Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with superior soft body diode. The Trench6 N-Channel MV MOSFETs from onsemi are available in a wide range of small-footprint packages for design flexibility.

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Resultados: 450

Filtros aplicados:

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVTFS5C453NLETAG
onsemi
1: S/9.77
1,050En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVTFS5C453NLETAG

N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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1,050En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.27

S/4.28

Envase tipo carrete

S/4.28

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

: 1,500

SMD/SMT

WDFN-8

N-Channel

1 Channel

40 V

107 A

3.1 mOhms

20 V

2 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

NVMFS5C442NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/7.08
1,039En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C442NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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1,039En existencias

Cinta cortada

S/7.08

S/4.44

S/2.92

Envase tipo carrete

S/2.92

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 160

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

130 A

2.5 mOhms

20 V

2 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

NVMFS5C456NLAFT1G-YE
onsemi
1: S/6.70
1,448En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G-YE

N.º de artículo de Mouser
863-FS5C456NLAFT1GYE

Nuevo producto

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

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1,448En existencias

Cinta cortada

S/6.70

S/4.13

S/2.71

Envase tipo carrete

S/2.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.7 mOhms

20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFD024N06CT1G
onsemi
1: S/12.38
25,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD024N06CT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD024N06CT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

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25,406En existencias

Cinta cortada

S/12.38

S/8.02

S/5.57

S/4.40

S/4.05

Envase tipo carrete

S/4.05

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

24 A

22.6 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

5.7 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: S/16.85
8,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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8,807En existencias

Cinta cortada

S/16.85

S/10.74

S/8.10

S/7.01

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.62

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

NVBLS001N06C
onsemi
1: S/46.83
4,440En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS001N06C

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS001N06C

NRND

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 1.0MO

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4,440En existencias

Cinta cortada

S/46.83

S/32.58

S/27.13

Envase tipo carrete

S/27.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

60 V

422 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

143 nC

- 55 C

+ 175 C

284 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI

NTMTS001N06CTXG
onsemi
1: S/17.09
6,726En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS001N06CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS001N06CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI

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6,726En existencias

Cinta cortada

S/17.09

S/8.76

S/6.77

S/6.23

Envase tipo carrete

S/6.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

Power-88-8

N-Channel

1 Channel

60 V

398.2 A

810 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

165 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C454NT4G
onsemi
1: S/11.91
2,016En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C454NT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C454NT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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2,016En existencias

Cinta cortada

S/11.91

S/7.75

S/5.33

S/4.32

S/4.13

Envase tipo carrete

S/3.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C486NLT4G
onsemi
1: S/9.11
5,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C486NLT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C486NLT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

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5,000En existencias

Cinta cortada

S/9.11

S/5.84

S/3.97

S/3.15

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.67

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

24 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9.8 nC

- 55 C

+ 175 C

18 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C628NT1G
onsemi
1: S/16.27
6,822En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C628NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C628NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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6,822En existencias

Cinta cortada

S/16.27

S/9.96

S/7.67

S/6.46

S/6.03

Envase tipo carrete

S/6.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

150 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

110 W

Enhancement

AEC-Q100

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C670NWFT1G
onsemi
1: S/12.07
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C670NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C670NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Hoja de datos

3,000En existencias

Cinta cortada

S/12.07

S/7.82

S/5.41

S/4.24

S/3.93

Envase tipo carrete

S/3.93

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

NVD5C446NT4G
onsemi
1: S/12.65
3,446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C446NT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C446NT4G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

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3,446En existencias

Cinta cortada

S/12.65

S/8.21

S/5.68

S/4.52

S/4.20

Envase tipo carrete

S/4.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

101 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34.3 nC

- 55 C

+ 175 C

101 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

NVMFS5C404NLWFAFT1G
onsemi
1: S/37.87
1,415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C404NLWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C404NWAT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET

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1,415En existencias

Cinta cortada

S/37.87

S/24.48

S/19.54

S/19.50

S/18.49

Envase tipo carrete

S/18.49

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

40 V

370 A

520 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

200 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NAFT1G
onsemi
1: S/9.77
2,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C442NAFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

2,176En existencias

Cinta cortada

S/9.77

S/6.31

S/4.32

S/3.58

S/3.45

Envase tipo carrete

S/3.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

140 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

NVMFS5C456NLAFT1G
onsemi
1: S/6.58
13,821En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C456NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C456NLAF1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL

