS3D3N06CLTWG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

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Hoja de datos

6,000Se espera el 17/04/2026

Cinta cortada

S/8.14

S/5.45

S/3.85

S/3.17

Envase tipo carrete

S/2.57

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN

NTLUS030N03CTAG
onsemi
1: S/3.50
5,440Se espera el 11/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTLUS030N03CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTLUS030N03CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN

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5,440Se espera el 11/09/2026

Cinta cortada

S/3.50

S/2.18

S/1.42

S/1.09

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.849

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA

NTMFS0D7N03CGT1G
onsemi
1: S/11.05
1,450Se espera el 13/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS0D7N03CGT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D7N03CGT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA

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1,450Se espera el 13/03/2026

Cinta cortada

S/11.05

S/7.16

S/4.94

S/4.09

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.51

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NTMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/6.54
1,500Se espera el 17/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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1,500Se espera el 17/04/2026

Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.76

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

NTTFS4C05NTAG
onsemi
1: S/2.92
2,993Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C05NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C05NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

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2,993Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/2.92

S/1.83

S/1.22

S/0.965

S/0.631

Envase tipo carrete

S/0.631

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH

NTTFS4C06NTAG
onsemi
1: S/3.11
2,950Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C06NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C06NTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH

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2,950Se espera el 13/04/2026

Cinta cortada

S/3.11

S/2.06

S/1.35

S/1.04

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.86

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2 MOHMS LL

NVMFS5C423NLET1G
onsemi
1: S/6.54
3,000En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C423NLET1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C423NLET1G

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 2 MOHMS LL

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Cinta cortada

S/6.54

S/4.16

S/2.78

S/2.19

Envase tipo carrete

S/1.76

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLWFAFT1G
onsemi
1: S/10.98
1En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C442NLAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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S/10.98

S/7.59

S/5.25

S/4.40

Envase tipo carrete

S/3.73

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C680NLT1G
onsemi
1: S/6.23
3,000Se espera el 27/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C680NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C680NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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3,000Se espera el 27/02/2026

Cinta cortada

S/6.23

S/3.97

S/2.64

S/2.12

S/2.07

Envase tipo carrete

S/1.80

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

NVMYS010N04CLTWG
onsemi
1: S/5.37
3,000Se espera el 23/02/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS010N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS010N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 10Ohm 38A Single N-Channel

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3,000Se espera el 23/02/2026

Cinta cortada

S/5.37

S/3.38

S/2.24

S/1.89

S/1.62

Envase tipo carrete

S/1.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/8.95
1,500Se espera el 27/03/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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1,500Se espera el 27/03/2026

Cinta cortada

S/8.95

S/5.76

S/3.93

S/3.27

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.88

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVTFS5C460NLTAG
onsemi
1: S/7.59
1,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C460NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C460NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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1,500Se espera el 2/03/2026

Cinta cortada

S/7.59

S/4.87

S/3.17

S/2.51

S/2.18

Envase tipo carrete

S/2.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

NVTFS5C471NLTAG
onsemi
1: S/5.80
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C471NLTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C471NLTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL

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3,000En existencias

Cinta cortada

S/5.80

S/3.67

S/2.44

S/1.92

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMJS1D2N04CLTWG
onsemi
3,000: S/3.09
12,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D2N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D2N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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12,000Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

S/3.09

S/3.08

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NTMJS1D3N04CTWG
onsemi
3,000: S/4.83
6,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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6,000Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

S/4.83

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

NTMTS0D7N04CLTXG
onsemi
3,000: S/4.67
24,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D7N04CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D7N04CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH

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24,000Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

S/4.67

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFD020N06CT1G
onsemi
1,500: S/3.31
7,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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Envase tipo carrete

S/3.31

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFS020N06CT1G
onsemi
1,500: S/2.18
18,000Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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18,000Existencias en fábrica disponibles

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S/2.18

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVMFS5C406NLT1G
onsemi
1: S/18.88
1,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C406NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C406NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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1,500Existencias en fábrica disponibles

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Cinta cortada

S/18.88

S/15.10

S/12.22

S/10.86

S/9.30

Envase tipo carrete

S/9.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

NVMFS5C406NLWFT1G
onsemi
1,500: S/8.80
1,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C406NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C406NLWFTG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V

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Hoja de datos

1,500Existencias en fábrica disponibles

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Envase tipo carrete

S/8.80

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET

NVMFS5C406NWFT1G
onsemi
1,500: S/8.72
43,500Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C406NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C406NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH SO8FL HEFET

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43,500Existencias en fábrica disponibles

Más información disponible

Envase tipo carrete

S/8.72

Min.: 1,500
Mult.: 1,500

Carrete: 1,500

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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