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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN S08FL

NVMFS5C456NLAFT1G-YE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL

NVMFS5C460NLAFT1G-YE
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

NVMFD024N06CT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH

NVMTS0D7N06CLTXG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 69A 4MOHM

NTMFS4C06NT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 225A 1.65mOhms

NVMFS5C612NWFT1G
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S/11.33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 312A 900MO

NTMFS5C410NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NTMFD5C446NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8

NTMFS5C468NLT1G
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S/1.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C454NT4G
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NVD5C454NT4G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V DPAK EXP

NVD5C486NT4G
onsemi
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2,288En existencias

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NVD5C486NT4G

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863-NVD5C486NT4G

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S/3.33

S/2.94

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S/2.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLWFT1G
onsemi
1: S/19.73
2,178En existencias

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NVMFD5C446NLWFT1G

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S/15.06

S/10.82

S/10.63

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S/8.99

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL SO8FL DUAL

NTMFD5C680NLT1G
onsemi
1: S/4.13
11,835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFD5C680NLT1G

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863-NTMFD5C680NLT1G

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S/4.13

S/2.28

S/1.66

S/1.35

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S/0.977

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NTMFS5C673NLT1G
onsemi
1: S/1.87
36,251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C673NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS5C673NLT1G

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S/1.87

S/1.51

S/1.20

S/1.02

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S/0.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

NVD5C446NT4G
onsemi
1: S/9.11
3,446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVD5C446NT4G

N.º de artículo de Mouser
863-NVD5C446NT4G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK

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S/9.11

S/6.93

S/5.02

S/4.44

S/4.05

Envase tipo carrete

S/3.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

NVMFS5C442NAFT1G
onsemi
1: S/9.11
2,176En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C442NAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C442NAFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET

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S/9.11

S/6.27

S/4.36

S/3.56

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S/3.18

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NVMFS5C670NLAFT1G
onsemi
1: S/9.03
1,958En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C670NLAFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C670NL1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

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S/9.03

S/6.03

S/4.28

S/3.37

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S/2.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

NTMYS014N06CLTWG
onsemi
1: S/7.20
2,855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS014N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS014N06CLTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

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S/7.20

S/4.59

S/3.08

S/2.44

S/2.25

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S/1.97

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

NTMYS5D3N04CTWG
onsemi
1: S/7.05
3,021En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMYS5D3N04CTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMYS5D3N04CTWG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

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S/7.05

S/4.40

S/3.32

S/2.72

Envase tipo carrete

S/2.18

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Carrete: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C470NT1G
onsemi
1: S/9.03
2,875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C470NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C470NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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S/9.03

S/6.38

S/4.55

S/3.71

Envase tipo carrete

S/3.21

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Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C674NLWFT1G
onsemi
1: S/8.14
4,049En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C674NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C674NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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4,049En existencias

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S/8.14

S/6.38

S/4.75

S/3.93

S/3.85

Envase tipo carrete

S/3.48

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

NVMFS5C468NWFT1G
onsemi
1: S/6.77
3,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C468NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C468NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING

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S/6.77

S/4.79

S/3.26

S/2.64

S/2.52

Envase tipo carrete

S/2.28

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

NVMFSC0D9N04C
onsemi
1: S/24.76
2,812En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFSC0D9N04C

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFSC0D9N04C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL

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S/17.59

S/12.92

S/11.79

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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