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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

NVMFD5C668NLT1G
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NVMFD5C668NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL

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S/7.51

S/7.01

S/5.96

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S/5.68

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLT1G
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C674NLT1G
onsemi
1: S/10.67
3En existencias
1,500Se espera el 10/04/2026

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NVMFD5C674NLT1G

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S/10.67

S/6.93

S/4.75

S/3.86

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S/3.47

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLWFT1G
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NVMFD5C680NLWFT1G

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863-NVMFD5C680NLWFT

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S/9.34

S/6.03

S/4.13

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS

NVMFS024N06CT1G
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1: S/6.85
593En existencias

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NVMFS024N06CT1G

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863-NVMFS024N06CT1G

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S/6.85

S/4.52

S/3.02

S/2.40

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFAFT1G
onsemi
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NVMFS5C404NLWFAFT1G

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S/18.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NAFT1G
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NVMFS5C410NAFT1G

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S/13.90

S/9.93

S/9.58

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C410NLAFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NWFAFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C430NLWFAFT1G
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S/4.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C450NWFAFT1G
onsemi
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NVMFS5C450NWFAFT1G

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S/3.81

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLWFAFT1G
onsemi
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NVMFS5C456NLWFAFT1G

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S/5.96

S/4.09

S/3.35

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S/2.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G
onsemi
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NVMFS5C460NLAFT1G

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S/4.55

S/3.68

S/3.08

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S/2.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

NVMFS5C466NLT1G
onsemi
1: S/6.38
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NVMFS5C466NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C466NLT1G

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S/6.38

S/4.94

S/3.32

S/2.66

S/2.61

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S/2.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

NVMFS5C466NLWFT1G
onsemi
1: S/8.10
1,410En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C466NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C466NLWFT1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL

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S/8.10

S/5.49

S/3.71

S/2.96

Envase tipo carrete

S/2.57

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C468NLAFT1G
onsemi
1: S/5.96
2,727En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NLFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

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S/5.96

S/3.93

S/2.79

S/2.20

Envase tipo carrete

S/1.77

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NT1G
onsemi
1: S/7.32
3,597En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

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S/7.32

S/4.67

S/3.14

S/2.71

S/2.17

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S/2.01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

NVMFS5C645NLAFT1G
onsemi
1: S/6.38
2,701En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C645NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C645NLFT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL

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S/6.38

S/4.24

S/2.92

S/2.30

Envase tipo carrete

S/1.90

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

NVMFS5C646NLAFT1G
onsemi
1: S/11.76
1,617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C646NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C646NLFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL

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S/11.76

S/7.63

S/5.29

S/4.44

Envase tipo carrete

S/3.78

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

NVMFS5C677NLT1G
onsemi
1: S/5.37
1,381En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C677NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C677NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE

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S/5.37

S/3.97

S/2.88

S/2.54

S/2.47

Envase tipo carrete

S/2.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFWS020N06CT1G
onsemi
1: S/8.10
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFWS020N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFWS020N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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S/8.10

S/5.22

S/3.51

S/2.79

Envase tipo carrete

S/2.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

NVMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/5.72
2,781En existencias
3,000Se espera el 26/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel

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2,781En existencias

3,000Se espera el 26/06/2026

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S/5.72

S/3.61

S/2.39

S/1.89

S/1.70

Envase tipo carrete

S/1.56

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

NVMYS021N06CLTWG
onsemi
1: S/4.20
2,938En existencias
3,000Se espera el 26/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS021N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS021N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

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2,938En existencias

3,000Se espera el 26/05/2026

Cinta cortada

S/4.20

S/2.36

S/1.96

S/1.74

Envase tipo carrete

S/1.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

NVMYS025N06CLTWG
onsemi
1: S/5.18
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMYS025N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NVMYS025N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel

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S/5.18

S/3.25

S/2.15

S/1.68

S/1.52

Envase tipo carrete

S/1.33

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Mult.: 1

Carrete: 3,000

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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