Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 150A
NTMFS5C423NLT3G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET
NTMFS5C426NT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET
NTMFS5C442NT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6D3F 40V NFET
NTMFS5C442NT3G
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4,500 En existencias
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S/4.71
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10,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 110A
NTMFS5C450NLT1G
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1,315 En existencias
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S/6.27
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3,000
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24,000
S/1.57
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8
NTMFS5C456NLT1G
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133 En existencias
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133 En existencias
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S/3.66
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S/0.942
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8
NTMFS5C460NLT1G
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S/2.02
688 En existencias
3,000 Se espera el 23/02/2026
N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5C460NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8
688 En existencias
3,000 Se espera el 23/02/2026
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S/2.02
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S/1.60
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S/1.34
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S/1.00
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3,000
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24,000
S/0.841
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
NTMFS5C604NLT1G
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S/12.96
141 En existencias
21,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5C604NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO
141 En existencias
21,000 En pedido
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141 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 12/03/2026
6,000 Se espera el 20/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:
17 Semanas
1
S/12.96
10
S/8.49
100
S/5.92
500
S/5.10
1,000
S/5.02
1,500
S/4.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
NTMFS5C628NLT1G
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1:
S/6.46
1,327 En existencias
4,500 Se espera el 25/09/2026
N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5C628NLT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
1,327 En existencias
4,500 Se espera el 25/09/2026
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1
S/6.46
10
S/4.24
100
S/2.90
500
S/2.31
1,500
S/2.00
3,000
Ver
1,000
S/2.28
3,000
S/1.74
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
NTMFS5C670NT1G
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1:
S/3.85
1,001 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS5C670NT1G
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
1,001 En existencias
1
S/3.85
10
S/2.42
100
S/1.58
500
S/1.21
1,500
S/0.919
3,000
Ver
1,000
S/1.16
3,000
S/0.841
9,000
S/0.794
24,000
S/0.775
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL
NTMFSC1D6N06CL
onsemi
1:
S/10.35
143 En existencias
6,000 Se espera el 15/05/2026
N.º de artículo de Mouser 863-NTMFSC1D6N06CL
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL
143 En existencias
6,000 Se espera el 15/05/2026
1
S/10.35
10
S/6.66
100
S/4.59
500
S/3.69
3,000
S/3.03
6,000
S/3.02
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
NTMJS1D5N04CLTWG
onsemi
1:
S/9.65
3,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NTMJS1D5N04CLTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
3,000 En existencias
1
S/9.65
10
S/6.23
100
S/4.28
500
S/3.41
3,000
S/2.79
6,000
Ver
1,000
S/3.37
6,000
S/2.75
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Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel
NTMJS2D5N06CLTWG
onsemi
1:
S/9.03
2,923 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NTMJS2D5N06CLTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel
2,923 En existencias
1
S/9.03
10
S/5.96
100
S/4.16
500
S/3.33
3,000
S/2.72
6,000
Ver
1,000
S/3.28
6,000
S/2.67
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
NTMTS001N06CTXG
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1:
S/15.96
848 En existencias
6,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser 863-NTMTS001N06CTXG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
848 En existencias
6,000 En pedido
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Existencias:
848 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 4/11/2026
3,000 Se espera el 4/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
1
S/15.96
10
S/10.51
100
S/7.40
500
S/6.70
1,000
S/6.31
3,000
S/5.45
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Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
NTMYS010N04CLTWG
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S/10.16
2,995 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS010N04CLTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
2,995 En existencias
1
S/10.16
10
S/7.20
100
S/4.98
500
S/4.24
3,000
S/2.49
6,000
Ver
1,000
S/3.51
6,000
S/2.35
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Min.: 1 Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm
NTMYS021N06CLTWG
onsemi
1:
S/5.80
1,073 En existencias
3,000 Se espera el 20/03/2026
N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS021N06CLTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm
1,073 En existencias
3,000 Se espera el 20/03/2026
1
S/5.80
10
S/3.46
100
S/2.92
500
S/2.37
3,000
S/1.80
6,000
Ver
1,000
S/1.80
6,000
S/1.78
9,000
S/1.77
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
NTMYS3D3N06CLTWG
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1:
S/11.29
2,902 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS3D3N06CLTWG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
2,902 En existencias
1
S/11.29
10
S/8.37
100
S/5.84
500
S/4.98
3,000
S/4.32
6,000
Ver
1,000
S/4.87
6,000
S/4.20
9,000
S/4.16
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
NTMYS4D1N06CLTWG
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1:
S/9.26
2,815 En existencias
N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS4D1N06CLTWG
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
2,815 En existencias
1
S/9.26
10
S/5.96
100
S/4.09
500
S/3.25
1,000
S/3.18
3,000
S/2.65
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Min.: 1 Mult.: 1
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