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Hoja de datos

13,821En existencias

Cinta cortada

S/6.58

S/4.98

S/3.88

S/3.10

S/2.90

Envase tipo carrete

S/2.80

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

87 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

55 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NVMFS5C670NT1G
onsemi
1: S/10.51
1,943En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C670NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C670NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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Hoja de datos

1,943En existencias

Cinta cortada

S/10.51

S/6.77

S/4.63

S/3.71

S/3.25

Envase tipo carrete

S/3.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

71 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

61 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/7.71
2,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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Hoja de datos

2,855En existencias

Cinta cortada

S/7.71

S/4.90

S/3.30

S/2.61

S/2.39

Envase tipo carrete

S/2.13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

LFPAK-4

N-Channel

1 Channel

60 V

36 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C470NT1G
onsemi
1: S/11.25
2,864En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C470NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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Hoja de datos

2,864En existencias

Cinta cortada

S/11.25

S/7.28

S/4.98

S/3.88

S/3.66

Envase tipo carrete

S/3.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

28 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C674NLWFT1G
onsemi
1: S/11.52
3,896En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C674NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C674NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Hoja de datos

3,896En existencias

Cinta cortada

S/11.52

S/7.47

S/5.14

S/4.16

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

42 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: S/17.67
1,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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Hoja de datos

1,447En existencias

Cinta cortada

S/17.67

S/10.86

S/8.10

S/7.01

S/6.62

Envase tipo carrete

S/6.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFS5C638NLWFT1G
onsemi
1: S/17.01
1,994En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C638NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C638NLWFT1

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

Obtenga más información

Hoja de datos

1,994En existencias

Cinta cortada

S/17.01

S/11.17

S/7.86

S/6.73

S/6.19

Envase tipo carrete

S/6.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

60 V

133 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40.7 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C410NWFAFT1G
onsemi
1: S/23.78
805En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C410NWFAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C410NWT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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Hoja de datos

805En existencias

Cinta cortada

S/23.78

S/15.88

S/11.44

S/10.43

S/9.85

Envase tipo carrete

S/9.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

760 uOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

166 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NTMFS5C673NT1G
onsemi
1: S/4.44
9,941En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C673NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C673NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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9,941En existencias

Cinta cortada

S/4.44

S/3.15

S/1.96

S/1.35

Envase tipo carrete

S/0.802

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SO-8FL-4

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C462NT1G
onsemi
1: S/13.90
7,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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7,379En existencias

Cinta cortada

S/13.90

S/9.07

S/6.31

S/5.14

Envase tipo carrete

S/5.06

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

70 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

NTMTS0D7N04CTXG
onsemi
1: S/16.08
1,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMTS0D7N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMTS0D7N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH

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1,581En existencias

Cinta cortada

S/16.08

S/10.55

S/7.40

S/5.88

S/5.76

Envase tipo carrete

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

DFNW-8

N-Channel

1 Channel

40 V

420 A

670 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

DFN-5
DFN-5060-8
DFN-8
DFNW-5
DFNW-8
DPAK-3 (TO-252-3)
LFPAK-4
LFPAK-8
Power-33-8
Power88-8
Power-88-8
PQFN-8
PQFN-88-8
SO-8FL
SO-8FL-4
SO-8FL-Dual-8
SOIC-8
SOT-23-3
TCPAK-10
TCPAK57-10

3.6 A
6.9 A
8.2 A
13.5 A
14 A
17 A
18.8 A
19 A
20 A
21 A
21 A, 78 A
21.7 A
22 A
22.1 A
22.4 A
24 A
25 A
26 A
27 A
28 A

400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
480 uOhms
520 uOhms
560 uOhms
570 uOhms
620 uOhms
630 uOhms
650 uOhms
670 uOhms
680 uOhms
700 uOhms
720 uOhms
750 uOhms
760 uOhms
800 uOhms
810 uOhms
820 uOhms
850 uOhms

2.7 nC
2.9 nC
3.8 nC
4.7 nC
5 nC
5.5 nC
5.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.3 nC
7 nC
7.3 nC
7.9 nC
7.9 nC, 43 nC
8 nC
8 nC, 18 nC
8.1 nC
9 nC
9.5 nC
9.6 nC

470 mW
1.49 W
1.52 W
1.56 W
2.3 W
2.4 W
2.51 W
2.66 W
3.1 W
3.2 W
3.5 W
3.61 W
3.7 W
3.8 W
3.8 W, 106 W
3.8 W, 110 W
3.8 W, 128 W
3.8 W, 167 W
3.84 W
3.9 W