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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C468NLWFAFT1G
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NVMFS5C468NLWFAFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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S/3.85

S/3.84

S/3.37

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

NVMFS5C646NLWFAFT1G
onsemi
1: S/11.79
447En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C646NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C646NWFT1G

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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S/11.79

S/8.25

S/5.76

S/4.90

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S/4.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

NVMJS2D5N06CLTWG
onsemi
1: S/10.20
40En existencias
NRND

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NVMJS2D5N06CLTWG

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863-NVMJS2D5N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel

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S/10.20

S/6.58

S/4.40

S/3.53

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S/2.90

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

NVTFS4C13NWFTAG
onsemi
1: S/3.27
794En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C13NWFTAG

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863-NVTFS4C13NWFTAG

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM

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S/3.27

S/3.26

S/2.90

S/2.45

S/2.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM

NVTFS4C25NTAG
onsemi
1: S/5.02
967En existencias
NRND

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NVTFS4C25NTAG

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863-NVTFS4C25NTAG

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM

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S/5.02

S/3.18

S/2.10

S/1.63

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S/1.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

NVTFS5C680NLWFTAG
onsemi
1: S/5.88
968En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C680NLWFTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C680NWFTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF

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S/5.88

S/3.78

S/2.72

S/2.16

S/2.13

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S/1.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL U8FL

NTTFS5C680NLTAG
onsemi
1: S/2.30
Plazo de entrega 23 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS5C680NLTAG

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863-NTTFS5C680NLTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL U8FL

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S/2.30

S/1.42

S/0.907

S/0.697

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S/0.487

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NTMFD020N06CT1G
onsemi
1: S/7.51
748En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFD020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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748En existencias

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S/7.51

S/4.94

S/3.28

S/2.65

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S/2.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 345A 8MOHM

NTMFS5C404NT1G
onsemi
1: S/34.99
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C404NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C404NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 345A 8MOHM

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S/34.99

S/23.98

S/19.07

S/17.32

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S/15.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8

NTMFS5C460NLT3G
onsemi
1: S/3.23
4,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C460NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C460NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8

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S/3.23

S/2.13

S/1.40

S/1.07

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S/0.751

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

NTMYS011N04CTWG
onsemi
1: S/6.27
1,109En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS011N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS011N04CTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

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S/6.27

S/5.18

S/4.28

S/3.72

S/3.54

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S/2.05

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C478NLT4G
onsemi
1: S/9.50
1,714En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C478NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C478NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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S/9.50

S/6.15

S/4.20

S/3.35

S/3.13

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S/2.79

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFS016N06CT1G
onsemi
1: S/6.77
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS016N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS016N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/6.77

S/4.75

S/3.30

S/2.62

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S/2.17

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

NVMFS5C612NLWFAFT1G
onsemi
1: S/19.89
640En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C612NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C612NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V

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S/19.89

S/13.35

S/9.65

S/9.26

S/8.99

Envase tipo carrete

S/7.51

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C677NLWFT1G
onsemi
1: S/7.94
1,340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C677NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C677NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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S/7.94

S/5.33

S/3.57

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.47

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C680NLWFT1G
onsemi
1: S/6.62
1,130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C680NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C680NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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S/6.62

S/4.40

S/3.03

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.12

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NVMYS4D6N04CLTWG
onsemi
1: S/5.88
2,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS4D6N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS4D6N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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2,759En existencias

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S/5.88

S/3.76

S/2.58

S/2.12

Envase tipo carrete

S/1.70

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVTFS020N06CTAG
onsemi
1: S/5.72
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS020N06CTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS020N06CTAG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/5.72

S/3.61

S/2.52

S/2.18

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S/1.76

S/1.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

NVTFS4C05NTAG
onsemi
1: S/5.61
50En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS4C05NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS4C05NTAG

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM

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50En existencias

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S/5.61

S/3.71

S/3.09

S/2.97

Envase tipo carrete

S/2.78

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Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH

NTTFS4C13NTAG
onsemi
1: S/3.27
8En existencias
10,500Se espera el 13/04/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTTFS4C13NTAG

N.º de artículo de Mouser
863-NTTFS4C13NTAG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH

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S/3.27

S/2.00

S/1.33

S/1.05

S/0.977

Envase tipo carrete

S/0.829

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C650NLWFT1G
onsemi
1: S/20.16
7,500Se espera el 2/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C650NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C650NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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7,500Se espera el 2/03/2026

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S/20.16

S/15.14

S/10.90

S/10.67

S/9.93

Envase tipo carrete

S/8.68

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET

NTMFS5C670NLT3G
onsemi
1: S/3.19
8,385En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C670NLT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C670NLT3G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET

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8,385En pedido

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S/3.19

S/2.16

S/1.49

S/1.21

Envase tipo carrete

S/0.887

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

NTMTS001N06CLTXG
onsemi
1: S/15.30
5,998Se espera el 9/06/2027

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS001N06CLTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS001N06CLTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION

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5,998Se espera el 9/06/2027

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S/15.30

S/10.47

S/7.40

S/6.70

Envase tipo carrete

S/5.45

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

NTMYS1D2N04CLTWG
onsemi
1: S/10.86
3,000Se espera el 13/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS1D2N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS1D2N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK

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3,000Se espera el 13/03/2026

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S/10.86

S/7.01

S/5.37

S/3.59

Envase tipo carrete

S/3.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

NTMYS2D9N04CLTWG
onsemi
1: S/11.44
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS2D9N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS2D9N04CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET

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3,000En pedido

Cinta cortada

S/11.44

S/7.43

S/5.14

S/4.28

S/4.16

Envase tipo carrete

S/3.47

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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